TFS757-764HG

HiperTFS

家庭

结合双开关正激和反激式电源控制器

集成高压MOSFET的

重点班妮科幻TS

对于双开关正激主，反激式单芯片解决方案

待机

高集成度允许使用更小的外形尺寸和更高的功率

密度设计

集成控制，栅极驱动器，和三个功率

MOSFET的

电平转换技术消除了需要脉冲变压器

保护功能包括：UV ， OV ， OTP ， OCP ， SCP和

变压器复位控制

禁止在所有条件下变压器饱和

允许>50 ％占空比工作

降低初级侧RMS电流和导通损耗

备用电源提供了内置的过载功率补偿

高达434 W的总输出功率，在一个高度紧凑的封装

高达550瓦峰值

高效率的解决方案，轻松实现设计，满足

严格的能效规范

>90 ％的效率在满负荷

无负载调节和低损失以轻负载

简单的夹子安装到散热片，而不需要隔热垫

无卤素，符合RoHS标准

应用

PC

打印机

液晶电视

视频游戏机

高电源适配器

工业和家电大功率适配器

输出功率表

产品

TFS757HG

TFS758HG

TFS759HG

TFS760HG

TFS761HG

TFS762HG

TFS763HG

TFS764HG

表1中。

双开关正向

380 V

连续连续

PEAK

(25 °C)

(50 °C)

(50 °C)

193 W

163 W

228 W

236 W

200 W

278 W

280 W

235 W

309 W

305 W

258 W

358 W

326 W

276 W

383 W

360 W

304 W

407 W

388 W

327 W

455 W

414 W

344 W

530 W

反激式

100 V - 400 V

50 °C

20 W

20 W

20 W

20 W

20 W

20 W

20 W

20 W

输出功率表（请参阅第13页上的说明） 。

主输出

HiperTFS

VDDH

HD

HS

L

D

双开关正激

变压器

辅助/备用

产量

DC

输入

FB

RTN

控制，

栅极驱动器，

电平转换

R

DSB

反激式

变压器

FB

EN

EN

FB

BP

EN

G

S

PI-6200-102910

图1 。

双开关正激和反激式转换器的原理示意图。

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2011年2月

TFS757-764HG

部分名单

描述

.................................................................................................................................................................. 3

产品亮点

...................................................................................................................................................... 3

引脚功能描述

......................................................................................................................................... 5

针Configuration......................................................................................................................................................五

功能框图.....................................................................................................................................6-7

功能说明

............................................................................................................................................... 8

输出功率表............................................................................................................................................... 13

设计，装配和布局的注意事项

.................................................................................................... 14

应用实例

................................................................................................................................................. 20

绝对最大额定值

..................................................................................................................................... 23

参数表..................................................................................................................................................... 23

典型性能特性

.................................................................................................................29-33

包详细信息

........................................................................................................................................................ 34

部分订购Information.........................................................................................................................................

35

最热资讯

......................................................................................................................................... 35

