TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
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威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
TEMT1000
TEMT1020
特点
封装类型：表面贴装
包装方式：毛重， RGW ，蛋黄，轴向
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.5 ×2× 2.7
高灵敏度辐射
用870纳米的日光阻断滤波器匹配
950纳米的红外线发射器
快速的响应时间
角半灵敏度：
= ± 15°
包装与红外发射器系列TSML1000匹配
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
符合RoHS指令2002/95 / EC和
按照WEEE 2002/96 / EC
TEMT1030
TEMT1040
16757
描述
TEMT1000系列硅NPN光电晶体管高
黑色，表面辐射敏感性安装，包胶
用镜头和日光阻断滤波器。滤波器的带宽是
与870纳米到950纳米的红外线发射器匹配。
应用
探测器在电子控制和驱动电路
红外探测器的应用日光
光遮断器
计数器
编码器
产品概述
部件
TEMT1000
TEMT1020
TEMT1030
TEMT1040
记
测试条件见附表“基本特征”
I
ca
（MA ）
7
7
7
7
（度）
± 15
± 15
± 15
± 15
0.5
（纳米）
730至1000
730至1000
730至1000
730至1000
订购信息
订购代码
TEMT1000
TEMT1020
TEMT1030
TEMT1040
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
体积
备注
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/散装
包装形式
相反的鸥翼式
鸥翼
轭
轴向引线
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
修订版1.6 ， 29军， 11
t
5s
焊接在PCB板焊盘尺寸为4mm ×4mm的
1
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
测试条件
符号
V
ECO
I
C
价值
5
50
100
100
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
400
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
T
AMB
55 °C
I
CM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
文档编号： 81554
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
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威世半导体
120
P
V
- 功耗（MW ）
100
80
60
R
thJA
= 400 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
21167
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
收藏家光电流
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
首席执行官
I
首席执行官
C
首席执行官
p
0.5
V
CESAT
t
on
t
关闭
f
c
I
ca
2
2.0
2.3
180
7.0
分钟。
70
1
3
± 15
880
730至1000
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
度
nm
nm
V
μs
μs
千赫
mA
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10
4
2.0
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
CA REL
- 相对集电极电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
10
3
V
CE
= 20 V
10
2
10
1
10
94 8304
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94 8239
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
修订版1.6 ， 29军， 11
2
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
文档编号： 81554
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
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威世半导体
100
1.0
S(λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
21169
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
600
700
800
900
1000
λ
- 波长（nm ）
1100
10
1
V
CE
= 5 V
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
0.01
21168
0.1
1
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 相对光谱灵敏度与波长
C
首席执行官
- 集电极发射极电容（pF ）
0°
10
F = 1 MHz的
10°
20°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
8
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
6
4
2
0
0.1
1
10
100
94 8248
0.6
0.4
0.2
0
94 8294
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 5 - 集电极发射极电容与
集电极 - 发射极电压
图。 8 - 相对辐射灵敏度与角位移
8
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
6
V
CE
= 5 V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
4
t
关闭
2
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
94 8293
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 6 - 导通/关断时间与集电极电流
修订版1.6 ， 29军， 11
3
如有技术问题，请联系：
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- 角位移
TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
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使用注意事项
1，过电流，防
客户必须申请电阻进行保护，否则
轻微的电压变化会引起很大的电流变化（烧坏
会发生） 。
2.存储
存储温度和相对。湿度的条件是：
° C至35° C，相对湿度60 ％ 。
5
威世半导体
回流焊接温度曲线
260
240
220
温度（℃）
200
180
160
140
120
100
80
60
0
+ 5°C /秒
- 5 ℃/秒
地板使用寿命不得超过168小时， ACC 。 JEDEC三级，
J-STD-020.
