TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
日前，Vishay
半导体
快速红外收发器模块系列
（ FIR ， 4兆位/秒）为2.6 V至5.5 V操作
描述
该
TFDU6101E,
TFDS6401,
TFDS6501E,
TFDT6501E是一个系列低功耗红外
收发器模块符合IrDA标准
快速红外数据通信，支持IrDA功能
速度高达4.0兆比特/秒（ FIR ） ， HP- SIR ，夏普ASK
和运营商的远程控制模式，高达2 MHz 。
内部集成的收发器模块中的照片
PIN二极管，一个红外发射器（ IRED ） ，和一个
低功耗CMOS控制IC ，以提供一个总
在单个封装中的前端溶液。
威世德律风根的FIR收发器可用
4封装选项，包括我们的娃娃脸
包（ TFDU610xE ） ，标准设置，一旦
最小的FIR收发器可在市场上。这
广泛的选择提供了灵活性，适用于各种
应用程序和空间的限制。该收发器
能够与各种各样的直接连接的
哪进行调制的I / O设备/
解调
功能，
INCLUDING
国
安森美半导体的PC87338 ， PC87108和PC87109 ，
SMC的FDC37C669 ， FDC37N769和CAM35C44 ，
而日立的SH3 。在最低限度，限流
电阻器串联在红外发射器和一个
V
CC
旁路电容是唯一的外部
组件需要实现一个完整的
的解决方案。
特点
D
符合了IrDA物理层标准
（最多4个兆比特/秒） ，
HP- SIR
夏普ASK
和电视遥控器
D
对于3.0 V和5.0 V应用
D
从2.6 V至5.5 V范围内工作规范，
运营降至2.4 V
D
低功耗（3 mA电源电流）
D
功耗关断模式（ 1
mA
关断电流）
D
四表面贴装封装选项
–
通用（ 9.7
×
4.7
×
4.0 mm)
–
侧视图（ 13.0
×
5.95
×
5.3 mm)
–
顶视图（ 13.0
×
7.6
×
5.95 mm)
–
德古拉（ 11.2
×
5.6
×
2.2 mm)
D
推挽接收器输出，接地
关断模式
D
高效率发射
D
娃娃脸（通用）封装能力
表面贴装焊接到侧面和顶视图
方向
D
直接与各种超级I / O接口和
控制器设备
D
内置EMI保护 - 无需外部屏蔽
必要
D
所需的外部元件数
D
落后的引脚对引脚兼容于所有威世
德律风根SIR和FIR红外收发器
D
分体式供电，发射器和接收器可以
从两个电源以轻松操作
要求，从而节省成本
应用
D
笔记本电脑，台式电脑，
掌上电脑（基于Win CE ，掌上电脑） ，掌上电脑
D
数码相机与摄像机
D
打印机，传真机，复印机，
屏幕投影机
D
通讯产品
（移动电话，寻呼机）
D
互联网电视盒，视频会议系统
D
外部红外适配器（加密狗）
D
医疗和工业数据采集设备
文档编号82525
牧师B1.6 ， 02 -NOV- 00
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
日前，Vishay
半导体
封装选项
TFDU6101E
娃娃脸（环球）
重量0.20克
TFDS6401
德古拉侧视图
重量0.30克
TFDS6501E
SIDE VIEW
重量0.39克
TFDT6501E
顶视图
重量0.39克
订购信息
产品型号
TFDU6101E–TR4
TFDU6101E–TT4
TFDS6401–TR3
TFDS6501E–TR4
TFDT6501E–TR4
数量/卷
1000件
1000件
1000件
750个
750个
描述
面向中载带的侧视图表面贴装
导向为顶视图表面贴装载带
SIDE VIEW
SIDE VIEW
顶视图
功能框图
V
CC
司机
扩音器
比较
RXD
红外发光二极管的阳极
SD /模式
TXD
开漏驱动器
AGC
逻辑
红外发光二极管的阴极
GND
图1.功能框图
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半导体
引脚说明
引脚数
“U”和“T”选项“S”选项
1
8
功能
红外发光二极管的阳极
Descri化
描述
I / O
活跃
2
3
4
1
7
2
5
6
7
6
3
5
8
4
IRED的阳极，将外部连接
到V
CC
通过电流控制电阻器。
该引脚允许从供应
不受控制的电源分离
从受控V
CC
供应
红外发光二极管阴极IRED阴极，内部连接到
驱动晶体管
TXD
发送数据输入
RXD
收到的数据输出，推挽式CMOS
驱动器输出能够驱动一个标了
准CMOS或TTL负载。无需外部
