产品数据表
2000年8月15日
19 - 27 GHz的中等功率放大器
TGA1073G-SCC
主要特点及性能
0.25微米pHEMT技术
22分贝标称增益
25 dBm的额定噘@的P1dB
偏置5-7V @ 220毫安
芯片尺寸2.55毫米X 1.15毫米
主要应用
TriQuint的TGA1073G - SCC是一个三阶段
MPA MMIC设计采用TriQuint的证明
0.25微米功率pHEMT工艺。该TGA1073G
被设计成支持多种毫米波的
应用，包括点至点的数字无线电
和点对多点通信。
增益和回波损耗（分贝）
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
18
点至点收音机
点对多点通信
这三个阶段的设计包括一个200微米的输入
设备驱动480um间设备
接着是800um输出设备。
该TGA1073G提供25dBm的名义
输出功率在整个1dB压缩
19-27GHz 。典型的小信号增益为22分贝。
该TGA91073G要求最低的片外
组件。每个设备是100％的直流和射频
晶圆上测试，以确保性能符合性。
该装置是在芯片的形式提供。
S21
S11
S22
19
20
21
22 23 24 25
频率（GHz ）
26
27
28
28
24
20
P1dB的（ DBM）
16
12
8
4
0
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
频率（GHz ）
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1
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2000年8月15日
最大额定值
符号
V
+
I
+
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
4/
5/
参数5 /
正电源电压
独到之处电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度
（30秒）
储存温度
价值
8V
296毫安
23 dBm的
2.37 W
150
0
C
320
0
C
-65到150
0
C
2/ 3/
1/
4/
笔记
总电流为所有阶段。
这些等级适用于每一个人FET 。
结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（T
M
） 。为了获得最大的
寿命，所以建议的结温保持在尽可能低的水平。
该值反映了估计。实际值，会尽快确定插入。
这些等级代表最大可操作的值的设备
.
DC规格（ 100 ％ ）
(T
A
= 25
°C
+ 5
°C)
笔记
符号
I
DSS3
G
M3
1/
1/
1/
1/
1/
1/
2/
|V
P1
|
|V
P2
|
|V
P3
|
|V
BVGD1
|
|V
BVGS1
|
测试条件2 /
民
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
80
176
0.5
0.5
0.5
11
11
范围
最大
376
424
1.5
1.5
1.5
30
30
mA
mS
V
V
V
V
V
单位
V
P
, V
BVgd
和V
BVgs
是否定的。
测量条件如有变动，以制造商的自由裁量权（在适当的
通知买家） 。
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RF连接特定的阳离子
(T
A
= 25
°
C + 5
°
C)
记
TEST
测量
条件
6V @ 220毫安
19 GHz的
20 - 25 GHz的
20 GHz的
22 GHz的
23.5 GHz的
19 - 25 GHz的
19 - 25 GHz的
价值
民
16
19
21
24
24
典型值
20
23
23
25
26
-20
-15
32
最大
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
DBM
单位
1/
小信号
增益幅度
电源输出
AT 1分贝GAIN
压缩
1/
1/
2/
输入回波损耗
大小
输出回波损耗
大小
输出三阶
截距
1/
RF探针数据被取为1 GHz的步骤。
可靠性数据
参数
R
θ
JC
热阻
（信道的背面
C / P ）
偏置条件
V
D
(V)
I
D
（MA ）
6
220
P
DISS
(W)
1.32
R
θ
JC
（ C / W ）
71.7
T
CH
(
°
C)
149.6
T
M
（小时）
1.0 E6
注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20mil粗磨运营商在55
°
C
底板的温度。没有RF应用最坏的情况，直流电源的100％
消退。
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机械特性
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芯片组装和键合图
Vd
.01uF
100pF
100pF
100pF
100pF
.01uF
Vg
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