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订购数量: ENN7281A
TF222
N沟道结型FET
TF222
电容式麦克风的应用
初步
特点
包装尺寸
单位:mm
2207A
[TF222]
顶视图
1.4
0.3
特别适合于在驻极体电容器用
麦克风。
超小型封装允许TF222应用
套制成小巧玲珑。
优良的电压特性。
良好的瞬态特性。
采用FBET过程。
SIDE VIEW
0.1
1.4
0.25
3
0.3
1
0.45
2
0.2
SIDE VIEW
底部视图
0.07
0.07
0.8
3
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 :排水
2 :源
3 :门
三洋: SSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
2
1
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V( BR ) GDO
VGS (关闭)
IDSS
YFS
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 2V ,ID = 1μA
VDS = 2V , VGS = 0
VDS = 2V , VGS = 0 , F = 1kHz时
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
条件
评级
--20
-
-0.1
140*
0.5
5.0
1.1
--1.0
350*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*:本TF222分类由IDSS如下:(单位:
A)
IDSS
B4
140 240
B5
210 350
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
90503 TS IM / O3002 TS IM TA- 3621 No.7281-1 / 4
TF222
从接下页。
参数
符号
条件
评级
典型值
--2.0
--0.6
0.7
--102
--2.0
--1.0
最大
单位
[大= 25°C, VCC = 2.0V , RL =采用2.2kΩ , Cin的= 5pF的,请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
G
Vf
THD
VNO
F = 1kHz时, VIN = 10mV的
F = 1kHz时, VIN = 10mV的, VCC = 2 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
F = 1kHz时, VIN = 30mV的
VIN = 0 ,曲线
dB
dB
dB
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
2.2k
VCC=2V
VCC=1.5V
5pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
输出阻抗
400
ID - VDS
400
ID - VDS
漏极电流ID -
A
VGS=0
漏极电流ID -
A
300
300
VGS=0
200
200
--0.1V
100
--0.1V
100
--0.2V
--0.2V
--0.4V
0
0
1
2
3
4
--0.3V
0
5
IT04743
500
0
0.5
1.0
--0.4V
1.5
--0.3V
2.0
IT04744
漏极至源极电压VDS - V
500
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
VDS=2V
VDS=2V
400
400
漏极电流ID -
A
300
漏极电流ID -
A
300
50
A
25
0
A
15
0
A
200
200
100
100
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IT04745
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
Ta
=7
5
°
C
25
°
C
--2
5
°
C
0
IT04746
栅极 - 源极电压VGS - V
ID
S
S =3
栅极 - 源极电压VGS - V
No.7281-2/4
TF222
0.7
VGS (关闭) - IDSS
正向转移导纳,
y
fs - 质谱
VDS=2V
ID=1A
2.0
y
fs - ID
VDS=2V
VGS=0
f=1kHz
截止电压, VGS (关闭) - V
0.6
1.8
1.6
0.5
1.4
0.4
1.2
0.3
1.0
0.2
0.8
0.6
0.1
0
100
200
300
400
500
IT04747
0
100
200
300
400
500
IT04748
漏极电流IDSS -
A
2
漏极电流IDSS -
A
5
西塞 - VDS
CRSS - VDS
反向传输电容,的Crss - pF的
输入电容,西塞 - pF的
3
10
7
5
2
1.0
7
5
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
漏极至源极电压VDS - V
--0.5
--1.0
10
IT04749
7
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
GV - IDSS
漏极至源极电压VDS - V
降低电压特性,
G
VV - 分贝
0
G
VV - IDSS
10
IT04750
7
电压增益GV - 分贝
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
0
GV : VCC = 2V
VIN=10mV
f=1kHz
RL=2.2k
Cin=5pF
IDSS : VDS = 2V
--0.2
G
VV : VCC = 2V → 1.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS : VDS = 2V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
100
200
300
400
500
IT04752
100
200
300
400
500
IT04751
120
漏极电流IDSS -
A
1.2
THD - IDSS
漏极电流IDSS -
A
PD - TA
允许功耗, PD - 毫瓦
0
100
200
300
400
500
IT04753
总谐波失真THD - %
1.0
100
0.8
80
0.6
60
0.4
40
0.2
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极电流IDSS -
A
环境温度,钽 -
°C
ITR02650
No.7281-3/4
TF222
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的9月, 2003年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.7281-4 / 4
订购数量: ENN7281A
TF222
N沟道结型FET
TF222
电容式麦克风的应用
初步
特点
包装尺寸
单位:mm
2207A
[TF222]