上拉或下拉电阻器是必需的。
销被切换到地时
器件处于关断模式
SD /模式
关机/模式
V
CC
电源电压
模式
高：高速模式;
低：低速模式，只SIR
（见“模式切换” ）
GND
地
I
O
高
低
I
I
高
“U”选项娃娃脸（环球）
与德古拉
IRED
探测器
“S”选项侧视图
“T”选项顶视图
IRED
探测器
14885
IRED
探测器
图2. Pinnings
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
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半导体
绝对最大额定值
参考点引脚： GND ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
电源电压范围，
收发器
电源电压范围，
发射机
输入电流
输出吸收电流
功耗
结温
环境温度
范围（工作）
储存温度
范围
焊接温度
测试条件
0 V <V
CC2
<6 V
0 V <V
CC1
<6 V
所有引脚，除了IRED
阳极销
见降额曲线
P
D
T
J
T
AMB
T
英镑
见推荐焊接
轮廓（参见图11）
I
IRED
（DC）的
I
IRED
（ RP ）
V
IREDA
V
TXD
V
RXD
d
– 0.5
– 0.5
– 0.5
2.5
2.8
320
符号
V
CC1
V
CC2
分钟。
– 0.5
– 0.5
典型值。
马克斯。
6
6
10
25
350
125
+85
+85
240
130
600
6
V
CC1
+0.5
V
CC1
+0.5
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
mA
mA
V
V
V
mm
毫瓦/ SR
–25
–25
平均输出电流
重复脉冲输出<90
s,
t
on
<20%
当前
红外发光二极管的阳极电压
发送数据输入
电压
接收数据输出
电压
虚拟源大小
方法：
（ 1-1 / E）的能量包围
最大强度的
EN60825 ， 1997年，
第1类操作的
单向操作，
IEC825-1或EN60825-1最坏情况下的测试模式
（最坏情况下的IrDA FIR
脉冲模式）
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文档编号82525
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
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半导体
电气特性
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 2.6V到5.5V ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
收发器
电源电压
动态电源电流
测试条件/销
符号
V
CC
分钟。
2.6
典型值。
马克斯。
5.5
单位
V
待机电源电流
工作温度
范围
输出电压低
输出电压高
输入电压低
（ TXD ， SD /模，模）
在UT
输入电压高
（ TXD ， SD /模，模）
输入漏电流
（ TXD ， SD /模式）
输入漏电流，
模式
输入电容
*)
**)
只接收模式。
在发射模式下，对于IRED电流增加额外的85毫安（典型值）
SD =低，E
e
= 0 KLX
I
CC
3
4.5
SD =低，E
e
= 1 KLX * ）
I
CC
3
4.5
SD =高，
I
SD
模式=浮动，
T为25 ° C，E
e
= 0 KLX
1
T为25 ° C，E
e
= 1 KLX * ）
1.5
SD =高， T = 85 ℃，
I
SD
5
模式=浮动，
没有环境光
敏感
T
A
–25
+85
R
负载
= 2.2千瓦，
C
负载
= 15 pF的
R
负载
= 2.2千瓦，
C
负载
= 15 pF的
V
OL
V
OH
V
IL
CMOS电平** ）
TTL电平，V
CC
≥
4.5 V
V
IH
V
IH
I
L
I
L
C
I
V
CC
–0.5
0
0.9× V
CC
2.4
–10
–80
0.8
0.5
0.8
mA
mA
A
A
A
°C
V
V
V
V
V
A
A
pF
+10
+80
5
标准光源A
典型的阈值电平是0.5× V之间
CC/2
(V
CC
= 3 V）和0.4× V
CC
(V
CC
= 5.5 V) .
