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TE13004D
TE13005D
硅NPN高电压开关晶体管
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
单片集成C- E-续流二极管
HIGH SPEED技术
平面钝化
很短的转换时间
非常低开关损耗
非常低的动态饱和
非常低的工作温度
高反向电压
14283
应用
电子镇流器电路
开关模式电源
绝对最大额定值
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
g
测试条件
TYPE
TE13004D
TE13005D
TE13004D
TE13005D
符号
V
首席执行官
V
首席执行官
V
CES
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
300
400
600
700
9
6
8
2
4
57
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
25
°
C
最大热阻
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
结案件
测试条件
符号
R
thJC
价值
2.2
单位
K / W
得力风根半导体
牧师A2 , 18月, 97
1 (9)
TE13004D
TE13005D
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
晶体管
集电极截止电流
测试条件
V
CE
= 600 V
V
CE
= 700 V
V
CE
= 600 V ;牛逼
= 150
°
C
V
CE
= 700 V ;牛逼
= 150
°
C
I
C
= 100毫安; L = 125 mH的;
I
措施
= 100毫安
I
E
= 1毫安
I
C
= 2 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 2 A;我
B
= 0.4 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 1 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 4 A
I
C
= 2 A;我
B
= 0.2 A; T = 1
m
s
I
C
= 2 A;我
B
= 0.2 A; T = 3
m
s
V
CE
= 10 V ;我
C
= 500毫安;
F = 1 MHz的
I
F
= 2 A
I
F
= 2 A;的dI
F
/ DT = 10 A /
m
s
I
F
= 2 A;的dI
F
/ DT = 5 A /
m
s;
V
S
= 200 V
TYPE
符号
典型值
最大
50
50
0.5
0.5
300
400
9
0.5
1.6
10
10
4
2.5
0.6
4
V
V
兆赫
单位
集电极 - 发射极
击穿电压
(图1)
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流正向电流
传输比
动态饱和
y
电压
增益带宽积
续流二极管
正向电压
导通瞬间峰值
电压
反向恢复电流
租金
TE13004D
I
CES
TE13005D
I
CES
TE13004D
I
CES
TE13005D
I
CES
TE13004D V
( BR ) CEO
TE13005D V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEsatdyn
V
CEsatdyn
f
T
m
A
m
A
mA
mA
V
V
V
V
V
V
F
V
FP
I
RM
1.2
4
4
1.5
5
V
V
A
2 (9)
得力风根半导体
牧师A2 , 18月, 97
TE13004D
TE13005D
开关特性
T
= 25℃ ,除非另有说明
参数
测试条件
电阻性负载(图3)
启动时间
I
C
= 2 A;我
B1
= –I
B2
= 0.4 A;
;
;
V
S
= 125 V
贮存时间
下降时间
感性负载(图4)
贮存时间
I
C
= 2 A;我
B1
= 0.4 A;
L = 200
m
H; V
= 300 V;
l
跨越时间
–V
BE
= 5 V ;牛逼
= 100
°
C
续流二极管
反向恢复时间
I
F
= 0.5 A;我
R
= 1 ;我
R
= 0.25 A
正向恢复时间我
F
= 2 A;的dI
F
/ DT = 10 A /
m
s
反向恢复时间
I
F
= 2 A; - 二
F
/ DT = 5 A /
m
s
y
;
TYPE
符号
t
on
t
s
t
f
t
s
t
c
t
rr
t
fr
t
rr
t
IRM
典型值
0.25
1.5
0.15
1.2
0.4
0.7
0.4
1.1
0.9
最大
0.4
2.5
0.3
2
0.7
1
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
95 9666
V
F
V
FP
110%
100%
t
t
fr
图1.开启瞬间峰值电压
得力风根半导体
牧师A2 , 18月, 97
3 (9)
TE13004D
TE13005D
94 8863
V
S2
+
10 V
I
B
I
C
w
I5
I
措施
I
C
C
V
S1
+
0至30 V
V
( BR ) CEO
t
p
T
t
p
3脉冲
+
L
C
V
CE
V
( BR ) CEO
+
0.1
+
10毫秒
I
( BR )R
100 m
W
图2.测试电路V
(BR)CE0
94 8852
I
B
I
B1
0
t
R
C
–I
B2
I
C
(1)
I
B1
R
B
V
BB
+
V
CE
I
B
V
CC
I
C
0.9 I
C
0.1 I
C
t
d
t
on
t
r
t
t
s
t
关闭
t
f
( 1 )快速的电子开关
对于开关特性图3.测试电路 - 阻性负载
4 (9)
得力风根半导体
牧师A2 , 18月, 97
TE13004D
TE13005D
94 8853
I
B
I
B1
L
C
0
–I
B2
I
C
(2)
(1)
I
B1
R
B
V
BB
I
B
V
CE
V
I
C
V
CC
0.9 I
C
t
+
( 1 )快速的电子开关
( 2 )快恢复整流
0.1 I
C
t
t
s
t
r
对于开关特性图4.测试电路 - 感性负载
得力风根半导体
牧师A2 , 18月, 97
5 (9)
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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