顶视图
1.4
0.3
特别适合于在驻极体电容器用
麦克风。
超小型封装允许TF222应用
套制成小巧玲珑。
优良的电压特性。
良好的瞬态特性。
采用FBET过程。
SIDE VIEW
0.1
1.4
0.25
3
0.3
1
0.45
2
0.2
SIDE VIEW
底部视图
0.07
0.07
0.8
3
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 :排水
2 :源
3 :门
三洋: SSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
2
1
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V( BR ) GDO
VGS (关闭)
IDSS
YFS
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 2V ,ID = 1μA
VDS = 2V , VGS = 0
VDS = 2V , VGS = 0 , F = 1kHz时
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
条件
评级
--20
-
-0.1
140*
0.5
5.0
1.1
--1.0
350*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*:本TF222分类由IDSS如下:(单位:
A)
IDSS
B4
140 240
B5
210 350
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
90503 TS IM / O3002 TS IM TA- 3621 No.7281-1 / 4
TF222
从接下页。
参数
符号
条件
评级
典型值
--2.0
--0.6
0.7
--102
--2.0
--1.0
最大
单位
[大= 25°C, VCC = 2.0V , RL =采用2.2kΩ , Cin的= 5pF的,请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
G
Vf
THD
VNO
F = 1kHz时, VIN = 10mV的
F = 1kHz时, VIN = 10mV的, VCC = 2 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
F = 1kHz时, VIN = 30mV的
VIN = 0 ,曲线
dB
dB
dB
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
2.2k
VCC=2V
VCC=1.5V
5pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
输出阻抗
400
ID - VDS
400
ID - VDS
漏极电流ID -
A
VGS=0
漏极电流ID -
A
300
300
VGS=0
200
200
--0.1V
100
--0.1V
100
--0.2V
--0.2V
--0.4V
0
0
1
2
3
4
--0.3V
0
5
IT04743
500
0
0.5
1.0
--0.4V
1.5
--0.3V
2.0
IT04744
漏极至源极电压VDS - V
500
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
VDS=2V
VDS=2V
400
400
漏极电流ID -
A
300
漏极电流ID -
A
300
50
A
25
0
A
15
0
A
200
200
100
100
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IT04745
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
Ta
=7
5
°
C
25
°
C
--2
5
°
C
0
IT04746
栅极 - 源极电压VGS - V
ID
S
S =3
栅极 - 源极电压VGS - V
No.7281-2/4
TF222
0.7
VGS (关闭) - IDSS
正向转移导纳,
y
fs - 质谱
VDS=2V
ID=1A
2.0
y
fs - ID
VDS=2V
VGS=0
f=1kHz
截止电压, VGS (关闭) - V
0.6
1.8
1.6
0.5
1.4
0.4
1.2
0.3
1.0
0.2
0.8
0.6
0.1
0
100
200
300
400
500
IT04747
0
100
200
300
400
500
IT04748
漏极电流IDSS -
A
2
漏极电流IDSS -
A
5
西塞 - VDS
CRSS - VDS
反向传输电容,的Crss - pF的
输入电容,西塞 - pF的
3
10
7
5
2
1.0
7
5
3
2
1.0
0.1
2
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5
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1.0
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漏极至源极电压VDS - V
--0.5
--1.0
10
IT04749
7
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漏极至源极电压VDS - V
降低电压特性,
G
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0
G
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10
IT04750
7
电压增益GV - 分贝
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
0
GV : VCC = 2V
VIN=10mV
f=1kHz
RL=2.2k
Cin=5pF
IDSS : VDS = 2V
--0.2
G
VV : VCC = 2V → 1.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS : VDS = 2V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
100
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IT04752
100
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IT04751
120
漏极电流IDSS -
A
1.2
THD - IDSS
漏极电流IDSS -
A
PD - TA
允许功耗, PD - 毫瓦
0
100
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300
400
500
IT04753
总谐波失真THD - %
1.0
100
0.8
80
0.6
60
0.4
40
0.2
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极电流IDSS -
A
环境温度,钽 -
°C
ITR02650
No.7281-3/4
TF222
