TDSG3150 ， TDSG3160 ， TDSO3150 ， TDSO3160 ， TDSY3150 ， TDSY3160
威世半导体
标准的7段显示10毫米
特点
均匀照亮段
灰包面
未着色的片段
发光强度分类
- 黄色和绿色的分类颜色
超宽视角
19236
适用于DC和高峰值电流
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
描述
该TDS.31 ..系列为10mm的性格七段
LED显示在一个非常紧凑的封装。
该显示器被设计为观看距离可达
6米四种亮丽的颜色可供选择。灰色包
表面和均匀地点燃未着色的段提供一个
最佳的开关对比度。
所有的显示器被分为发光强度的组。
它允许用户组装与统一显示器
·外观。典型的应用包括仪表，面板
米，销售点终端和家用设备。
应用
- 面板表
性能测试和测量设备
销售点的终端
控制单元
产品组和包数据
产品组：显示器
封装为10mm
产品系列：标准
半强度角： ± 50 °
零件表
部分
TDSO3150
TDSO3150-KL
TDSO3150-L
TDSO3160
TDSO3160-KL
TDSO3160-L
TDSY3150
TDSY3150-K
TDSY3160
TDSG3150
TDSG3150-M
TDSG3150-MN
TDSG3160
TDSG3160-M
颜色
橙红色
橙红色
橙红色
橙红色
橙红色
橙红色
黄
黄
黄
绿色
绿色
绿色
绿色
绿色
发光强度在10mA
I
V
= 4500 μcd （典型值）。
I
V
= （ 1800 5600 ） μcd
I
V
= （2800至5600 ） μcd
I
V
= 4500 μcd （典型值）。
I
V
= （ 1800 5600 ） μcd
I
V
= （2800至5600 ） μcd
I
V
= 3000 μcd （典型值）。
I
V
= （ 1800 3600 ） μcd
I
V
= 3000 μcd （典型值）。
I
V
= 6500 μcd （典型值）。
I
V
= （ 4500 9000 ） μcd
I
V
= （ 4500 14 000） μcd
I
V
= 6500 μcd （典型值）。
I
V
= （ 4500 9000 ） μcd
电路
共阳极
共阳极
共阳极
共阴极
共阴极
共阴极
共阳极
共阳极
共阴极
共阳极
共阳极
共阳极
共阴极
共阴极
文档编号： 83125
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威世半导体
标准的7段显示10毫米
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
TDSO3150 ， TDSO3160 ， TDSY3150 ， TDSY3160 ， TDSG3150 ， TDSG3160
参数
每段或DP反向电压
TDSO3150
TDSO3160
直流正向电流每段或DP
TDSY3150
TDSY3160
TDSG3150
TDSG3160
TDSO3150
TDSO3160
直流正向电流每段或DP
t
p
10微秒（不重复）
TDSY3150
TDSY3160
TDSG3150
TDSG3160
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻LED
结/环境
t
3 s,
2毫米低于飞机座位
T
AMB
45 °C
TDSO3150,
TDSO3160,
TDSY3150,
TDSY3160,
TDSG3150,
TDSG3160
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
I
FSM
I
F
测试条件
部分
符号
V
R
价值
6
20
20
20
20
20
20
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
0.15
480
100
- 40至+ 85
- 40至+ 85
260
120
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
A
mA
单位
V
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
TDSO3150 ， TDSO3160 ，橙红色
参数
测试条件
部分
TDSO3150
TDSO3150-KL
发光强度每段
（数字平均）
(1)
I
F
= 10毫安
TDSO3150-L
TDSO3160
TDSO3160-KL
TDSO3160-L
主波长
峰值波长
半强度角
每个段或DP正向电压
每段或DP反向电压
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 μA
TDSO3150,
TDSO3160
d
p
V
F
V
R
I
V
符号
分钟。
450
1800
2800
450
1800
2800
612
-
-
-
6
典型值。
4500
-
-
4500
-
-
-
630
± 50
2
15
马克斯。
-
5600
5600
-
5600
5600
625
-
-
3
-
nm
nm
度
V
V
μcd
单位
记
(1)
I
VMIN 。
我
V
基团是所有段（ a至g时， D1至D4）的平均值，段内的匹配因子是
0.5 ，不计小数点
和结肠。
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标准的7段显示10毫米
威世半导体
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
TDSY3150 ， TDSY3160 ，黄色
参数
发光强度每段
（数字平均）
(1)
主波长
峰值波长
半强度角
每个段或DP正向电压
每段或DP反向电压
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 μA
TDSY3150,
TDSY3160
部分
TDSY3150
TDSY3150-K
TDSY3160
d
p
V
F
V
R
I
V
符号
分钟。
450
1800
450
581
-
-
-
6
典型值。
3000
-
3000
-
585
± 50
2.4
15
马克斯。
-
3600
-
594
-
-
3
-
nm
nm
度
V
V
μcd
单位
记
(1)
I
VMIN 。
我
V
基团是所有段（ a至g时， D1至D4）的平均值，段内的匹配因子是
0.5 ，不计小数点
和结肠。