它建议使用指定的最小/最大值，以避免增大工作电流。
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
日前，Vishay
半导体
快速红外收发器模块系列
（ FIR ， 4兆位/秒）为2.6 V至5.5 V操作
描述
该
TFDU6101E,
TFDS6401,
TFDS6501E,
TFDT6501E是一个系列低功耗红外
收发器模块符合IrDA标准
快速红外数据通信，支持IrDA功能
速度高达4.0兆比特/秒（ FIR ） ， HP- SIR ，夏普ASK
和运营商的远程控制模式，高达2 MHz 。
内部集成的收发器模块中的照片
PIN二极管，一个红外发射器（ IRED ） ，和一个
低功耗CMOS控制IC ，以提供一个总
在单个封装中的前端溶液。
威世德律风根的FIR收发器可用
4封装选项，包括我们的娃娃脸
包（ TFDU610xE ） ，标准设置，一旦
最小的FIR收发器可在市场上。这
广泛的选择提供了灵活性，适用于各种
应用程序和空间的限制。该收发器
能够与各种各样的直接连接的
哪进行调制的I / O设备/
解调
功能，
INCLUDING
国
安森美半导体的PC87338 ， PC87108和PC87109 ，
SMC的FDC37C669 ， FDC37N769和CAM35C44 ，
而日立的SH3 。在最低限度，限流
电阻器串联在红外发射器和一个
V
CC
旁路电容是唯一的外部
组件需要实现一个完整的
的解决方案。
特点
D
符合了IrDA物理层标准
（最多4个兆比特/秒） ，
HP- SIR
夏普ASK
和电视遥控器
D
对于3.0 V和5.0 V应用
D
从2.6 V至5.5 V范围内工作规范，
运营降至2.4 V
D
低功耗（3 mA电源电流）
D
功耗关断模式（ 1
mA
关断电流）
D
四表面贴装封装选项
–
通用（ 9.7
×
4.7
×
4.0 mm)
–
侧视图（ 13.0
×
5.95
×
5.3 mm)
–
顶视图（ 13.0
×
7.6
×
5.95 mm)
–
德古拉（ 11.2
×
5.6
×
2.2 mm)
D
推挽接收器输出，接地
关断模式
D
高效率发射
D
娃娃脸（通用）封装能力
表面贴装焊接到侧面和顶视图
方向
D
直接与各种超级I / O接口和
控制器设备
D
内置EMI保护 - 无需外部屏蔽
必要
D
所需的外部元件数
D
落后的引脚对引脚兼容于所有威世
德律风根SIR和FIR红外收发器
D
分体式供电，发射器和接收器可以
从两个电源以轻松操作
要求，从而节省成本
应用
D
笔记本电脑，台式电脑，
掌上电脑（基于Win CE ，掌上电脑） ，掌上电脑
D
数码相机与摄像机
D
打印机，传真机，复印机，
屏幕投影机
D
通讯产品
（移动电话，寻呼机）
D
互联网电视盒，视频会议系统
D
外部红外适配器（加密狗）
D
医疗和工业数据采集设备
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半导体
封装选项
TFDU6101E
娃娃脸（环球）
重量0.20克
TFDS6401
德古拉侧视图
重量0.30克
TFDS6501E
SIDE VIEW
重量0.39克
TFDT6501E
顶视图
重量0.39克
订购信息
产品型号
TFDU6101E–TR4
TFDU6101E–TT4
TFDS6401–TR3
TFDS6501E–TR4
TFDT6501E–TR4
数量/卷
1000件
1000件
1000件
750个
750个
描述
面向中载带的侧视图表面贴装
导向为顶视图表面贴装载带
SIDE VIEW
SIDE VIEW
顶视图
功能框图
V
CC
司机
扩音器
比较
RXD
红外发光二极管的阳极
SD /模式
TXD
开漏驱动器
AGC
逻辑
红外发光二极管的阴极
GND
图1.功能框图
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半导体
引脚说明
引脚数
“U”和“T”选项“S”选项
1
8
功能
红外发光二极管的阳极
Descri化
描述
I / O
活跃
2
3
4
1
7
2
5
6
7
6
3
5
8
4
IRED的阳极，将外部连接
到V
CC
通过电流控制电阻器。
该引脚允许从供应
不受控制的电源分离
从受控V
CC
供应
红外发光二极管阴极IRED阴极，内部连接到
驱动晶体管
TXD
发送数据输入