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的9月, 2003年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.7281-4 / 4
订购数量: ENN7281A
TF222
N沟道结型FET
TF222
电容式麦克风的应用
初步
特点
包装尺寸
单位:mm
2207A
[TF222]
顶视图
1.4
0.3
特别适合于在驻极体电容器用
麦克风。
超小型封装允许TF222应用
套制成小巧玲珑。
优良的电压特性。
良好的瞬态特性。
采用FBET过程。
SIDE VIEW
0.1
1.4
0.25
3
0.3
1
0.45
2
0.2
SIDE VIEW
底部视图
0.07
0.07
0.8
3
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 :排水
2 :源
3 :门
三洋: SSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
2
1
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V( BR ) GDO
VGS (关闭)
IDSS
YFS
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 2V ,ID = 1μA
VDS = 2V , VGS = 0
VDS = 2V , VGS = 0 , F = 1kHz时
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
条件
评级
--20
-
-0.1
140*
0.5
5.0
1.1
--1.0
350*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*:本TF222分类由IDSS如下:(单位:
A)
IDSS
B4
140 240
B5
210 350
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
90503 TS IM / O3002 TS IM TA- 3621 No.7281-1 / 4
TF222
从接下页。
参数
符号
条件
评级
典型值
--2.0
--0.6
0.7
--102
--2.0
--1.0
最大
单位
[大= 25°C, VCC = 2.0V , RL =采用2.2kΩ , Cin的= 5pF的,请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
G
Vf
THD
VNO
F = 1kHz时, VIN = 10mV的
F = 1kHz时, VIN = 10mV的, VCC = 2 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
F = 1kHz时, VIN = 30mV的
VIN = 0 ,曲线
dB
dB
dB
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
2.2k
VCC=2V
VCC=1.5V
5pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
输出阻抗
400
ID - VDS
400
ID - VDS
漏极电流ID -
A
VGS=0
漏极电流ID -
A
300
300
VGS=0
200
200
--0.1V
100
--0.1V
100
--0.2V
--0.2V
--0.4V
0
0
1
2
3
4
--0.3V
0
5
IT04743
500
0
0.5
1.0
--0.4V
1.5
--0.3V
2.0
IT04744
漏极至源极电压VDS - V
500
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
VDS=2V
VDS=2V
400
400
漏极电流ID -
A
300
漏极电流ID -
A
300
50
A
25
0
A
15
0
A
200
200
100
100
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IT04745
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
Ta
=7
5
°
C
25
°
C
--2
5
°
C
0
IT04746
栅极 - 源极电压VGS - V
ID
S
S =3
栅极 - 源极电压VGS - V
No.7281-2/4
TF222
0.7
VGS (关闭) - IDSS
正向转移导纳,
y
fs - 质谱
VDS=2V
ID=1A
2.0
y
fs - ID
VDS=2V
VGS=0
f=1kHz
截止电压, VGS (关闭) - V
0.6
1.8
1.6
0.5
1.4
0.4
1.2
0.3
1.0
0.2
0.8
0.6
0.1
0
100
200
300
400
500
IT04747
0
100
200
300
400
500
IT04748
漏极电流IDSS -
A
2
漏极电流IDSS -
A
5
西塞 - VDS
CRSS - VDS
反向传输电容,的Crss - pF的
输入电容,西塞 - pF的
3
10
7
5
2
1.0
7
5
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
漏极至源极电压VDS - V
--0.5
--1.0
10
IT04749
7
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
GV - IDSS
漏极至源极电压VDS - V
降低电压特性,
G
VV - 分贝
0
G
VV - IDSS
10
IT04750
7
电压增益GV - 分贝
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
0
GV : VCC = 2V
VIN=10mV
f=1kHz
RL=2.2k
Cin=5pF
IDSS : VDS = 2V
--0.2
G
VV : VCC = 2V → 1.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS : VDS = 2V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
100
200
300
400
500
IT04752
100
200
300
400
500
IT04751
120
漏极电流IDSS -
A
1.2
THD - IDSS
漏极电流IDSS -
A
PD - TA
允许功耗, PD - 毫瓦
0
100
200
300
400
500
IT04753
总谐波失真THD - %
1.0
100
0.8
80
0.6
60
0.4
40
0.2
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极电流IDSS -
A
环境温度,钽 -
°C
ITR02650
No.7281-3/4
TF222
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的9月, 2003年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.7281-4 / 4