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
TDSG3150 ， TDSG3160 ，绿色
参数
测试条件
部分
TDSG3150
TDSG3150-M
发光强度每段
（数字平均）
(1)
I
F
= 10毫安
TDSG3150-MN
TDSG3160
TDSG3160-M
主波长
峰值波长
半强度角
每个段或DP正向电压
每段或DP反向电压
(1)
符号
分钟。
450
4500
典型值。
6800
-
-
6800
-
-
565
± 50
2.4
15
马克斯。
-
9000
14 000
-
9000
575
-
-
3
-
单位
I
V
4500
450
4500
μcd
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 μA
TDSG3150,
TDSG3160
d
p
V
F
V
R
562
-
-
-
6
nm
nm
度
V
V
记
I
VMIN 。
我
V
基团是所有段（ a至g时， D1至D4）的平均值，段内的匹配因子是
0.5 ，不计小数点
和结肠。
发光强度分类
组
标准
E
F
G
H
I
K
L
M
N
光强度（ μcd ）
分钟。
180
280
450
700
1100
1800
2800
4500
7000
马克斯。
360
560
900
1400
2200
3600
5600
9000
14 000
颜色分类
组
1
2
3
4
5
6
7
橙红色
分钟。
598
600
602
604
606
608
马克斯。
601
603
605
607
609
611
黄
分钟。
581
583
585
587
589
591
马克斯。
584
586
588
590
592
594
562
564
566
568
570
570
565
567
569
571
573
575
绿色
分钟。
马克斯。
记
上述类型的数字表示的顺序组，包括
只有少数亮度组。只有一组出货量将在一
管（会有一个管没有混合两组） 。
为了确保可用性，单颗亮度集团将不
订购。
记
波长的光被在25毫秒和一个电流脉冲的持续时间测试
的±1纳米的准确度。
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威世半导体
标准的7段显示10毫米
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
I
V REL
- 相对发光强度
40
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
红
30
1.2
20
0.8
10
0.4
I
F
= 10毫安
0
0
21969
0
20
40
60
80
100
120
95 10087
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 正向电流与环境温度
图。 4 - 相对。发光强度与环境温度
0°
10°
20°
I
V REL
- 相对发光强度
30°
2.4
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I
FAV
= 10 mA时，常量。
0
10
95 10088
I
V REL
- 相对发光强度
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.7
- 角位移
20
0.5
50
0.2
100
0.1
200
0.05
500 I
F
（MA ）
0.02
t
p
/T
95 10082
1
图。 2 - 相对。发光强度与角位移
图。 5 - 相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
10
红
100
I
V REL
- 相对发光强度
红
1
10
0.1
1
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10 s
0
2
4
6
8
10
0.1
95 10086
0.01
1
95 10089
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
V
F
- 正向电压（ V）
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 相对发光强度与正向电流
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威世半导体
I
规格
- 特定的光度
1.2
I
V REL
- 相对发光强度
2.4
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
黄
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
1
20
0.5
50
0.2
100 200
0.1 0.05
500
0.02
I
F
（MA ）
t
p
/T
610
630
650
670
690
95 10260
95 10090
λ
- 波长（nm ）
图。 7 - 相对强度与波长
图。 10 - 相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
1000
I
V REL
- 相对发光强度
10
黄
1
I
F
- 正向电流（mA ）
黄
100
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10 s
10
0.1
1
0.1
0
95 10030
2
4
6
8
10
0.01
1
95 10033
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 8 - 正向电流与正向电压
图。 11 - 相对发光强度与正向电流
I
V REL
- 相对发光强度
1.6
黄
1.2
黄
1.0
1.2
I
REL
- 相对强度
I
F
= 10毫安
20
40
60
80
100
0.8
0.6
0.4
0.2
0
550
570
590
610
630
650
0.8
0.4
0
0
95 10031
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 10039
λ
- 波长（nm ）
图。 9 - 相对。发光强度与环境温度
图。 12 - 相对强度与波长
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