产品数据表
2000年8月15日
36 - 40 GHz功率放大器
TGA1073C-SCC
主要特点及性能
0.25微米pHEMT技术
36-40 GHz频率范围内
26 dBm的额定噘@的P1dB ， 38GHz
15分贝标称增益
偏置5-7V @ 240毫安
芯片尺寸2.4毫米X 1.45毫米
主要应用
TriQuint的TGA1073C -SCC是一个两阶段的PA MMIC的
设计采用TriQuint的证明0.25
m
功率pHEMT制
过程，以支持多种毫米波的
应用，包括点至点的数字广播和
点对多点系统。
这两个阶段的设计包括两个400
m
输入
设备驱动四个400
m
输出设备。
该TGA1073C提供输出功率24 dBm的在
1分贝增益压缩和26 dBm的饱和输出
整个36-40 GHz的功率，典型小信号
增益15分贝。
该TGA1073C需要一个最小关断芯片
组件。每个设备100％的DC和RF测试
晶圆上，以确保性能符合性。该
设备是在芯片的形式提供。
典型的表现， 36-40 GHz的
33
点至点收音机
点对多点广播
TGA1073C典型的射频性能（拧紧机）
20
增益和回波损耗（分贝）
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
33
34
35
36
37
38
39
40
S21
S22
S11
41
42
43
频率（GHz ）
TGA1073C典型的射频性能（拧紧机）
50
P1dB
48
46
44
VD = + 5V ， + 6V ， + 7V
42
40
38
IMR3 @ VD = + 6V
36
34
32
30
36
37
38
39
40
41
42
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
输出P1dB为
饱和输出功率
饱和PAE
输出OTOI
IMR3 @ SCL = P1dB为 - 10分贝
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
静态电流
DBM
DBM
%
DBM
dBc的
dB
dB
dB
mA
24
26
23
25
27
22
34
34
-10
-8
-35
26
28
20
225
240
260
频率（GHz ）
1
TriQuint半导体公司德州： （ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
IMR3 @ SCL = P1dB的- 10分贝（ DBC）
输出功率P1dB为@ （DBM ）
参数
小信号增益
增益平坦度
单元的+ 5V电源+ 6V电源+ 7V电源
dB
15
dBpp的
1
产品数据表
TGA1073C-SCC
最大额定值
符号
V
+
I
+
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
4/
5/
参数5 /
正电源电压
正电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度
（30秒）
储存温度
价值
8V
480毫安
23 dBm的
3.84 W
150
0
C
320
0
C
-65到150
0
C
2/ 3/
1/
4/
笔记
总电流为所有阶段。
这些等级适用于每一个人FET 。
结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（T
M
） 。为了获得最大的
寿命，所以建议的结温保持在尽可能低的水平。
该值反映了估计。实际值，会尽快确定插入。
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
DC规格（ 100 ％ ）
(T
A
= 25
°C
+ 5
°C)
笔记
符号
I
DSS1
G
M1
1/
1/
1/
1/
1/
1/
2/
|V
P1
|
|V
P2
|
|V
P3-6
|
|V
BVGD1,2
|
|V
BVGS1
|
测试条件2 /
民
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
40
88
0.5
0.5
0.5
11
11
范围
最大
188
212
1.5
1.5
1.5
30
30
mA
mS
V
V
V
V
V
单位
V
P
, V
BVgd
和V
BVgs
是否定的。
测量条件如有变动，以制造商的自由裁量权（在适当的通知
买方） 。
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产品数据表
TGA1073C-SCC
RF连接特定的阳离子
(T
A
= 25°C + 5°C)
记
TEST
测量
条件
6V @ 240毫安
36 - 39 GHz的
40 GHz的
37 GHz的
38.5 GHz的
40 GHz的
36 - 40 GHz的
36 - 40 GHz的
价值
民
12
9
23
23
21
典型值
15
14
26
26
25
-10
-8
33
最大
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
DBM
单位
1/
小信号
增益幅度
电源输出
AT 1分贝GAIN
压缩
1/
1/
输入回波损耗
大小
输出回波损耗
大小
输出三阶
截距
1/
RF探针数据被取为1 GHz的步骤。
可靠性数据
参数
R
θJC
热阻
（信道的背面
C / P ）
偏置条件
V
D
(V)
I
D
（MA ）
6
240
P
DISS
(W)
1.44
R
θJC
（ C / W ）
32.43
T
CH
(°C)
116.7
T
M
（小时）
2.1 E7
注意：假设共晶连接使用1.5密耳厚的二十〇分之八十○的AuSn安装到20mil粗磨载体在70℃下
底板的温度。没有RF应用最坏的情况，直流电源的100％
消退。
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产品数据表
TGA1073C-SCC
机械特性
7
6
5
1
2
4
8
3
单位：毫米（英寸）
厚度： 0.1016 （ 0.004 ）
芯片边缘到结合焊盘的尺寸示于焊盘的中心
芯片尺寸公差： +/- 0.0508 （ 0.002 ）
焊垫＃ 1
焊盘＃ 2
键垫＃3 ，4，5
键垫＃ 6 ，7，8
（ RF输入）
（ RF输出）
（ VD ）
（ VG ）
0.100 x 0.130 (0.004 x .005)
0.100 x 0.130 (0.004 x .005)
0.100 x 0.100 (0.004 x .004)
0.100 x 0.100 (0.004 x .004)
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产品数据表
TGA1073C-SCC
1
F帽上
电源线
V
G
0.01
F
100pF
100pF
在RF
RF OUT
100pF
100pF
1
F帽上
电源线
0.01
F
V
D
芯片组装和键合图
砷化镓MMIC设备容易受到静电放电损害。适当的预防措施
在搬运，装配和测试来观察。
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