先期产品信息
Ka波段2瓦功率放大器
主要特点及性能
0.25微米pHEMT技术
20分贝标称增益
2W额定噘
-30 dBc的IMR3 @ 26 dBm的SCL
偏7V @ 1.4 A
芯片尺寸5.89毫米X 3.66毫米
TGA1055-EPU
主要应用
LMDS
点至点收音机
卫星地面终端
发布状态
目前航运工程
台样机
EG1055B
偏置测试: VD = 7V ,ID = 1.38A , T = 25℃ ,频率= 29GHz
35
33
输出功率(dBm ) &增益( dB)的
31
29
27
25
23
21
19
17
15
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
输入功率(dBm )
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
功率附加效率( % )
噘
收益
PAE
芯片尺寸5.89毫米X 3.66毫米
初步噘,增益和PAE的数据,在29GHz
注:指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更,恕不另行通知。
TriQuint半导体公司德州:电话( 972 ) 994 8465
传真:( 972 ) 994 8504网址: www.triquint.com
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芯片组装和键合图
回流焊工艺装配注意事项:
金锡( 80/20 )焊料有限暴露在温度等于或高于300
C
合金站或输送机炉还原气氛
无助熔剂应当利用
热膨胀匹配系数为长期可靠性的关键
储存在干燥的氮气氛
元件贴装和粘接剂连接装配注意事项:
真空铅笔和/或真空夹头拾取的优选方法
避免空气桥的位置时
影响力自动放置过程中的关键
有机附件可以在低功率应用中使用
固化应该在对流烘箱中进行;正确的尾气是一个安全问题
微波或辐射固化不应该被使用,因为差是加热
热膨胀匹配系数是关键
互连工艺装配注意事项:
热压球焊是优选的互连技术
力,时间和超声波是关键参数
铝线不应使用
小焊盘尺寸分立FET器件应0.0007英寸线粘合
最高阶段温度: 200
C
砷化镓MMIC设备容易受到静电放电损害。适当的预防措施
在搬运,装配和测试来观察。
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