TESDE5V0/TESDE12V/TESDE24V
双向ESD保护二极管
小信号二极管
0503
特点
会见IEC61000-4-2 （ ESD ）具有±15kV （空气） ，具有±8kV （接触）
设计用于安装在小面。
湿度敏感度等级1
保护1 birectional I / O线
工作电压： 5V ， 12V ， 24V
无铅版本，符合RoHS标准，及无卤素
机械数据
案例： 0503标准封装，注塑
终端：镀金，锡
每MIL -STD- 750方法2026保障
高温焊接保证： 260 ℃/ 10秒
安装位置：任意
重量： 2毫克（大约）
标记代号： E05 ， E12 ， E24
尺寸
A
B
C
D
E
单位（mm ）
民
1.15
0.65
0.60.
最大
1.35
0.85
0.75
单位（英寸）
民
0.045
0.026
0.024
最大
0.053
0.034
0.030
0.40(Typ.)
0.55(Typ.)
0.016(Typ.)
0.022(Typ.)
应用
手机手机及配件
笔记本电脑，台式机和服务器
键盘，侧键， USB 2.0 ， LCD显示器
便携式仪表
触摸屏
销Configutation
拟议的焊盘布局
0.55
0.022
0.85
填料
4K / 7"卷轴
4K / 7"卷轴
4K / 7"卷轴
记号
E05
E12
E24
1.40
0.055
单位：
mm
寸
0.033
订购信息
产品型号
TESDE5V0
TESDE12V
TESDE24V
包代码包
RZG
RZG
RZG
0503
0503
0503
0.012
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
最大额定值
类型编号
TESDE5V0
峰值脉冲功率（ TP = 8 / 20μs的
波形）
符合IEC 61000-4-2 ESD （空气）
符合IEC 61000-4-2 ESD （联系）
结温和存储温度范围
TESDE12V
TESDE24V
V
ESD
T
J
, T
英镑
.
符号
价值
75
单位
P
PP
25
47
±15
±8
-55到+ 150
.
W
KV
°C
版本： C11
TESDE5V0/TESDE12V/TESDE24V
双向ESD保护二极管
小信号二极管
电气特性
类型编号
TESDE5V0
相反的立场-O FF电压
TESDE12V
TESDE24V
TESDE5V0
反向击穿电压
TESDE12V
TESDE24V
TESDE5V0
反向漏电流
TESDE12V
TESDE24V
钳位电压
钳位电压
钳位电压
TESDE5V0
TESDE12V
TESDE24V
TESDE5V0
结电容
TESDE12V
TESDE24V
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
C
J
V
R
=
V
R
=
V
R
=
I
PP
=
I
PP
=
I
PP
=
I
PP
=
I
PP
=
I
PP
=
5V
12V
24V
1A
5A
1A
5A
1A
5A
Vc
Vc
Vc
-
-
-
-
-
-
15 （典型值）。
12 （典型值）。
10 （典型值）。
pF
9.8
15
25
33
47
51
V
V
V
I
R
-
2
uA
I
R
= 1毫安
V
（ BR ）
5.1
13
25
V
RWM
符号
民
-
最大
5
12
24
-
-
-
V
V
单位
版本： C11
TESDE5V0/TESDE12V/TESDE24V
双向ESD保护二极管
小信号二极管
评级和Sharacteristic曲线
图1非重复性峰值脉冲功率与脉冲时间
10
图2脉冲波形
110
100
波形参数：
TR = 8μs ， TD = 20μS
峰值脉冲功率PPP（ KW ）
90
1
百分之我
PP
80
70
60
50
40
30
20
10
td=Ipp/2
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0
5
10
15
20
25
30
时间（美国）
图3容许功耗曲线
120
100
15
图4典型结电容
归一化电容
额定功率（ ％ ）
TESDE5V0
TESDE12V
80
60
40
20
10
5
TESDE24V
F = 1.0MHz的
0
0
20
40
60
80
100
120
o
0
140
160
180
0
5
10
15
20
25
环境Tempeatature （ C）
反向电压（ V）
图5钳位电压与峰值脉冲电流）
60
50
40
30
TESDE12V
20
10
TESDE5V0
0
0
1
2
波形参数
TR = 8μs ， TD = 20μS
3
4
5
TESDE24V
钳位电压（ V）
峰值脉冲电流（ A）
版本： C11
TESDE5V0/TESDE12V/TESDE24V
双向ESD保护二极管
小信号二极管
应用信息
旨在保护一个数据， I / O或电源线。
设计用于保护敏感的电子设备免受损坏或闭锁由于ESD
旨在取代多层压敏电阻（ MLV的）在便携式应用
设有大截面积路口的瞬间高电流
相比时的MLV提供优越的电气特性，如更低的钳位电压和无设备降解
小尺寸和高ESD浪涌能力相结合，使它们非常适合于便携式应用。
电路板布局建议
良好的电路板布局是ESD引起的瞬变抑制至关重要。
将ESD保护二极管靠近输入端子或连接器，以限制瞬态耦合。
尽量减少ESD保护二极管和保护线路之间的路径长度。
最小化所有导电回路包括电源和接地环路。
该ESD瞬变接地回路应保持尽可能的短。
不要运行近板边缘的关键信号。
使用地平面尽可能。
磁带&卷轴规格
TSC标签
项
顶盖带
符号
A
B
C
d
D
D1
D2
E
F
P
P0
P1
T
W
W1
维
(mm)
0.90 ± 0.10
1.46 ± 0.10
0.80 ± 0.10
1.55 ± 0.05
178 ± 1
60.0敏
13.0 ± 0.20
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
4.00 ±0.10
2.00 ±0.05
0.23 ± 0.05
8.00 ±0.20
13.5 MAX
载波宽度
载体长度
运营商深度
Carieer胶带
任何额外的标签（如果需要）
链轮孔
卷筒外径
卷内径
进料孔宽
定位孔位置
E
P0
d
T
A
C
B
F
W
P1
打孔的位置
打孔节距
链轮孔间距
浮雕中心
总体胶带厚度
W1
胶带宽度
卷筒宽度
D
D2
D1
进给方向
版本： C11
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