一旦包装被打开，该产品应
在一个星期内使用。否则，它们应该被保持在一
防潮盒干燥剂。
考虑磁带生命，我们建议在使用产品
一年，自生产日期。
如果在气氛5 ℃，开了一个多星期来
35℃，相对湿度60％时，装置应在60℃下处理过的
±
5 ℃下进行15小时。
如果在包中的湿度指示灯显示粉红色
（正常蓝色），则设备应当与被处理
相同的条件下2.3 。
60秒到120秒
5s
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
17172
时间（s）
图。 9 - 铅锡（锡铅）回流焊接温度曲线
1 ℃/秒至5 ℃/秒
预加热
180 ℃至200 ℃的
260 °C以下。
10秒以内。
60秒MAX 。
高于220 ℃，
120秒以内。
1 ℃/秒至5 ℃/秒
22566
图。 10 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
包装尺寸
以毫米为单位：
TEMT1000
3.05
± 0.2
1.9
± 0.2
0.15
± 0.05
1.5
4.3
± 0.2
5.8
± 0.2
2.5
± 0.2
1.1
2
± 0.2
6.3
± 0.1
0.5
3.7
± 0.1
1
± 0.1
0.4
C
E
16104
修订版1.6 ， 29军， 11
1.4
2.7
± 0.2
4
如有技术问题，请联系：
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文档编号： 81554
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TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
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包装尺寸
以毫米为单位：
TEMT1020
威世半导体
16105
包装尺寸
以毫米为单位：
TEMT1030
16756
修订版1.6 ， 29军， 11
5
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
文档编号： 81554
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
硅光电晶体管
描述
TEMT1000系列是高速和高灵敏度
在SMD型硅NPN外延平面光电晶体管
包带圆顶透镜。由于集成的日光
过滤器设备是唯一的IR辐射敏感。
TEMT1000
TEMT1020
TEMT1030
特点
高感光度照片
快速的响应时间
半灵敏度角
= ± 15°
TEMT1040
16757
相匹配的红外发射器日光过滤器
（ λ = 870纳米至950纳米）
多功能终端配置
匹配的红外发射器系列： TSML1000
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
应用
探测器在电子控制和驱动电路
红外探测器的应用日光
光遮断器
计数器
编码器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5s
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
55 °C
测试条件
符号
V
ECO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
AMB
T
sd
R
thJA
价值
5
50
100
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 85
< 260
400
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
首席执行官
I
首席执行官
C
首席执行官
λ
p
民
70
1
3
±15
950
200
典型值。
最大
单位
V
nA
pF
度
nm
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
www.vishay.com
1
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
参数
光谱带宽范围
集电极发射极饱和
电压
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
收藏家光电流
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，我
C
- 0.1毫安
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，
R
L
= 100
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，
R
L
= 100
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，
R
L
= 100
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，V
CE
= 5V
测试条件
符号
λ
0.5
V
CESAT
t
on
t
关闭
f
c
I
ca
2
2.0
2.3
180
7.0
民
典型值。
750 980
0.3
最大
单位
nm
V
s
s
千赫
mA
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
C
首席执行官
-
集电极 - 发射极电容（pF ）
10
8
F = 1 MHz的
10
3
V
CE
= 20 V
10
2
6
4
10
1
2
0
0.1
1
10
100
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
10
0
20
94 8304
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
94 8294
图1.集电极暗电流与环境温度
图3.集电极发射极电容与集电极发射极
电压
8
V
CE
= 5 V
R
L
= 100
λ
= 950 nm的
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
s )
2.0
I
CA REL
- 相对集电极电流
6
4
t
关闭
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I
C
-
集电极电流（mA ）
2
94 8239
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
94 8293
图2.相对集电极电流与环境温度
图4.开启/关闭时间与集电极电流
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2
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
0°
10°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94
8248
图5.相对辐射灵敏度与角位移
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
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3
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
包装尺寸（mm）
TEMT1000
16104
包装尺寸（mm）
TEMT1020
16105
www.vishay.com
4
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
包装尺寸（mm）
TEMT1030
16756
包装尺寸（mm）
TEMT1040
16500
