飞利浦半导体
产品speci fi cation
免提IC
TEA1094 ; TEA1094A
快速参考数据
V
BB
= 5 V; V
GND
= 0 V ; F = 1千赫牛逼
AMB
= 25
°C;
MUTET =低; (仅TEA1094A ) PD =低;
L
= 50
;
R
VOL
= 0
;
在图12的测试电路测量;除非另有规定ED 。
符号
V
BB
I
BB
G
VTX
G
vtxr
G
VRX
参数
电源电压
消耗电流从引脚V
BB
电压增益从脚到MIC
引脚城市作战中的发射模式
带有R的电压增益调整
GAT
电压增益接收模式;该
RIN1和RIN2之间的区别
到LSP
带有R的电压增益调整
GAR
输出电压(峰 - 峰值)
V
凛
= 150毫伏( RMS) ;
R
GAR
= 374 k;
R
L
= 33
;
V
BB
= 9.0 V;
注1
V
凛
= 20毫伏( RMS) ;
R
GAR
= 66.5 k;
R
L
= 50
V
MIC
= 1毫伏( RMS) ;
R
GAT
= 30.1 k
条件
13
15.5
16
分钟。
3.3
3.1
15.5
18.5
典型值。
马克斯。
12.0
4.4
18
+15.5
21
单位
V
mA
dB
dB
dB
G
vrxr
V
O( P-P )
18.5
7.5
+14.5
dB
V
SWRA
ΔSWRA
T
AMB
记
开关系列
切换范围调整为R
SWR
引用于R
SWR
= 365 k
工作环境温度
40
25
40
+12
+75
dB
dB
°C
1.对应200 mW的输出功率。
1996年7月15日
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