订购数量: ENN7281A
TF222
N沟道结型FET
TF222
电容式麦克风的应用
初步
特点
包装尺寸
单位:mm
2207A
[TF222]
顶视图
1.4
0.3
特别适合于在驻极体电容器用
麦克风。
超小型封装允许TF222应用
套制成小巧玲珑。
优良的电压特性。
良好的瞬态特性。
采用FBET过程。
SIDE VIEW
0.1
1.4
0.25
3
0.3
1
0.45
2
0.2
SIDE VIEW
底部视图
0.07
0.07
0.8
3
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 :排水
2 :源
3 :门
三洋: SSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
2
1
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V( BR ) GDO
VGS (关闭)
IDSS
YFS
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 2V ,ID = 1μA
VDS = 2V , VGS = 0
VDS = 2V , VGS = 0 , F = 1kHz时
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
条件
评级
--20
-
-0.1
140*
0.5
5.0
1.1
--1.0
350*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*:本TF222分类由IDSS如下:(单位:
A)
IDSS
B4
140 240
B5
210 350
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
90503 TS IM / O3002 TS IM TA- 3621 No.7281-1 / 4
TF222
从接下页。
参数
符号
条件
评级
典型值
--2.0
--0.6
0.7
--102
--2.0
--1.0
最大
单位
[大= 25°C, VCC = 2.0V , RL =采用2.2kΩ , Cin的= 5pF的,请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
G
Vf
THD
VNO
F = 1kHz时, VIN = 10mV的
F = 1kHz时, VIN = 10mV的, VCC = 2 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
F = 1kHz时, VIN = 30mV的
VIN = 0 ,曲线
dB
dB
dB
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
2.2k
VCC=2V
VCC=1.5V
5pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
输出阻抗
400
ID - VDS
400
ID - VDS
漏极电流ID -
A
VGS=0
漏极电流ID -
A
300
300
VGS=0
200
200
--0.1V
100
--0.1V
100
--0.2V
--0.2V
--0.4V
0
0
1
2
3
4
--0.3V
0
5
IT04743
500
0
0.5
1.0
--0.4V
1.5
--0.3V
2.0
IT04744
漏极至源极电压VDS - V
500
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
VDS=2V
VDS=2V
400
400
漏极电流ID -
A
300
漏极电流ID -
A
300
50
A
25
0
A
15
0
A
200
200
100
100
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IT04745
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
Ta
=7
5
°
C
25
°
C
--2
5
°
C
0
IT04746
栅极 - 源极电压VGS - V
ID
S
S =3
栅极 - 源极电压VGS - V
No.7281-2/4
TF222
0.7
VGS (关闭) - IDSS
正向转移导纳,
y
fs - 质谱
VDS=2V
ID=1A
2.0
y
fs - ID
VDS=2V
VGS=0
f=1kHz
截止电压, VGS (关闭) - V
0.6
1.8
1.6
0.5
1.4
0.4
1.2
0.3
1.0
0.2
0.8
0.6
0.1
0
100
200
300
400
500
IT04747
0
100
200
300
400
500
IT04748
漏极电流IDSS -
A
2
漏极电流IDSS -
A
5
西塞 - VDS
CRSS - VDS
反向传输电容,的Crss - pF的
输入电容,西塞 - pF的
3
10
7
5
2
1.0
7
5
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
漏极至源极电压VDS - V
--0.5
--1.0
10
IT04749
7
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
GV - IDSS
漏极至源极电压VDS - V
降低电压特性,
G
VV - 分贝
0
G
VV - IDSS
10
IT04750
7
电压增益GV - 分贝
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
0
GV : VCC = 2V
VIN=10mV
f=1kHz
RL=2.2k
Cin=5pF
IDSS : VDS = 2V
--0.2
G
VV : VCC = 2V → 1.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS : VDS = 2V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
100
200
300
400
500
IT04752
100
200
300
400
500
IT04751
120
漏极电流IDSS -
A
1.2
THD - IDSS
漏极电流IDSS -
A
PD - TA
允许功耗, PD - 毫瓦
0
100
200
300
400
500
IT04753
总谐波失真THD - %
1.0
100
0.8
80
0.6
60
0.4
40
0.2
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极电流IDSS -
A
环境温度,钽 -
°C
ITR02650
No.7281-3/4
TF222
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品(包括技术参数和服务)的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制,
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段,电子或
