SO
D3
23F
TDZxJ系列
单齐纳二极管
第2版 - 2011年7月29日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
通用型齐纳二极管的SOD323F （ SC- 90 ）非常小，扁平引脚
表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
非重复性峰值反向功率
功耗：
180 W
总功耗：
500毫瓦
适用于非常小的塑料包装
表面安装设计
低压微分电阻
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
一般调节功能
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
F
P
合计
[1]
[2]
快速参考数据
参数
正向电压
总功耗
条件
I
F
= 100毫安
T
AMB
25
C
[1]
[2]
民
-
-
典型值
-
-
最大
1.1
500
单位
V
mW
脉冲测试：吨
p
300
s;
0.02.
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜，镀锡，安装垫
阴极16毫米
2
.
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
1
2
图形符号
1
2
006aaa152
[1]
标记栏显示的阴极。
恩智浦半导体
TDZxJ系列
单齐纳二极管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
F
I
ZSM
参数
正向电流
非重复性峰值
反向电流
非重复性峰值
反向功率耗散
TDZ2V4J到TDZ5V6J
TDZ6V2J到TDZ6V8J
TDZ7V5J到TDZ30J
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[1]
条件
民
-
-
最大
250
SEE
表8
和
10
单位
mA
P
ZSM
[1]
-
-
-
T
AMB
25
C
[2]
180
100
40
500
150
+150
+150
W
W
W
mW
C
C
C
总功耗
结温
环境温度
储存温度
-
-
55
65
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
C
前激增。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫阴极16毫米
2
.
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
条件
在自由空气
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
250
25
单位
K / W
K / W
[2]
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫阴极16毫米
2
.
焊接点阴极标签。
7.特点
表7中。
特征
T
j
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
[1]
脉冲测试：吨
p
300
s;
0.02.
条件
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
0.9
1.1
单位
V
V
TDZXJ_SER
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产品数据表
第2版 - 2011年7月29日
3 12
恩智浦半导体
TDZxJ系列
单齐纳二极管
表8 。
每种类型的特点;齐纳TDZ2V4J来纳TDZ24J
T
j
= 25
C除非另有规定ED 。
TDZxxxJ工作电压
V
Z
(V)
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
I
Z
= 5毫安
民
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
[1]
[2]
反向电流温度
系数
I（ μA ）
R
二极管
电容
C
d
（PF ）
[1]
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 5毫安
最大
50
20
10
5
5
3
3
3
2
10
3
2
1
0.70
0.50
0.20
0.10
0.10
0.10
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
0.05
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.5
4.0
4.0
5.0
5.0
6.0
7.0
8.0
8.0
8.0
10.5
11.2
12.6
14.0
15.4
16.8
民
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.7
2
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
最大
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10
11
13
14
16
18
20
22
不重复
反向峰值
当前
I
ZSM
(A)
[2]
I
Z
= 1毫安我
Z
= 5毫安
最大
2.45
2.75
3.06
3.37
3.67
3.98
4.39
4.79
5.20
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.20
11.20
12.20
13.30
15.30
16.30
18.4
20.4
22.4
24.5
最大
400
450
500
500
500
500
600
500
480
400
150
80
80
80
100
150
150
150
170
200
200
225
225
250
250
最大
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
10
10
10
10
10
10
10
15
20
20
20
25
30
最大
450
440
425
410
390
370
350
325
300
275
250
215
170
150
120
110
108
105
103
99
97
93
88
84
80
最大
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
12
12
4.0
4.0
3.0
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
1.5
1.5
1.5
1.25
1.25
2.35
2.65
2.94
3.23
3.53
3.82
4.21
4.61
5.00
5.49
6.08
6.66
7.5
8.04
8.92
9.80
10.80
11.80
12.70
14.70
15.70
17.6
19.6
21.6
23.5
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
C
前激增。
表9 。
每种类型的特点;齐纳TDZ5V6J
T
j
= 25
C除非另有规定ED 。
TDZxxxJ
工作电压
V
Z
(V)
I
Z
= 10毫安
民
5V6
5.20
最大
6.00
微分电阻
r
DIF
()
I
Z
- 0.5毫安
最大
500
I
Z
= 10毫安
最大
7
温度COEF网络cient
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 5毫安
民
1.7
最大
2.8
TDZXJ_SER
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产品数据表
第2版 - 2011年7月29日
4 12
恩智浦半导体
TDZxJ系列
单齐纳二极管
表中每10型特征;齐纳TDZ27J来纳TDZ30J
T
j
= 25
C除非另有规定ED 。
TDZxxxJ工作电压
V
Z
(V)
微分电阻反向
当前
r ()
DIF
温度
系数
S
Z
（毫伏/ K）的
I
Z
= 2毫安
二极管
电容
C
d
（PF ）
[1]
I
R
(A)
I
Z
= 2毫安
民
27
30
[1]
[2]
不重复
反向峰值
当前
I
ZSM
(A)
[2]
I
Z
= 0.5毫安我
Z
= 2毫安
最大
27.5
30.6
最大
250
250
最大
40
40
最大
0.05
0.05
V
R
(V)
18.9
21
民
21.4
24.4
最大
25.3
29.4
最大
73
66
最大
1
1
26.5
29.4
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
t
p
= 100
s;
方波;牛逼
j
= 25
C
前激增。
10
3
P
ZSM
(W)
10
2
(1)
(2)
(3)
006aac671
300
I
F
（MA ）
200
mbg781
10
(4)
100
1
10
–4
10
–3
t
p
(s)
10
–2
0
0.6
0.8
V
F
(V)
1
（1） TDZ2V4J到TDZ5V6J
（2） TDZ6V2J到TDZ6V8J
（3） TDZ7V5J到TDZ30J ;牛逼
j
= 25
C
前激增
（4） TDZ7V5J到TDZ30J ;牛逼
j
= 150
C
前激增
T
j
= 25
C
图1 。
非重复性峰值反向功率耗散
由于脉冲持续时间的函数;最大
值
图2 。
正向电流为正向功能
电压;典型值
TDZXJ_SER
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产品数据表
第2版 - 2011年7月29日
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