UTC TF202
电容话筒
应用
特点
*超小尺寸的封装允许TF202 appliedses到
进行小巧玲珑。
*特别适合于音频，电话电容器使用
麦克风。
*优异的电压charactristic 。
*优异的瞬态特性。
*采用FBET过程。
N沟道JFET
2
1
3
SOT-113
1 ：源
2 ：排水
3.门
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
门漏极电压
栅电流
漏电流
功耗
Junctin温度
储存温度
符号
V
GDO
I
G
I
D
P
D
Tj
T
英镑
等级
-20
10
1
100
150
-55~+150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
门漏极击穿电压
门源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
符号
B
（ BR ） GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
lY
FS
l
C
国际空间站
C
RSS
测试条件
I
G
=-100A
V
DS
=5V,I
D
=1A
V
DS
=5V,V
GS
=0
V
DS
=5V,V
GS
=0,f=1KHz
V
DS
=5V,V
GS
=0,f=1MHz
V
DS
=5V,V
GS
=0,f=1MHz
民
-20
-0.2
140
0.5
典型值
-0.6
1.2
3.5
0.65
最大
-1.2
500
单位
V
V
A
mS
pF
pF
分类我
DSS
秩
I
DSS
(A)
E4
140-240
E5
210-350
E6
320-500
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R210-001,A
UTC TF202
测试电路（ TA = 25 ° C）
N沟道JFET
参数
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出电阻
总谐波失真
输出噪声电压
符号
Gv
ΔGvV
ΔGvf
Z
IN
Z
O
THD
V
NO
测试条件
V
IN
= 10mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 10mV的中，f = 1KHz的，
Vcc=4.5V→1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1KHz
f=1KHz
V
IN
= 30mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 0 ，曲线
民
典型值
-3
-1.2
最大
-3.5
-1
单位
dB
dB
dB
M
%
dB
25
700
1
-110
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R210-001,A
订购数量： ENN7554
TF202
N沟道结型FET
TF202
电容式麦克风的应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2207A
[TF202]
顶视图
1.4
0.3
特别适合于在驻极体电容器用
麦克风。
超小型封装允许TF202
应用组要作出小巧玲珑。
优良的电压特性。
良好的瞬态特性。
采用FBET过程。
SIDE VIEW
0.1
1.4
0.25
3
0.3
1
0.45
2
0.2
底部视图
3
0.6
0.8
0.07
0.07
SIDE VIEW
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 ：排水
2 ：源
3 ：门
三洋： SSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
2
1
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
零栅极电压漏极电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） GDO
VGS （关闭）
IDSS
yfs
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 5V ， ID = 1μA
VDS = 5V ， VGS = 0
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1kHz时
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
条件
评级
民
--20
-
-0.2
140*
0.5
1.2
3.5
0.65
--0.6
--1.2
500*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*：本TF202分类由IDSS如下：（单位：
A)
秩
IDSS
E4
140 240
E5
210 350
E6
320 500
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
82903 TS IM TA- 100524 No.7554-1 / 4
TF202
从接下页。
参数
符号
条件
评级
民
典型值
--3.0
--1.2
25
1000
1.0
--110
--3.5
--1.0
最大
单位
[大= 25°C， VCC = 4.5V ， RL = 1kΩ的， Cin的= 15pF的，请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出电阻
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
ΔGvf
寻
ZO
THD
VNO
VIN = 10mV的， F = 1kHz时