2

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TFS757-764HG

描述

该HiperTFS系列器件包含两个一

大功率双开关正激转换器和一个中等功率

反激式（待机）转换成一个单一的，低调的eSIP

功率封装。该单芯片解决方案提供了控制器

为双开关正向和反激式转换器，高和

低侧驱动器中，所有三个高压功率MOSFET ，

并消除昂贵的外部脉冲转换器的需求

变压器。该器件非常适用于高功率应用

同时需要主功率变换器（双开关正激）

高达414瓦，和备用变换器（回扫）高达20W。

HiperTFS包括Power Integrations的标准集合的理解的

西伯保护功能，比如集成软启动，故障及

过负荷保护，迟滞热关断。

HiperTFS采用先进的功率封装技术，

简化了的双开关正激布局复杂，安装

和热管理，同时提供非常高的功率

功能在一个紧凑的封装。该器件工作

在很宽的输入电压范围，并能跟随一个用于

功率因数校正级，如HiperPFS 。

双开关正向功率转换器通常选择为

苛刻的符合成本效益的高效应用，快速瞬态

对此，准确的耐受线路电压波动。该

掺入HiperTFS双开关转发器

器件通过允许操作上经典的拓扑结构改善

大大高于60 ％的占空比。这一改进降低

RMS电流的导通损耗，减小了尺寸和成本

大容量电容，并最大限度地减少输出二极管的额定电压。

先进的设计还包括变压器磁通复位

控制（饱和保护）和充电恢复开关

高侧MOSFET ，从而降低开关损耗。这

创新的结合产生了一个极其高效的电源

供应较小的MOSFET ，更少的无源和分立

组件，以及更低成本的变压器。

HiperTFS的反激式待机控制器和MOSFET解决方案

根据所使用的非常流行的TinySwitch 技术

十亿功率转换器集成电路，由于其操作的简单性，

轻负载效率，坚固耐用，质量可靠，性能。这

回扫转换器可提供高达输出功率为20W ，并

内置过载功率补偿减少了元件

设计裕量。

可编程电源过压（ OV ）检测;锁定和

非闭锁

精确的迟滞热关断（ OTP ）

准确的可选择的电流限制（主要和备用）

输出过电流保护（ OCP ）

完全集成的软启动的最低启动压力

简单快速AC复位

降低EMI

同步66 kHz的前进和132 kHz的反激式

转换器

频率抖动

消除了多达30个分立元件进行可靠性更高

和更低的成本

非对称双开关正激减少损失

允许>50 ％占空比工作

降低初级侧RMS电流和导通损耗

最大限度地减少了大容量电容器的尺寸和成本

可以减少电容或更长的保持时间

允许以较低的电压输出二极管

变压器复位控制

禁止在所有条件下变压器饱和

延长工作周期，以满足AC周期辍学穿越

占空比软启动与115 ％限流升压

满足2毫秒 20毫秒启动了大电容

产量

输出短路保护（ SCP ）与自动重启动

远程ON / OFF功能

电压模式控制器限流

为20W反激式，可选择功率限制

的TinySwitch -III基于转换器

可选的功率限制（ 10 W， 12.5 W， 15 W，或20 W）

内置过载功率补偿

平过载功率与输入电压

在过载条件下减少了元件的应力

减少所需的设计裕量变压器和输出

二极管

输出过压（ OV ）保护具有快速AC复位

锁存，非锁存或自动重启

自动重启

先进的封装高功率应用

在一个高度紧凑的封装434 W输出端子功率能力

高达550瓦峰值

简单的夹子安装到散热器

可以直接连接到散热器无绝缘垫

提供热相当于一个TO -220阻抗

热片连接到地电位为低EMI

对于电路板走线简单的路由交错的引脚排列

和高电压爬电要求

单电源封装了两个电源转换器降低

组装成本布局大小

产品亮点

受保护的双开关正激和

反激式解决方案组合

包括三个高压功率MOSFET ，主

待机控制器，和栅极驱动器

电平转换技术消除了需要脉冲变压器

可编程输入欠压（ UV）检测可以防止

关断故障

3

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典型的双开关

前锋

33%

<50%

100%

V

O

+ V

D

/D

最大

功能

标称占空比

最大占空比

开关电流（有效值）

输出钳位二极管

HiperTFS

45%

63%

83%

V

O

+ V

D

/D

最大

HiperTFS的优点

更宽的占空比减小RMS 17％切换电流。

降低

DS （ ON）

31％的损失

更低的损耗。更广泛的

最大

降低钳位二极管等级

（ 1-（ 50 ％ / 63 ％ ））=在续流二极管电压降低21 ％

等级

随着快速/慢速二极管相结合，使充电

恢复限制高端

OSS

损失

HiperTFS提供集成的OTP保护装置

提高了工作效率。 MOSFET

DS （ ON）

感消除

需要检测电阻

成本更低;部分消除。移除

高成本的栅极驱动变压器（ EE10或磁环）

节省多达50个组件，这取决于规范。

更安全的设计;容易设计的电源。变平

在线路电压过载输出功率

HiperTFS在满足包装功能安全间距

引脚

无需南港岛线（绝缘）垫

钳位电压

热关断

电流检测电阻器

高端驱动

元件数量

的TinySwitch过载功率

薪酬与输入电压

包装漏电

包装大会

表2中。

从零复位二极管

到V

IN

---

0.5 V的压降（ 0.33

W

at

300 W)

需要栅极驱动器

变压器（成本较高）

更高

---

TO- 220 = 1.17毫米

2× TO-220封装，2-

×南港岛线（绝缘）

从零恢复到

(V

IN

+ 130)

