TFMS 5..0
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明）
E
ê MIN
- 辐射阈值（毫瓦/米
2
)
1.0
E
ê MIN
/ E
e
- 相对。 Responsitivity （％）
0.8
2.0
F（ E） = F
0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
0.7
94 8143
0.6
0.4
0.2
0.0
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
f / f
0
- 相对频率
f = f
0
5%
D
F（3 dB为单位） = F
0
/ 10
＆ QUOT ;
0.0
94 8147
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
- 干扰场强（千伏/米）
响应度图1.频率依赖性
1200
t
po
- 输出脉冲宽度（
m
s )
1000
800
600
400
200
0
0.1
94 8145
图4.灵敏度与电场干扰
100
f = f
0
10
10千赫
1
100赫兹
输入突发的持续时间
l
= 950纳米，光学测试信号，图7
E
ê MIN
- 辐射阈值（毫瓦/米
2
)
0.1
1.0
10.0
100.0
94 8148
0.1
1
10
100
1000
E
e
- 辐射（毫瓦/米
2
)
D
V
均方根 -
交流电压的直流电源电压（MV ）
图2.灵敏度在黑暗环境
100.0
相关性与环境光源
（扰动效应） ： 1号0W / m2的1.4 KLX
（ Stand.illum.A ， T = 2855 K） 8.2 KLX
（日光， T = 5900 K）
10.0
图5.灵敏度与电源电压的干扰
1.0
0.8
感光度在黑暗的环境
E
ê MIN
- 辐射阈值（毫瓦/米
2
)
^
^
E
ê MIN
- 辐射阈值（毫瓦/米
2
)
100.0
94 8149
0.6
0.4
0.2
0.0
–30
1.0
环境，
l
= 950 nm的
0.1
0.01
0.1
1.0
10.0
0
30
60
90
94 8146
- 辐射（W / M
2
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.灵敏度在明亮的环境
图6.灵敏度与环境温度
得力风根半导体
牧师A4 ， 15 -JUL- 96
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