RXD
收到的数据输出，推挽式CMOS
驱动器输出能够驱动一个标了
准CMOS或TTL负载。无需外部
上拉或下拉电阻器是必需的。
销被切换到地时
器件处于关断模式
SD /模式
关机/模式
V
CC
电源电压
模式
高：高速模式;
低：低速模式，只SIR
（见“模式切换” ）
GND
地
I
O
高
低
I
I
高
“U”选项娃娃脸（环球）
与德古拉
IRED
探测器
“S”选项侧视图
“T”选项顶视图
IRED
探测器
14885
IRED
探测器
图2. Pinnings
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日前，Vishay
半导体
绝对最大额定值
参考点引脚： GND ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
电源电压范围，
收发器
电源电压范围，
发射机
输入电流
输出吸收电流
功耗
结温
环境温度
范围（工作）
储存温度
范围
焊接温度
测试条件
0 V <V
CC2
<6 V
0 V <V
CC1
<6 V
所有引脚，除了IRED
阳极销
见降额曲线
P
D
T
J
T
AMB
T
英镑
见推荐焊接
轮廓（参见图11）
I
IRED
（DC）的
I
IRED
（ RP ）
V
IREDA
V
TXD
V
RXD
d
– 0.5
– 0.5
– 0.5
2.5
2.8
320
符号
V
CC1
V
CC2
分钟。
– 0.5
– 0.5
典型值。
马克斯。
6
6
10
25
350
125
+85
+85
240
130
600
6
V
CC1
+0.5
V
CC1
+0.5
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
mA
mA
V
V
V
mm
毫瓦/ SR
–25
–25
平均输出电流
重复脉冲输出<90
s,
t
on
<20%
当前
红外发光二极管的阳极电压
发送数据输入
电压
接收数据输出
电压
虚拟源大小
方法：
（ 1-1 / E）的能量包围
最大强度的
EN60825 ， 1997年，
第1类操作的
单向操作，
IEC825-1或EN60825-1最坏情况下的测试模式
（最坏情况下的IrDA FIR
脉冲模式）
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
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半导体
电气特性
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 2.6V到5.5V ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
收发器
电源电压
动态电源电流
测试条件/销
符号
V
CC
分钟。
2.6
典型值。
马克斯。
5.5
单位
V
待机电源电流
工作温度
范围
输出电压低
输出电压高
输入电压低
（ TXD ， SD /模，模）
在UT
输入电压高
（ TXD ， SD /模，模）
输入漏电流
（ TXD ， SD /模式）
输入漏电流，
模式
输入电容
*)
**)
只接收模式。
在发射模式下，对于IRED电流增加额外的85毫安（典型值）
SD =低，E
e
= 0 KLX
I
CC
3
4.5
SD =低，E
e
= 1 KLX * ）
I
CC
3
4.5
SD =高，
I
SD
模式=浮动，
T为25 ° C，E
e
= 0 KLX
1
T为25 ° C，E
e
= 1 KLX * ）
1.5
SD =高， T = 85 ℃，
I
SD
5
模式=浮动，
没有环境光
敏感
T
A
–25
+85
R
负载
= 2.2千瓦，
C
负载
= 15 pF的
R
负载
= 2.2千瓦，
C
负载
= 15 pF的
V
OL
V
OH
V
IL
CMOS电平** ）
TTL电平，V
CC
≥
4.5 V
V
IH
V
IH
I
L
I
L
C
I
V
CC
–0.5
0
0.9× V
CC
2.4
–10
–80
0.8
0.5
0.8
mA
mA
A
A
A
°C
V
V
V
V
V
A
A
pF
+10
+80
5
标准光源A
典型的阈值电平是0.5× V之间
CC/2
(V
CC
= 3 V）和0.4× V
CC
(V
CC
= 5.5 V) .