118℃关机/

55 °C的迟滞

检测电阻不

需要

内置高边驱动器

低

内置补偿

eSIP16 / 12 = 2.3毫米/

3.3 mm

1包

HiperTFS和其他典型的高电源之间的差异总结。

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引脚功能描述

主要漏极（D ）引脚

漏低侧MOSFET管正激转换器。

STANDBY漏极（ DSB ）引脚

漏的备用电源MOSFET的。

地（ G）引脚

该引脚提供了一个信号电流通路的基板

低侧控制器。该引脚提供了允许独立

开尔文连接到低侧控制器的与基板

消除可能由高开发的感应电压

开关电流在源极引脚。接地引脚是

并不旨在承载高电流，而不是它的目的是作为一个

电压基准连接只。

源极（S ）引脚

源极引脚是通用的备用和主要

耗材。

RESET （R ）引脚

该引脚提供信息，以限制最大占空比作为

当前馈到复位引脚的过程中关断时间函数

主转换器的MOSFET 。该引脚也可以被上拉至

旁路信号远程开/只的主变流器关闭。

使能（ EN ）引脚

这是ENABLE引脚为备用控制器。前

启动从ENABLE至旁路连接的电阻器，可以是

检测选择了几个内部电流限制之一。

线电压检测（L ）引脚

该引脚提供输入大电压线检测功能。这

信息所使用的欠压和过压

检测电路的主，备用。该引脚还可以

上拉绕过或下拉到的SOURCE

同时实现待机和主要的远程开/关

同时供应。线电压检测引脚工程

与RESET引脚一起使用，以实现一个占空比限制

功能。另外，线电压检测引脚补偿的价值

待机电流限制，以扁平化的输出过载

响应作为输入电压的函数。

反馈（FB ）引脚

该引脚提供反馈主要的两个管正激

转换器。从反馈引脚到电流吸收增加

接地，将导致在工作占空比的减小。该引脚

还选择在启动主设备的电流限制值（以类似的

地ENABLE引脚） 。

图2中。

引脚配置。

旁路（BP ）引脚

这是去耦的工作电压引脚为低侧

控制器。在启动时的旁路电容器从一个带电

内部器件的电流源。在正常操作期间的

电容器电压由汲取电流从维持

低侧偏置绕组上的备用电源。该引脚

也可用于实现远程开/关的主控制器。

这是通过额外的驱动电流进入旁路引脚时完成

我们要开启的主控制器。旁路引脚还

实现了锁断功能禁用待机和主

当BP引脚的电流超过锁定阈值。锁存器

复位时，线电压检测引脚低于UV（关闭）待机

门槛。

高压侧工作电压（ VDDH ）引脚

这是大约为11.5 V.该高侧偏移（VDD）的

电压保持有从高侧偏置电流绕组

在主变压器和/或从一个自举二极管从

低侧待机偏置电源。

高端SOURCE （ HS ）引脚

高边MOSFET的源极引脚。

高侧漏（ HD ）引脚

高边MOSFET的漏极引脚。该MOSFET是浮动的

相对于低侧源极与地之间。

H封装（的eSIP -16 /12）

裸露的金属

（在边缘）

国内

连接的

1

D

3

DSB

5 6 7 8 9 10 11 13 14 16

BP

FB

L

EN

R

S

G

HS

VDDH

HD

HD

HD

HS

S

S

裸露焊盘

（背面）内部

连接到源极

引脚（见的eSIP -16B

包装图）

PI-5290-110510

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