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TESDS5V0ALC
督导二极管结构ESD保护阵列
小信号二极管
SOT-26
特点
会见IEC61000-4-2 （ ESD ）具有±15kV （空气） ，具有±8kV （接触）
会见IEC61000-4-4 （ EFT ）的评级。 40A （ 5 / 50s ）
会见IEC61000-4-5 （闪电）的评级。 24A （ 8 / 20μS ）
保护四个高速I / O线
工作电压： 5V
无铅版本，符合RoHS标准，及无卤素
单位（mm ）
民
2.80
1.50
0.30
1.80
2.65
最大
3.00
1.70
0.50
2.00
2.95
单位（英寸）
民
0.110
0.059
0.012
0.071
0.104
最大
0.118
0.067
0.020
0.079
0.112
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
机械数据
案例： SOT- 26标准封装，注塑
终端：雾锡电镀，无铅，焊
每MIL -STD- 202方法202保证
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒
模塑料可燃性等级： UL 94V -O
重量： 16毫克（大约）
标记代号：Y B05
1.05
1.15
0.575 REF
0.041 0.045
0.022 REF
应用
USB电源&数据线路保护
笔记本电脑，台式机，服务器和视频图形卡
显示器和佛罗里达州的显示器
便携式仪表
机顶盒
销Configutation
6
IO#4
5
VDD
4
IO#3
订购信息
产品型号
包
填料
包装标识代码
RFG
B05
TESDS5V0ALC SOT- 26 3K / 7"卷轴
1
IO#1
2
GND
3
IO#2
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
最大额定值
类型编号
峰值脉冲功率（ TP = 8 /20μS波形）
峰值脉冲电流（ TP = 8 /20μS ）
符合IEC 61000-4-2 ESD （空气）
符合IEC 61000-4-2 ESD （联系）
结温和存储温度范围
符号
P
PP
I
PP
V
ESD
T
J
, T
英镑
.
价值
200
5
±27
±16
-55到+ 150
.
单位
W
A
KV
°C
电气特性
类型编号
相反的立场-O FF电压
反向击穿Voltag
反向漏电流
钳位电压
结电容
I
R
=
V
R
=
I
PP
=
I
PP
=
1mA
5V
1A
3A
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
符号
V
RWM
V
（ BR ）
I
R
Vc
C
J
民
-
6.5
-
-
-
0.7 （典型值）。
最大
5
-
0.1
9.8
17
单位
V
V
uA
V
pF
版本： B11
TESDS5V0ALC
督导二极管结构ESD保护阵列
小信号二极管
额定值和特性曲线
图1非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
图2脉冲波形
110
100
波形参数：
TR = 8μs ， TD = 20μS
峰值脉冲功率PPP（ KW ）
90
1
百分之我
PP
80
70
60
50
40
30
20
10
0.1
e
-1
td=Ipp/2
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0
5
10
15
20
25
30
脉冲持续时间（我们）
时间（美国）
图3容许功耗曲线
120
100
图4典型结电容
1.2
归一化电容
额定功率（ ％ ）
0.9
80
60
40
20
0.6
0.3
F = 1.0MHz的
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
0
1
2
3
4
5
环境Tempeatature （
o
C)
反向电压（ V）
图5钳位电压与峰值脉冲电流
18
钳位电压（ V）
15
12
9
6
3
0
0
1
2
3
4
5
波形参数：
TR = 8μs ， TD = 20μS
峰值脉冲电流（ A）
版本： B11
TESDS5V0ALC
督导二极管结构ESD保护阵列
小信号二极管
应用信息
旨在保护保护高速数据接口
设计的过电压由它们夹持固定参考，以保护四条数据线从瞬态
用于保护保护它们被连接到致数据和传输线从过压敏感元件
静电放电（ ESD ） ，电快速瞬变（ EFT ） ，和闪电。
TESDS5V0ALC包含8个浪涌额定，低电容转向二极管和一个TVS二极管在单一封装
在瞬态条件下，转向二极管指示瞬时的电源线的任一正侧或接地
内部的TVS二极管防止过电压的电源线，保护任何下游组件
电路板布局建议
以保护数据线和电力线，直接连接销5至VDD 。在这种结构中，数据线是参照
电源电压。内部的TVS二极管可以防止在电源轨的过电压。
该TESDS5V0ALC可以从电源通过添加销5和VDD之间的串联电阻器进行分离。为100kΩ的值是
推荐使用。内部瞬态和转向二极管保持偏置，从而提供更低的电容的优点。
In应用中没有积极的参考电源可用，或完全供应的隔离需要，内部TVS可
被用作参考。在这种情况下，销5未连接。转向二极管将开始导通时的电压
I/O#1
I/O#2
To
保护
设备
I/O#1
I/O#2
To
保护
设备
VDD
VDD
100K
I/O#3
I/O#4
To
保护
设备
I/O#3
I/O#4
To
保护
设备
数据线和电源保护使用的Vcc为参考
数据线路保护与偏置和电源隔离
I/O#1
I/O#2
To
保护
设备
I/O#3
I/O#4
To
保护
设备
数据线路保护采用内部TVS二极管作为参考
版本： B11
TESDS5V0ALC
督导二极管结构ESD保护阵列
小信号二极管
磁带&卷轴规格
TSC标签
顶盖带
项
运营商深度
链轮孔
卷筒外径
卷内径
Carieer胶带
符号
K
D
A
D1
D2
E
P0
P1
T
W
W1
维
( mm )
1.22最大。
1.50 +0.10
180 ± 1
50分钟。
13.0 ± 0.5
1.75 ±0.10
4.00 ±0.10
2.00 ±0.10
0.6 MAX 。
8.30最大。
14.4最大。
进料孔宽
Sprocke孔位
Sprocke孔距
浮雕中心
总体胶带厚度
胶带宽度
卷筒宽度
E
任何额外的标签（如果需要）
P0
D
T
P1
10个间距累积
公差带
±2.0mm
(
±0.008")
F
K
0
B
1
顶部
盖带
SEE
Note1
B0
B
0
W
D'
对于组件
2.0毫米X 1.2毫米
和更大
中心线
腔
K
机床参考
只
包括草案和RADLL
围绕B同心
0
A
0
浮雕
W1
进给方向
A
D2
D1
拟议的焊盘布局
D
尺寸
A
A
C
E
F
B
C
D
E
F
B
注1：
0
, B
0
和K
0
通过组件的大小来确定。组件和腔体之间的间隙必须是
o
0.05mm以内分钟。 0.5 mm最大。该组件无法确定的空腔内死记硬背超过10 。
注2 ：如果B
1
超过4.2毫米（ 0.165 ''）的8毫米压纹带，磁带可以不经过所有磁带装置饲料。
单位（英寸）
0.098
0.024
0.037
0.043
0.055
0.142
单位（mm ）
2.50
0.60
0.95
1.10
1.40
3.60
注3 ：建议焊盘布局尺寸已经仅供参考，以实际键盘布局
可能会有所不同despending上的应用。
版本： B11
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TLV1117-25CDCY
TLC080IDRG4
TD62308BP-1
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