它建议使用指定的最小/最大值，以避免增大工作电流。
文档编号82525
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
日前，Vishay
半导体
快速红外收发器模块系列
（ FIR ， 4兆位/秒）为2.6 V至5.5 V操作
描述
该
TFDU6101E,
TFDS6401,
TFDS6501E,
TFDT6501E是一个系列低功耗红外
收发器模块符合IrDA标准
快速红外数据通信，支持IrDA功能
速度高达4.0兆比特/秒（ FIR ） ， HP- SIR ，夏普ASK
和运营商的远程控制模式，高达2 MHz 。
内部集成的收发器模块中的照片
PIN二极管，一个红外发射器（ IRED ） ，和一个
低功耗CMOS控制IC ，以提供一个总
在单个封装中的前端溶液。
威世德律风根的FIR收发器可用
4封装选项，包括我们的娃娃脸
包（ TFDU610xE ） ，标准设置，一旦
最小的FIR收发器可在市场上。这
广泛的选择提供了灵活性，适用于各种
应用程序和空间的限制。该收发器
能够与各种各样的直接连接的
哪进行调制的I / O设备/
解调
功能，
INCLUDING
国
安森美半导体的PC87338 ， PC87108和PC87109 ，
SMC的FDC37C669 ， FDC37N769和CAM35C44 ，
而日立的SH3 。在最低限度，限流
电阻器串联在红外发射器和一个
V
CC
旁路电容是唯一的外部
组件需要实现一个完整的
的解决方案。
特点
D
符合了IrDA物理层标准
（最多4个兆比特/秒） ，
HP- SIR
夏普ASK
和电视遥控器
D
对于3.0 V和5.0 V应用
D
从2.6 V至5.5 V范围内工作规范，
运营降至2.4 V
D
低功耗（3 mA电源电流）
D
功耗关断模式（ 1
mA
关断电流）
D
四表面贴装封装选项
–
通用（ 9.7
×
4.7
×
4.0 mm)
–
侧视图（ 13.0
×
5.95
×
5.3 mm)
–
顶视图（ 13.0
×
7.6
×
5.95 mm)
–
德古拉（ 11.2
×
5.6
×
2.2 mm)
D
推挽接收器输出，接地
关断模式
D
高效率发射
D
娃娃脸（通用）封装能力
表面贴装焊接到侧面和顶视图
方向
D
直接与各种超级I / O接口和
控制器设备
D
内置EMI保护 - 无需外部屏蔽
必要
D
所需的外部元件数
D
落后的引脚对引脚兼容于所有威世
德律风根SIR和FIR红外收发器
D
分体式供电，发射器和接收器可以
从两个电源以轻松操作
要求，从而节省成本
应用
D
笔记本电脑，台式电脑，
掌上电脑（基于Win CE ，掌上电脑） ，掌上电脑
D
数码相机与摄像机
D
打印机，传真机，复印机，
屏幕投影机
D
通讯产品
（移动电话，寻呼机）
D
互联网电视盒，视频会议系统
D
外部红外适配器（加密狗）
D
医疗和工业数据采集设备
文档编号82525
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
日前，Vishay
半导体
封装选项
TFDU6101E
娃娃脸（环球）
重量0.20克
TFDS6401
德古拉侧视图
重量0.30克
TFDS6501E
SIDE VIEW
重量0.39克
TFDT6501E
顶视图
重量0.39克
订购信息
产品型号
TFDU6101E–TR4
TFDU6101E–TT4
TFDS6401–TR3
TFDS6501E–TR4
TFDT6501E–TR4
数量/卷
1000件
1000件
1000件
750个
750个
描述
面向中载带的侧视图表面贴装
导向为顶视图表面贴装载带
SIDE VIEW
SIDE VIEW
顶视图
功能框图
V
CC
司机
扩音器
比较
RXD
红外发光二极管的阳极
SD /模式
TXD
开漏驱动器
AGC
逻辑
红外发光二极管的阴极
GND
图1.功能框图
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
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半导体
引脚说明
引脚数
“U”和“T”选项“S”选项
1
8
功能
红外发光二极管的阳极
Descri化
描述
I / O
活跃
2
3
4
1
7
2
5
6
7
6
3
5
8
4
IRED的阳极，将外部连接
到V
CC
通过电流控制电阻器。
该引脚允许从供应
不受控制的电源分离
从受控V
CC
供应
红外发光二极管阴极IRED阴极，内部连接到
驱动晶体管
TXD
发送数据输入
RXD
收到的数据输出，推挽式CMOS