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
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5
TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
特点
TEMT1000
TEMT1020
封装类型：表面贴装
包装方式：毛重， RGW ，蛋黄，轴向
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.5 ×2× 2.7
高灵敏度辐射
用870纳米的日光阻断滤波器匹配
950纳米的红外线发射器
快速的响应时间
角半灵敏度：
= ± 15°
包装与红外发射器系列赛事
TSML1000
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
TEMT1030
TEMT1040
16757
同
描述
TEMT1000系列硅NPN光电晶体管高
黑色，表面辐射敏感性安装，包胶
用镜头和日光阻断滤波器。滤波器的带宽是
与870纳米到950纳米的红外线发射器匹配。
应用
探测器在电子控制和驱动电路
红外探测器的应用日光
光遮断器
计数器
编码器
产品概述
部件
I
ca
（MA ）
TEMT1000
7
TEMT1020
7
TEMT1030
7
TEMT1040
7
记
测试条件见附表“基本特征”
（度）
± 15
± 15
± 15
± 15
λ
0.5
（纳米）
730至1000
730至1000
730至1000
730至1000
订购信息
订购代码
TEMT1000
TEMT1020
TEMT1030
TEMT1040
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
体积
备注
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/散装
包装形式
相反的鸥翼式
鸥翼
轭
轴向引线
绝对最大额定值
参数
测试条件
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
功耗
T
AMB
≤
55 °C
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
t
≤
5s
热阻结/环境焊接在PCB板焊盘尺寸为4mm ×4mm的
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
符号
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
5
50
100
100
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
400
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
www.vishay.com
476
如有技术问题，请联系： detectortechsupport@vishay.com
文档编号： 81554
修订版1.6 ， 09 09月08
TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
威世半导体
120
P
V
- 功耗（MW ）
100
80
60
R
thJA
= 400 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21167
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
收藏家光电流
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
首席执行官
I
首席执行官
C
首席执行官
λ
p
λ
0.5
V
CESAT
t
on
t
关闭
f
c
I
ca
2
2.0
2.3
180
7.0
分钟。
70
1
3
± 15
880
730至1000
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
度
nm
nm
V
s
s
千赫
mA
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
2.0
I
CA REL
- 相对集电极电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5
V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
10
3
V
CE
= 20
V
10
2
10
1
10
94
8304
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8239
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
文档编号： 81554
修订版1.6 ， 09 09月08
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TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
100
S(λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
21169
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
600
700
800
900
1000
λ
-
波长
（纳米）
1100
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
10
1
V
CE
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
0.01
21168
0.1
1
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 相对光谱灵敏度与波长
C
首席执行官
- 集电极发射极电容（pF ）
10
F = 1 MHz的
S
REL
- 相对灵敏度
8
0°
10°
20°
30°
- 角位移
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
6
4
2
0
0.1
1
10
100
94
8248
0.6
0.4
0.2
0
94
8294
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 5 - 集电极发射极电容与
集电极 - 发射极电压
图。 8 - 相对辐射灵敏度与角位移
8
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
6
V
CE
= 5
V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
4
t
关闭
2
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
94
8293
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 6 - 导通/关断时间与集电极电流
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TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
威世半导体
使用注意事项
1，过电流，防
客户必须申请电阻进行保护，否则
轻微的电压变化会引起很大的电流变化（烧出来的意志
发生） 。
温度（℃）
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
0
17172
回流焊接温度曲线
2.存储
2.1存放温度和相对。湿度的条件是：
5℃至35℃ ，相对湿度60％。
2.2车间寿命不能超过168小时， ACC 。 JEDEC三级，
J-STD-020.