VIN = 10mV的中，f = 1kHz时， VCC = 4.5 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1kHz
f=1kHz
VIN = 30mV的， F = 1kHz时
VIN = 0 ，曲线
dB
dB
dB
m
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
1k
VCC=4.5V
VCC=1.5V
15pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
输出阻抗
400
ID - VDS
400
ID - VDS
VGS=0
漏极电流ID -
A
300
漏极电流ID -
A
VGS=0
300
--0.1V
200
--0.1V
200
--0.2V
100
--0.2V
100
--0.3V
--0.5V
--0.4V
--0.3V
--0.5V
--0.4V
8
10
IT05908
600
0
0
1
2
3
4
5
IT05907
600
0
0
2
4
6
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
VDS=5V
VDS=5V
漏极电流ID -
A
400
400
200
Ta
5
=7
°
C
200
0
20
--2
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IT05909
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
5
°
C
25
A
°
C
0
--0.2
0
IT05910
栅极 - 源极电压VGS - V
栅极 - 源极电压VGS - V
No.7554-2/4
漏极电流ID -
A
ID
S
40
S =50
30
0
A
0
A
0
A
TF202
1100
ZO - IDSS
输出噪声电压， VNO - 分贝
--110
VNO - IDSS
VNO ： VCC = 4.5V
的VIN = 0时， ACurve
RL=1.0k
IDSS ： VDS = 5.0V
输出阻抗， ZO -
1000
ZO ： VCC = 4.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
--112
--114
900
--116
800
--118
700
7
100
2
3
5
7
--120
漏极电流IDSS -
A
1000
IT05919
120
7
100
2
3
5
7
3
THD - VIN
漏极电流IDSS -
A
1000
IT05920
PD - TA
总谐波失真THD - ％
2
允许功耗， PD - 毫瓦
THD ： VCC = 4.5V
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
100
10
7
5
3
2
ID
40
=1
SS
A
A
250
A
400
80
60
40
1.0
7
5
0
40
80
120
160
200
240
ITR02649
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
输入电压VIN - 毫伏
环境温度，钽 -
°C
ITR02650
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的8月， 2003年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7554-4 / 4
2.0A快恢复整流二极管
TF201 - TF207
FR201 - FR207
2.0A快恢复整流二极管
特点
在2A低正向压降
高电流能力
高可靠性
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证： 250 ℃/ 10秒
/.0375"设计（9.5mm ）引线长度， 5磅（ 2.3公斤）张力
符合RoHS标准
DO-15
机械数据
案例：
环氧树脂：
终端：
极性：
重量：
DO -15，模制塑料
UL 94V- 0率阻燃
轴向引线，焊每MIL -STD- 202方法208保证
颜色频带端为负极
0.40克
最大额定值和电气特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
符号
描述
TF
201
FR
201
50
35
50
TF
202
FR
202
100
70
100
TF
203
FR
203
200
140
200
TF
204
FR
204
400
280
400
2.0
TF
205
FR
205
600
420
600
TF
206
FR
206
800
560
800
TF
207
FR
207
1000
700
1000
单位
条件
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
最高重复
峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断
电压
最大平均
正向整流
当前
峰值正向浪涌
当前
V
V
V
A
TA = 55℃
8.3ms单半
正弦波
叠加
额定负荷（ JEDEC
法）
I
FSM
60
A
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话：
传真：
（ 800 ） -TAITRON （ 800 ） -824-8766
（ 800 ） -TAITFAX （ 800 ） -824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本B / AH 2008-04-29
第1页4
2.0A快恢复整流二极管
TF201 - TF207 / FR201 -FR207
符号
描述
TF
201
FR
201
TF
202
FR
202
TF
203
FR
203
TF
204
FR
204
1.3
5.0
A
100
150
30
-55到+125
