产品数据表
2001年12月13日
36到40 GHz 1W功率放大器
TGA1171-SCC
0.25微米pHEMT技术
36-40 GHz频率范围内
29 dBm的额定噘@ P1dB为38 GHz的
14分贝标称增益
OTOI 36 dBm的40 GHz的典型
偏置6-7 V @ 500毫安
芯片尺寸： 2.863毫米X 2.740毫米
X 0.1016毫米
主要特点及性能
主要应用
点至点收音机
点对多点广播
TGA1171夹具数据
+ 7V ， 500毫安， 25C
20
15
增益和回波损耗（分贝）
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
频率（GHz ）
S22
S11
S21
产品说明
TriQuint的TGA1171 -SCC是一个两阶段
采用TriQuint公司的成熟的0.25功率放大器MMIC设计
m
功率pHEMT工艺来支持
多种毫米波应用
包括点至点的数字无线电和点 -
点对多点系统。
平衡的设计包括四个400
m
输入设备驱动8 400
m
产量
设备。
该TGA1171提供29 dBm的输出
功率为1 dB增益压缩和>30
dBm的饱和输出功率在整个36-40
GHz的14 dB的典型小信号增益。
典型的输入/输出RL通常较大
比整个波段12-15分贝。
该TGA1171需要最少片
组件。每款器件是100％的直流和
射频晶片上测试，以确保性能
合规性。该装置是在芯片可用
形式。
TGA1171夹具数据
+ 7V ， 500毫安， 25C
34
33
32
输出P1dB为（ DBM）
31
30
29
28
27
26
25
24
36.0
36.5
37.0
37.5
38.0
38.5
39.0
39.5
40.0
频率（GHz ）
TriQuint半导体公司德州： （ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
1
产品数据表
2001年12月13日
TGA1171-SCC
表一
最大额定值
符号
V
+
V
-
I
+
| I
G
|
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
参数5 /
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流（静态）
门电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度
（30秒）
储存温度
价值
8V
-5V至0V
9 60毫安
56.32毫安
27 dBm的
5.25 W
150
0
C
320
0
C
-65到150
0
C
4/
3/ 4/
1/ 2/
4/
笔记
4/
这些等级适用于每一个人FET 。
结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（T
M
).
为了获得最大的寿命，所以建议的结温保持在
尽可能低的水平。
当在此偏置条件为70的基板温度下操作
0
C中，中值
生命是从9.5 减少+ 6 6.1 E + 5小时。
电源电压，电源电流，输入功率和输出功率的组合不得
超过P
D
.
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
3/
4/
5/
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TGA1171-SCC
表二
DC探索试验
（ TA = 25
°C ±
5
°C)
符号
IDSS
(Q3-6)
Gm
(Q3-6)
V
P
BVgs
(Q3-6)
BVgd
(Q3-6)
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压栅极
来源
击穿电压栅极
漏
最低
160
352
-1.5
-30
-30
最大
752
848
-0.5
-11
-11
单位
mA
mS
V
V
V
表三
自动探测FET参数的测量条件
场效应管的参数
I
DSS
:
最大漏电流（I
DS
）与栅极电压
(V
GS
）在零伏。
测试条件
V
GS
= 0.0 V，漏极电压（V
DS
）从0.5 V席卷至
最多3.5 V在搜索中的最大值的
I
DS
;电压我
DSS
被记录为VDSP 。
对于所有类型的材料，V
DS
0.5 V之间被横扫
VDSP中搜索I的最大值的
ds
。这
我最大
DS
被记录为IDS1 。对于中级和
电源材料， IDS1测量V
GS
= VG1 = -0.5 V.
低噪音， HFET和pHEMT制材料，
V
GS
= VG1 = -0.25 V.对于LNBECOLC ，使用
V
GS
= VG1 = -0.10 V.
V
DS
固定为2.0 V ，V
GS
被横扫带给我
DS
0.5毫安/毫米。
排水管固定在地面上，源未连接（浮） ，
1.0毫安/ mm的压入栅，栅 - 漏电压（V
GD
)
测得V
BVgd
并记录为BVGD ;这不可能是
如果有网关之间的其他直流连接测量
漏极，栅极 - 源极或漏极 - 源极。
来源固定在地面上，不漏连接（浮） ，
1.0毫安/ mm的压入栅极，栅极 - 源极电压（V
GS
)
测得V
BVgs
并记录为BVGS ;这不可能是
如果有网关之间的其他直流连接测量
漏极，栅极 - 源极或漏极 - 源极。
G
m
:
跨导;
(
I
DSS
IDS 1
)
VG1
V
P
:
夹断电压; V
GS
对于我
DS
中= 0.5毫安/毫米
门的宽度。
V
BVgd
：击穿电压，栅极 - 漏极;栅极 - 漏
击穿电流（I
BD
）=栅极宽度为1.0毫安/毫米。
V
BVgs
：击穿电压，栅极 - 源极;栅极 -
源极击穿电流（I
BS
）=门为1.0毫安/毫米
宽度。
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TGA1171-SCC
表四
RF晶圆表征测试
(T
A
= 25°C + 5°C)
（VD = 7V ，ID = 500毫安
±5%)
参数
频率
输出P1dB为
小信号增益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出TOI
单位
GHz的
DBM
dB
dB
dB
DBM
民
36
26
12
典型
29
14
-15
-15
36
最大
40
表五
热信息*
参数
R
θJC
热阻
（信道的背面
运营商）
测试条件
VD = 7V
I
D
= 500毫安
PDISS =为3.5W
T
CH
(
o
C)
125.03
R
θJC
（ ° C / W）
15.79
T
M
（小时）
9.5 E+6
注意：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨运营商
在70℃下底板温度。最坏的情况没有RF应用，直流100 ％
功率耗散。
*
这个信息是一个热模型分析的结果。
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TGA1171-SCC
根据第50百分位的晶圆RF数据
探针测试结果，样本大小= 13971设备
偏置条件： VD = 7 V ，ID = 500毫安
32
31
30
噘嘴@的P1dB （ dBm的）
29
28
27
26
25
24
36
36.5
37
37.5
38
38.5
39
39.5
40
频率（GHz ）
-10
-15
输入回波损耗（dB ）
-20
-25
-30
-35
-40
36
36.5
37
37.5
38
38.5
39
39.5
40
频率（GHz ）
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