TEMD7100X01
威世半导体
硅PIN光电二极管
特点
封装类型：表面贴装
封装形式： 0805
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2× 1.25× 0.85
辐射敏感区（单位：mm
2
): 0.23
高辐射敏感性
日光阻断滤波器， 830纳米到匹配
950纳米发射器
快速的响应时间
半灵敏度角度：
= ± 60°
20043-1
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
描述
TEMD7100X01是一个高速和高灵敏度的PIN码
光电二极管。它是一种小型表面安装器件（ SMD）的
包括与0.23毫米的芯片
2
敏感区和一个
日光阻断滤波器，红外发射器工作在匹配
波长为830纳米至950纳米。
应用
高速光电检测器
红外遥控器
红外数据传输
光遮断器
轴编码器
产品概述
部件
TEMD7100X01
记
测试条件见附表“基本特征”
I
ra
(μA)
3
（度）
± 60
λ
0.5
（纳米）
750 1050
订购信息
订购代码
TEMD7100X01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 3000件， 3000件/卷
包装形式
0805
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
命中率。回流焊接温度曲线图。 8
命中率。 J- STD- 051
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
270
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81960
修订版1.2 ， 9月28日 - 10
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
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1
TEMD7100X01
威世半导体
硅PIN光电二极管
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
开路电压
V温度COEF网络cient
o
短路电流
我的温度系数
k
反向光电流
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
上升时间
下降时间
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100 μA ， E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1
E
e
= 1
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
λ
= 950 nm的
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
符号
V
F
V
（ BR ）
I
ro
C
D
C
D
V
o
TK
Vo
I
k
TK
Ik
I
ra
λ
p
λ
0.5
t
r
t
f
2.4
60
1
4
1.3
350
- 2.6
3
0.1
3
± 60
950
750 1050
100
100
3.6
3
分钟。
典型值。
1
马克斯。
单位
V
V
nA
pF
pF
mV
毫伏/ K
μA
%/K
μA
度
nm
nm
ns
ns
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
R
= 5 V
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
1000
1.4
I
RA，相对
- 相对反向光电流
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
1.2
100
V
R
= 5 V
λ
= 950 nm的
1.0
10
V
R
= 10 V
1
20
40
60
80
100
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
94 8427
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94 8416
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 反向暗电流与环境温度
图。 2 - 相对反向光电流与环境温度
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TEMD7100X01
硅PIN光电二极管
威世半导体
10
1.2
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
10
I
ra
- 反向光电流（ μA ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
600
1
0.1
V
R
= 5 V
λ
= 950 nm的
0.01
0.001
0.01
21535
0.1
1
2
700
800
900
1000
1100
E
e
- 辐照度（毫瓦/平方厘米）
21554
λ
- 波长（nm ）
图。 3 - 反向光电流与光强
图。 6 - 相对光谱灵敏度与波长
100
0°
10°
20°
30°
I
ra
- 反向光电流（ μA ）
I
E，相对
- 相对辐射强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
λ
= 950 nm的
10
1毫瓦/厘米
2
1
0.1
17026
1
10
100
94 8013
V
R
- 反向电压
图。 4 - 反向光电流与反向电压
图。 7 - 相对辐射强度对比角位移
8
C
D
- 二极管电容（pF ）
6
E=0
F = 1 MHz的
4
2
0
0.1
94 8430
1
10
100
V
R
- 反向电压（ V）
图。 5 - 二极管电容与反向电压
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- 角位移
TEMD7100X01
威世半导体
回流焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
硅PIN光电二极管
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
地板寿命： 168
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级3 ， ACC 。以J- STD- 020 。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
19841
时间（s）
图。 8 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
包装尺寸
以毫米为单位
20018
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TEMD7100X01
硅PIN光电二极管
吸塑带尺寸
以毫米为单位
威世半导体
21501
文档编号： 81960
修订版1.2 ， 9月28日 - 10
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