°C
-55到+150
250
500
nS
pF
T
A
=100° C
I
F
= 0.5A ，我
R
=1A,
I
rr
=0.25A
V
R
= 4V ， F = 1MHz的
TF
205
FR
205
TF
206
FR
206
TF
207
FR
207
单位
条件
V
F
最大
瞬时
正向电压
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
典型的反向
恢复时间
典型结
电容
操作
温度范围
储存温度
范围
V
I
F
= 2.0 A
T
A
=25° C
I
R
T
rr
C
J
T
J
T
英镑
典型特性曲线
图1 -Max的。正向电流降额曲线
图2 -Max的。非重复正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
正向平均整流电流
(A)
环境温度T
a
(°C)
循环次数在60Hz
版本B / AH 2008-04-29
www.taitroncomponents.com
第2页4
2.0A快恢复整流二极管
TF201 - TF207 / FR201 -FR207
FIG.3-典型正向特性
FIG.4-典型结电容
连接点
电容（pF）
正向电流
(A)
反向电压（ V）
正向电压（ V）
尺寸以英寸（毫米）
DO-15
版本B / AH 2008-04-29
www.taitroncomponents.com
第3页4
2.0A快恢复整流二极管
TF201 - TF207 / FR201 -FR207
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKAWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON COMPONETS Incorporated电子REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON COMPONETS INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
版本B / AH 2008-04-29
www.taitroncomponents.com
第4页4
UTC TF202
电容话筒
应用
特点
*超小尺寸的封装允许TF202 appliedses到
进行小巧玲珑。
*特别适合于音频，电话电容器使用
麦克风。
*优异的电压charactristic 。
*优异的瞬态特性。
*采用FBET过程。
N沟道JFET
2
1
3
SOT-113
1 ：源
2 ：排水
3.门
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
门漏极电压
栅电流
漏电流
功耗
Junctin温度
储存温度
符号
V
GDO
I
G
I
D
P
D
Tj
T
英镑
等级
-20
10
1
100
150
-55~+150
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
门漏极击穿电压
门源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
符号
B
（ BR ） GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
lY
FS
l
C
国际空间站
C
RSS
测试条件
I
G
=-100A
V
DS
=5V,I
D
=1A
V
DS
=5V,V
GS
=0
V
DS
=5V,V
GS
=0,f=1KHz
V
DS
=5V,V
GS
=0,f=1MHz
V
DS
=5V,V
GS
=0,f=1MHz
民
-20
-0.2
140
0.5
典型值
-0.6
1.2
3.5
0.65
最大
-1.2
500
单位
V
V
A
mS
pF
pF
分类我
DSS
秩
I
DSS
(A)
E4
140-240
E5
210-350
E6
320-500
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R210-001,A
UTC TF202
测试电路（ TA = 25 ° C）
N沟道JFET
参数
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出电阻
总谐波失真
输出噪声电压
符号
Gv
ΔGvV
ΔGvf
Z
IN
Z
O
THD
V
NO
测试条件
V
IN
= 10mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 10mV的中，f = 1KHz的，
Vcc=4.5V→1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1KHz
f=1KHz
V
IN
= 30mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 0 ，曲线
民
典型值
-3
-1.2
最大
-3.5
-1
单位
dB
dB
dB
M
%
dB
25
700
1
-110
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R210-001,A
订购数量： ENN7554
TF202
N沟道结型FET
TF202
电容式麦克风的应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2207A
[TF202]
顶视图
1.4
0.3
特别适合于在驻极体电容器用
麦克风。
超小型封装允许TF202
应用组要作出小巧玲珑。
优良的电压特性。
良好的瞬态特性。
采用FBET过程。
SIDE VIEW
0.1
1.4
0.25
3
0.3
1
0.45
2
0.2
底部视图
3
0.6
0.8
0.07
0.07
SIDE VIEW
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极电压