驱动器输出能够驱动一个标了
准CMOS或TTL负载。无需外部
上拉或下拉电阻器是必需的。
销被切换到地时
器件处于关断模式
SD /模式
关机/模式
V
CC
电源电压
模式
高：高速模式;
低：低速模式，只SIR
（见“模式切换” ）
GND
地
I
O
高
低
I
I
高
“U”选项娃娃脸（环球）
与德古拉
IRED
探测器
“S”选项侧视图
“T”选项顶视图
IRED
探测器
14885
IRED
探测器
图2. Pinnings
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TFDU6101E/TFDS6401/TFDS6501E/TFDT6501E
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半导体
绝对最大额定值
参考点引脚： GND ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
电源电压范围，
收发器
电源电压范围，
发射机
输入电流
输出吸收电流
功耗
结温
环境温度
范围（工作）
储存温度
范围
焊接温度
测试条件
0 V <V
CC2
<6 V
0 V <V
CC1
<6 V
所有引脚，除了IRED
阳极销
见降额曲线
P
D
T
J
T
AMB
T
英镑
见推荐焊接
轮廓（参见图11）
I
IRED
（DC）的
I
IRED
（ RP ）
V
IREDA
V
TXD
V
RXD
d
– 0.5
– 0.5
– 0.5
2.5
2.8
320
符号
V
CC1
V
CC2
分钟。
– 0.5
– 0.5
典型值。
马克斯。
6
6
10
25
350
125
+85
+85
240
130
600
6
V
CC1
+0.5
V
CC1
+0.5
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
mA
mA
V
V
V
mm
毫瓦/ SR
–25
–25
平均输出电流
重复脉冲输出<90
s,
t
on
<20%
当前
红外发光二极管的阳极电压
发送数据输入
电压
接收数据输出
电压
虚拟源大小
方法：
（ 1-1 / E）的能量包围
最大强度的
EN60825 ， 1997年，
第1类操作的
单向操作，
IEC825-1或EN60825-1最坏情况下的测试模式
（最坏情况下的IrDA FIR
脉冲模式）
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半导体
电气特性
T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 2.6V到5.5V ，除非另有说明。
典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
参数
收发器
电源电压
动态电源电流
测试条件/销
符号
V
CC
分钟。
2.6
典型值。
马克斯。
5.5
单位
V
待机电源电流
工作温度
范围
输出电压低
输出电压高
输入电压低
（ TXD ， SD /模，模）
在UT
输入电压高
（ TXD ， SD /模，模）
输入漏电流
（ TXD ， SD /模式）
输入漏电流，
模式
输入电容
*)
**)
只接收模式。
在发射模式下，对于IRED电流增加额外的85毫安（典型值）
SD =低，E
e
= 0 KLX
I
CC
3
4.5
SD =低，E
e
= 1 KLX * ）
I
CC
3
4.5
SD =高，
I
SD
模式=浮动，
T为25 ° C，E
e
= 0 KLX
1
T为25 ° C，E
e
= 1 KLX * ）
1.5
SD =高， T = 85 ℃，
I
SD
5
模式=浮动，
没有环境光
敏感
T
A
–25
+85
R
负载
= 2.2千瓦，
C
负载
= 15 pF的
R
负载
= 2.2千瓦，
C
负载
= 15 pF的
V
OL
V
OH
V
IL
CMOS电平** ）
TTL电平，V
CC
≥
4.5 V
V
IH
V
IH
I
L
I
L
C
I
V
CC
–0.5
0
0.9× V
CC
2.4
–10
–80
0.8
0.5
0.8
mA
mA
A
A
A
°C
V
V
V
V
V
A
A
pF
+10
+80
5
标准光源A
典型的阈值电平是0.5× V之间
CC/2
(V
CC
= 3 V）和0.4× V
CC
(V
CC
= 5.5 V) .
它建议使用指定的最小/最大值，以避免增大工作电流。
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