一旦包装被打开，该产品应
在一个星期内使用。否则，它们应该被保持在一
防潮盒干燥剂。
考虑磁带生命，我们建议在使用产品
一年，自生产日期。
2.3如果在气氛5 ℃，开了一个多星期来
35℃，相对湿度60％时，装置应在60℃下处理过的
±5 ℃下进行15小时。
2.4如果在包中的湿度指示灯显示粉红色
（正常蓝色），则设备应当与被处理
相同的条件下2.3 。
+ 5°C /秒
- 5 ℃/秒
60秒到120秒
5s
20 40 60
80
100 120 140 160 180 200 220
时间（s）
图。 9 - 铅锡（锡铅）回流焊接温度曲线
包装尺寸
以毫米为单位：
TEMT1000
3.05
± 0.2
1.9
± 0.2
0.15
± 0.05
1.5
4.3
± 0.2
5.8
± 0.2
2.5
± 0.2
1.1
2
± 0.2
6.3
± 0.1
0.5
3.7
± 0.1
1
± 0.1
0.4
C
E
16104
1.4
2.7
± 0.2
文档编号： 81554
修订版1.6 ， 09 09月08
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TEMT1000 ， TEMT1020 ， TEMT1030 ， TEMT1040
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
包装尺寸
以毫米为单位：
TEMT1020
16105
包装尺寸
以毫米为单位：
TEMT1030
16756
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文档编号： 81554
修订版1.6 ， 09 09月08
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
硅光电晶体管
描述
TEMT1000系列是高速和高灵敏度
在SMD型硅NPN外延平面光电晶体管
包带圆顶透镜。由于集成的日光
过滤器设备是唯一的IR辐射敏感。
TEMT1000
TEMT1020
TEMT1030
特点
高感光度照片
快速的响应时间
半灵敏度角
= ± 15°
TEMT1040
16757
相匹配的红外发射器日光过滤器
（ λ = 870纳米至950纳米）
多功能终端配置
匹配的红外发射器系列： TSML1000
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
应用
探测器在电子控制和驱动电路
红外探测器的应用日光
光遮断器
计数器
编码器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
存储温度范围
工作温度范围
焊接温度
热阻结/
环境
t
≤
5s
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
55 °C
测试条件
符号
V
ECO
I
C
I
CM
P
合计
T
j
T
英镑
T
AMB
T
sd
R
thJA
价值
5
50
100
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 85
< 260
400
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
符号
V
首席执行官
I
首席执行官
C
首席执行官
λ
p
民
70
1
3
±15
950
200
典型值。
最大
单位
V
nA
pF
度
nm
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
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1
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
参数
光谱带宽范围
集电极发射极饱和
电压
开启时间
打开-O FF时间
截止频率
收藏家光电流
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，我
C
- 0.1毫安
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，
R
L
= 100
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，
R
L
= 100
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，
R
L
= 100
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，V
CE
= 5V
测试条件
符号
λ
0.5
V
CESAT
t
on
t
关闭
f
c
I
ca
2
2.0
2.3
180
7.0
民
典型值。
750 980
0.3
最大
单位
nm
V
s
s
千赫
mA
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
C
首席执行官
-
集电极 - 发射极电容（pF ）
10
8
F = 1 MHz的
10
3
V
CE
= 20 V
10
2
6
4
10
1
2
0
0.1
1
10
100
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
10
0
20
94 8304
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
94 8294
图1.集电极暗电流与环境温度
图3.集电极发射极电容与集电极发射极
电压
8
V
CE
= 5 V
R
L
= 100
λ
= 950 nm的
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
s )
2.0
I
CA REL
- 相对集电极电流
6
4
t
关闭
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I
C
-
集电极电流（mA ）
2
94 8239
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
94 8293
图2.相对集电极电流与环境温度
图4.开启/关闭时间与集电极电流
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2
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
0°
10°
20
°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
94
8248
图5.相对辐射灵敏度与角位移
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
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3
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
包装尺寸（mm）
TEMT1000
16104
包装尺寸（mm）
TEMT1020
16105
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4
文档编号81554
修订版1.5 ， 08 -MAR -05
TEMT1000 / 1020 /一千○四十〇分之一千○三十○
威世半导体
包装尺寸（mm）
TEMT1030
16756
包装尺寸（mm）
TEMT1040
16500
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