栅电流
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VGDO
IG
ID
PD
Tj
TSTG
条件
1 ：排水
2 ：源
3 ：门
三洋： SSFP
单位
--20
10
1
100
150
--55到150
V
mA
mA
mW
°C
°C
2
1
评级
电气特性
在TA = 25℃
参数
栅极 - 漏极耐压
截止电压
零栅极电压漏极电流
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） GDO
VGS （关闭）
IDSS
yfs
西塞
CRSS
IG=--100A
VDS = 5V ， ID = 1μA
VDS = 5V ， VGS = 0
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1kHz时
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
VDS = 5V ， VGS = 0 ， F = 1MHz的
条件
评级
民
--20
-
-0.2
140*
0.5
1.2
3.5
0.65
--0.6
--1.2
500*
典型值
最大
单位
V
V
A
mS
pF
pF
接下页。
*：本TF202分类由IDSS如下：（单位：
A)
秩
IDSS
E4
140 240
E5
210 350
E6
320 500
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
82903 TS IM TA- 100524 No.7554-1 / 4
TF202
从接下页。
参数
符号
条件
评级
民
典型值
--3.0
--1.2
25
1000
1.0
--110
--3.5
--1.0
最大
单位
[大= 25°C， VCC = 4.5V ， RL = 1kΩ的， Cin的= 15pF的，请参阅指定的测试电路。 ]
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出电阻
总谐波失真
输出噪声电压
GV
G
VV
ΔGvf
寻
ZO
THD
VNO
VIN = 10mV的， F = 1kHz时
VIN = 10mV的中，f = 1kHz时， VCC = 4.5 → 1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1kHz
f=1kHz
VIN = 30mV的， F = 1kHz时
VIN = 0 ，曲线
dB
dB
dB
m
%
dB
测试电路
电压增益
频率特性
失真
降低电压特性
1k
VCC=4.5V
VCC=1.5V
15pF
33F
+
VTVM V
OSC
THD
B一
输出阻抗
400
ID - VDS
400
ID - VDS
VGS=0
漏极电流ID -
A
300
漏极电流ID -
A
VGS=0
300
--0.1V
200
--0.1V
200
--0.2V
100
--0.2V
100
--0.3V
--0.5V
--0.4V
--0.3V
--0.5V
--0.4V
8
10
IT05908
600
0
0
1
2
3
4
5
IT05907
600
0
0
2
4
6
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
漏极至源极电压VDS - V
ID - VGS
VDS=5V
VDS=5V
漏极电流ID -
A
400
400
200
Ta
5
=7
°
C
200
0
20
--2
0
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
IT05909
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
5
°
C
25
A
°
C
0
--0.2
0
IT05910
栅极 - 源极电压VGS - V
栅极 - 源极电压VGS - V
No.7554-2/4
漏极电流ID -
A
ID
S
40
S =50
30
0
A
0
A
0
A
TF202
1100
ZO - IDSS
输出噪声电压， VNO - 分贝
--110
VNO - IDSS
VNO ： VCC = 4.5V
的VIN = 0时， ACurve
RL=1.0k
IDSS ： VDS = 5.0V
输出阻抗， ZO -
1000
ZO ： VCC = 4.5V
VIN=10mV
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
--112
--114
900
--116
800
--118
700
7
100
2
3
5
7
--120
漏极电流IDSS -
A
1000
IT05919
120
7
100
2
3
5
7
3
THD - VIN
漏极电流IDSS -
A
1000
IT05920
PD - TA
总谐波失真THD - ％
2
允许功耗， PD - 毫瓦
THD ： VCC = 4.5V
f=1kHz
IDSS ： VDS = 5.0V
100
10
7
5
3
2
ID
40
=1
SS
A
A
250
A
400
80
60
40
1.0
7
5
0
40
80
120
160
200
240
ITR02649
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
输入电压VIN - 毫伏
环境温度，钽 -
°C
ITR02650
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为SANYO产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但
无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的
第三方或其他权利。
该目录规定的8月， 2003年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7554-4 / 4
