TESDD5V0
双向ESD保护二极管
小信号二极管
SOD-523F
特点
会见IEC61000-4-2 ( ESD )具有±15kV (空气) ,具有±8kV (接触)
会见IEC61000-4-4 ( EFT )的评级。 40A ( 5 / 50s )
保护1 birectional I / O线
工作电压: 5V
无铅版本,符合RoHS标准,及无卤素
机械数据
案例: SOD- 523F扁平引脚小外形塑料封装
终端:雾锡电镀,无铅,焊
每MIL -STD- 202方法208保证
高温焊接保证: 260 ℃/ 10秒
安装位置:任意
重量: 2毫克(大约)
标识代码: DT
尺寸
A
B
C
D
E
F
单位(mm )
民
0.70
1.50
0.25
1.10
0.60
0.10
最大
0.90
1.70
0.35
1.30
0.70
0.14
单位(英寸)
民
0.028
0.059
0.010
0.043
0.024
0.004
最大
0.035
0.067
0.014
0.051
0.028
0.006
应用
手机手机及配件
笔记本电脑,台式机和服务器
键盘,侧键, USB 2.0 , LCD显示器
便携式仪表
基于微处理器设备
销Configutation
拟议的焊盘布局
0.40
订购信息
0.40
产品型号
包
填料
包装标识代码
RKG
DT
1.80
单位:mm
1.00
TESDD5V0 SOD- 523F 3K / 7"卷轴
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有规定。
最大额定值
类型编号
峰值脉冲功率( TP = 8 /20μS波形)
符合IEC 61000-4-2 ESD (空气)
符合IEC 61000-4-2 ESD (联系)
结温和存储温度范围
符号
P
PP
V
ESD
T
J
, T
英镑
.
价值
100
±15
±8
-55到+ 150
.
单位
W
KV
°C
电气特性
类型编号
相反的立场-O FF电压
反向击穿沃尔
反向漏柯伦
钳位电压
结电容
I
R
=
V
R
=
I
PP
=
I
PP
=
1mA
5V
1A
3A
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
符号
V
RWM
V
( BR )
I
R
Vc
C
J
民
-
6
-
-
-
13 (典型值)。
最大
5
-
1
9.8
15
单位
V
V
uA
V
pF
注:1.建议焊盘布局尺寸已经仅供参考,以实际面板布局
可能会有所不同despending上的应用。
版本: C11
TESDD5V0
双向ESD保护二极管
小信号二极管
应用信息
旨在保护一个数据, I / O或电源线。
设计用于保护敏感的电子设备免受损坏或闭锁由于ESD
旨在取代多层压敏电阻( MLV的)在便携式应用
相比时的MLV提供优越的电气特性,如更低的钳位电压和无设备降解
小尺寸和高ESD浪涌能力相结合,使它们非常适合于便携式应用。
电路板布局建议
良好的电路板布局是ESD引起的瞬变抑制至关重要。
将ESD保护二极管靠近输入端子或连接器,以限制瞬态耦合。
尽量减少ESD保护二极管和保护线路之间的路径长度。
最小化所有导电回路包括电源和接地环路。
该ESD瞬变接地回路应保持尽可能的短。
磁带&卷轴规格
TSC标签
项
顶盖带
符号
K
D
A
D1
D2
E
F
P0
P1
T
W
W1
维
(mm)
2.40 MAX 。
1.50 +0.10
178 ± 1
50分钟。
13.0 ± 0.5
1.75 ±0.10
3.50 ±0.05
4.00 ±0.10
2.00 ±0.10
0.6 MAX 。
8.30最大。
14.4最大。
运营商深度
链轮孔
卷筒外径
Carieer胶带
任何额外的标签(如果需要)
卷内径
进料孔宽
P
10个间距累积
公差带
±2.0mm
(
±0.008")
Sprocke孔位
打孔的位置
E
D
T
P1
Sprocke孔距
浮雕中心
总体胶带厚度
W
D'
F
K
0
B
1
顶部
盖带
SEE
Note1
B0
B
0
胶带宽度
卷筒宽度
对于组件
2.0毫米X 1.2毫米
和更大
中心线
腔
K
机床参考
只
包括草案和RADLL
围绕B同心
0
A
0
浮雕
W1
A
D2
D1
进给方向
注1 : A0 , B0和K0是由组件的大小来确定。组件和腔体之间的间隙必须是
0.05mm以内分钟。 0.5 mm最大。该组件无法确定的空腔内死记硬背超过10° 。
注2 :如果B1超出4.2毫米( 0.165 '')的8毫米压纹带,磁带可以不经过所有磁带装置饲料。
版本: C11