机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,而不三洋电机有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠,但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的9月, 2003年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS No.7281-4 / 4
订购数量: ENN7281A
TF222
N沟道结型FET
TF222
电容式麦克风的应用
初步
特点
包装尺寸
单位:mm
2207A
[TF222]
顶视图
1.4
0.3
特别适合于在驻极体电容器用
麦克风。
超小型封装允许TF222应用
套制成小巧玲珑。
优良的电压特性。
良好的瞬态特性。
采用FBET过程。
SIDE VIEW
0.1
1.4
0.25
3
0.3
1
0.45
2
0.2
SIDE VIEW
底部视图
0.07
0.07
0.8
3
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 :排水
2 :源
3 :门
三洋: SSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
2
1
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V( BR ) GDO
VGS (关闭)
IDSS
YFS
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 2V ,ID = 1μA
VDS = 2V , VGS = 0
VDS = 2V , VGS = 0 , F = 1kHz时
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
VDS = 2V ,V GS = 0中,f = 1MHz的
条件
评级
--20
-
-0.1
140*
0.5
5.0
1.1
--1.0
350*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*:本TF222分类由IDSS如下:(单位:
A)
IDSS
B4
140 240
B5
210 350
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
90503 TS IM / O3002 TS IM TA- 3621 No.7281-1 / 4
TF222
从接下页。
参数
符号
条件
评级
典型值
--2.0
--0.6
0.7
--102
--2.0
--1.0
最大
单位
[大= 25°C, VCC = 2.0V , RL =采用2.2kΩ , Cin的= 5pF的,请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
G
Vf
THD
VNO
F = 1kHz时, VIN = 10mV的
F = 1kHz时, VIN = 10mV的, VCC = 2 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
F = 1kHz时, VIN = 30mV的
VIN = 0 ,曲线
dB
dB
dB
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
2.2k
VCC=2V
VCC=1.5V
5pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
输出阻抗
400
ID - VDS
400
ID - VDS
漏极电流ID -
A
VGS=0
漏极电流ID -
A
300
300
VGS=0
200
200
--0.1V
100
--0.1V
100
--0.2V
--0.2V
--0.4V
0
0
1
2
3
4
--0.3V
0
5
IT04743
500
0
0.5
1.0
--0.4V
1.5
--0.3V
2.0
IT04744
漏极至源极电压VDS - V
500
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
VDS=2V
VDS=2V
400
400
漏极电流ID -
A
300
漏极电流ID -
A
300
50
A
25
0
A
15
0
A
200
200
100
100
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IT04745
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
Ta
=7
5
°
C
25
°
C
--2
5
°
C
0
IT04746
栅极 - 源极电压VGS - V
ID
S
S =3
栅极 - 源极电压VGS - V
No.7281-2/4
TF222
0.7
VGS (关闭) - IDSS
正向转移导纳,
y
fs - 质谱
VDS=2V
ID=1A
2.0
y
fs - ID
VDS=2V
VGS=0
f=1kHz
截止电压, VGS (关闭) - V
0.6
1.8
1.6
0.5
1.4
0.4
1.2
0.3
1.0
0.2
0.8
0.6
0.1
0
100
200
300
400
500
IT04747
0
100
200
300
400
500
IT04748
漏极电流IDSS -
A
2
漏极电流IDSS -
A
5
西塞 - VDS
CRSS - VDS
反向传输电容,的Crss - pF的
输入电容,西塞 - pF的
3
10
7
5
2
1.0
7
5
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
漏极至源极电压VDS - V
--0.5
--1.0
10
IT04749
7
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
GV - IDSS
漏极至源极电压VDS - V
降低电压特性,
G
VV - 分贝
0
G
VV - IDSS
10
IT04750
7
电压增益GV - 分贝
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
0
GV : VCC = 2V
VIN=10mV
f=1kHz
RL=2.2k
Cin=5pF
IDSS : VDS = 2V
--0.2
G
VV : VCC = 2V → 1.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS : VDS = 2V
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
100
200
300
400
500
IT04752
100
200
300
400
500
IT04751
120
漏极电流IDSS -
A
1.2
THD - IDSS
漏极电流IDSS -
A
PD - TA
允许功耗, PD - 毫瓦
0
100
200
300
400
500
IT04753
总谐波失真THD - %
1.0
100
0.8
80
0.6
60
0.4
40
0.2
20
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
漏极电流IDSS -
A
环境温度,钽 -
°C
ITR02650
No.7281-3/4
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