STF202-22
USB上行端口过滤& TVS
对于EMI滤波和ESD保护
目标 - 2000年3月3日
＆放大器;
STF202-30
电话： 805-498-2111传真： 805-498-3804网址： HTTP ： //www.semtech.com
描述
该STF202是一个组合的EMI滤波器和线
集成TVS二极管用于终端设备
上游USB端口。它是用一个构造
专有技术，使无源元件
与TVS二极管被集成在同一个包。
每个设备都会提供
终止，过滤
和
ESD保护
对于一个上行USB端口。该
STF202是会议一个容易实现的解决方案
通用串行的版本1.1的要求
总线规范。
USB线路终端，实现与22Ω串联或
30Ω电阻上的两个D +和D-的USB线。这些
电阻器匹配的保持信号的完整性
电缆阻抗的差分驱动器的。该
1.5kΩ上拉电阻就完成了终端电路
在每一行上。这个电阻是需要由USB
规范来识别设备，可以是全
速度（连接到D +线）或低速（连接
到D线）的设备。在47pF的电容用于
旁路高频能量到地面和边缘
所述USB信号的速率的控制。最后， STF202
包含两个（ ESD保护TVS二极管D + &
D-）的数据线和电压总线（Ⅴ
公共汽车
） 。在TVS
二极管提供ESD电压，有效的抑制
超过15千伏（空气放电），并具有8kV（接触
放电）符合IEC 1000-4-2 ， 4级。
小尺寸和STF202的集成特征
最大限度地减少所需的电路板空间，并增加系统
可靠性。该STF202适用于USB集线器使用，
计算机，外围设备和便携设备。
特点
双向EMI / RFI滤波和线路终端
集成ESD保护
USB电源的ESD保护（V
公共汽车
）和数据
线（D + & D-）来
IEC 1000-4-2 4级
过滤和终止两个USB数据线
不同的串联电阻为阻抗匹配
TVS低工作电压（ 5.25V ）
低漏电流
小型SOT- 23封装6L
固态技术
机械特性
EIAJ SOT- 23 6L封装
模塑料FL可燃性等级：UL 94V- 0
标识：标识代码
包装：磁带和卷轴每EIA 481
应用
USB集线器
便携式电子产品
蜂窝手机
外设
服务器，台式机，笔记本电脑和掌上电脑
电脑
订购信息
产品型号
STF202-22.TC
STF202-30.TC
系列
电阻器
22
30
QTY PER
REEL
3,000
3,000
带尺寸
7”
7”
组件值
系列
电阻器
(R
S
)
STF202-22
STF202-30
公差
22
30
±10%
撩
电阻器
(R
PU
)
1.5k
1.5k
±10%
终止
电容
(C)
47
47
±20%
示意图&引脚CON组fi guration
SOT- 23 6L （顶视图）
2000 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
STF202-22
USB上行端口过滤& TVS
对于EMI滤波和ESD保护
目标 - 2000年3月3日
＆放大器;
STF202-30
最大额定值
等级
稳态功率
符合IEC 1000-4-2 ESD空气放电
符合IEC 1000-4-2 ESD接触放电
引线焊接温度（ 10秒）
工作温度
储存温度
符号
P
V
PP
V
PP
T
L
T
英镑
T
j
价值
100
16
10
260
-40到+125
-55到+150
单位
mW
kV
kV
°C
°C
°C
电气特性（T = 25℃除非另有说明）
STF202-xx
参数
TVS反向对峙电压
TVS的反向击穿电压
TVS反向漏电流
符号
V
RWM
V
BR
I
R
I
t
= 1毫安
V
RWM
= 5.25V ，T = 25°C
V之间
公共汽车
引脚和
地
V
RWM
= 3.3V ，T = 25°C
任何数据之间
（D + ， D-）引脚与地
I / O引脚之间
gnd时，每个设备都
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
每一行
每一行
每一行
每一行
I / O引脚之间
gnd时，每行
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
20
27
1.35
10
6
5
条件
最低
公称
最大
5.25
单位
V
V
A
TVS反向漏电流
I
R
1
A
总TVS结电容
C
j
pF
串联电阻
(STF202-22)
串联电阻
(STF202-30)
上拉电阻
电容
总电容
R
S
R
S
R
UP
C
C
合计
22
30
1.5
47
60
24
33
1.65
k
pF
pF
标记代码
产品型号标识代码
STF202-22
STF202-30
222
230
2000 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
STF202-22
USB上行端口过滤& TVS
对于EMI滤波和ESD保护
目标 - 2000年3月3日
＆放大器;
STF202-30
典型特征
ESD钳位（ 8kV接触）
ESD钳位（ 15kV气隙放电）
插入损耗特性
模拟串扰（ D +到D-）
0分贝
0分贝
-20分贝
-10分贝
-60分贝
-20分贝
0.030MHz
2.0GHz
0.030兆赫
1 GHz的
2000 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
STF202-22
USB上行端口过滤& TVS
对于EMI滤波和ESD保护
目标 - 2000年3月3日
＆放大器;
STF202-30
应用信息
设备连接
该STF202旨在提供终止，EMI
滤波和ESD保护两个USB I / O线。该
等效电路图示于图1中。
装置连接，如下所示：
1.全速设备：
对于全速设备
上拉电阻被连接到D +线。销1
连接到所述电压电源线（Ⅴ
公共汽车
） 。该
D +线的输入被路由到销3和出
销4的D-线的输入端被连接在端子2
并且在销5引脚6的输出被连接到
地面上。
图1 - STF202电路图
.
低速设备：
对于低速设备
上拉电阻被连接到D-线。销1
连接到所述电压电源线（Ⅴ
公共汽车
） 。该
D-线的输入端被连接在销3与
输出取自销4 D +线的输入是
连接到管脚2和输出是在销5 6脚
被连接到地。
图2 - STF202连接图
（全速设备）
1
2
3
6
5
4
USB端口设计注意事项
通用串行总线（USB）规范要求
终止和滤波元件进行适当的
操作。此外，开放的USB插座是
容易受到过量的有害静电放电
15kV的。这些放电可以在数据可能出现
线或电压总线。该STF202是一种容易
实施解决方案，旨在满足终止
USB规范& EMI滤波器的要求
1.1版本。它还提供ESD保护符合IEC
61000-4-2第4级。
一个简化的USB端口被示于图3中的USB线
终端实现与两个串联电阻
D +和D-线路。这些电阻保持信号
通过匹配的电缆阻抗到的完整性
差分驱动器。 15KΩ下拉电阻是用来
确定一个下行端口，而上游端口
确定一个1.5KΩ上拉电阻上无论是D +
（全速设备）或D- （低速设备）数据
线。电容器被用来绕过高频
能量到地面并为USB的边沿速率控制
信号。 TVS二极管增加了ESD保护
两者（ D）+（ & D-）的数据线和电压总线（Ⅴ
公共汽车
). A
配电开关和稳压器提供
端口的电源管理功能。
Semtech公司提供了一个完整的解决方案，以简化USB
端口的设计（图4） 。该STF201 & STF202
整合所有组分所必需的行
终端，双向EMI滤波和ESD
保护下游（ STF201 ）或上游
（ STF202 ）端口。该SC5826是一款双端口电源
交换机，可提供个人或伙同口
开关，故障报告和浪涌电流限制
由USB规范要求。在SC5205 ULDO
提供稳定的电压给USB控制器。
电路板布局&布局指南。
设计一个USB集线器，以满足EMI &静电放电抗扰度
要求要求的最佳组合
元件布局，走线布线，以及优秀的电路
设计实践。一些通用的准则，给出
如下：
避免在D + D- &信号线走线靠近高
速度时钟线或类似的信号线。
避免靠近板的关键信号线
边缘。
找到附近的USB USB控制器芯片
连接器。
放置STF202 USB连接到近
限制瞬态耦合。
尽量减少USB之间的路径长度
连接器和STF202
2000 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
STF202-22
USB上行端口过滤& TVS
对于EMI滤波和ESD保护
目标 - 2000年3月3日
＆放大器;
STF202-30
应用信息
图3 - USB端口组成部分
图4 - 典型的USB集线器设计
2000 SEMTECH CORP 。
652 MITCHELL ROAD Newbury Park的CA 91320
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
TF202
N沟道JFET电容
麦克风应用
描述
在UTC
TF202
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。此装置适用于在电容器麦克风的使用
应用程序。
N沟道JFET
特点
*适用于音频，电话电容话筒。
*良好的电压特性。
*良好的瞬态特性。
订购信息
订购数量
无铅
无卤
TF202L-x-AC3-R
TF202G-x-AC3-R
TF202L-x-AE3-R
TF202G-x-AE3-R
TF202L-x-AN3-R
TF202G-x-AN3-R
包
SOT-113
SOT-23
SOT-523
引脚分配
1
2
3
S
D
G
S
D
G
S
D
G
填料
带盘
带盘
带盘
记号
TF202-E4
TF202-E5
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R210-001.F
TF202
绝对最大额定值
( T
A
= 25° С ，除非另有规定）
参数
门漏极电压
栅电流
漏电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
GDO
I
G
I
D
P
D
T
J
T
英镑
N沟道JFET
等级
-20
10
1
100
150
-55~+150
单位
V
mA
mA
mW
°С
°С
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
门漏极击穿电压
门源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
电压增益
降低电压特性
频率特性
输入阻抗
输出电阻
总谐波失真
输出噪声电压
符号
BV
GDO
V
GS （ OFF ）
I
DSS
lYFSl
C
国际空间站
C
RSS
G
V
△G
VV
△G
Vf
Z
IN
Z
O
THD
V
NO
测试条件
I
G
=-100μA
V
DS
= 5V ，我
D
=1μA
V
DS
=5V, V
GS
=0
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1KHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
=5V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
IN
= 10mV的， F = 1KHz的
V
IN
= 10mV的中，f = 1KHz时，V
CC
=4.5V→1.5V
F = 1kHz至110Hz
f=1KHz
f=1KHz
V
IN
= 30mV的， F = 1KHz的
V
IN
=0
民
-20
-0.2
140
0.5
典型最大单位
V
-0.6 -1.2
V
350
μA
1.2
mS
3.5
pF
0.65
pF
-3
dB
-1.2 -3.5
dB
-1
dB
MΩ
700
1
%
-110分贝
25
分类我
DSS
秩
范围
E4
140-240
E5
210-350
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R210-001.F
TF202
测试电路
(T
A
=25°C)
N沟道JFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R210-001.F
TF202
典型特征
N沟道JFET
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R210-001.F
QQ：2881677436 复制
