TDSL31..
威世半导体
低电流10毫米七段显示器
光学和电学特性
参数
发光强度每段
(2)
(数字平均)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压每段
反向电压每段
结电容
测试条件
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 10 μA
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
(1)
TDSL3150 , TDSL3160 ,红
符号
I
V
λ
d
λ
p
分钟。
180
180
612
-
-
-
-
6
-
典型值。
260
260
-
635
± 50
1.8
2.7
20
30
马克斯。
-
-
625
-
-
2.4
3
-
-
单位
μcd
nm
nm
度
V
V
V
pF
部分
TDSL3150
TDSL3160
TDSL3150,
TDSL3160
V
F
V
F
V
R
C
j
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
(2)
I
VMIN 。
我
V
基团是所有段( a至g时, D1至D4)的平均值,段内的匹配因子是
≥
0.5 ,不计小数点
和结肠。
发光强度分类
组
标准
E
F
G
H
I
K
分钟。
180
280
450
700
1100
1800
光强度( μcd )
马克斯。
360
560
900
1400
2200
3600
基本特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
0°
30
25
20
15
10
5
0
0
95 11484
10°
20°
30°
I
V REL
- 相对发光强度
I
F
- 正向电流(mA )
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.7
20
40
60
80
100
95 10082
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图。 1 - 正向电流与环境温度
图。 2 - 相对。发光强度与角位移
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如有技术问题,请联系:
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文档编号: 83122
修订版1.4 22 -JAN- 10
- 角位移
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威世半导体
I
V REL
- 相对发光强度
100
100
红
10
I
F
- 正向电流(mA )
红
10
1
1
0.1
0.1
0
95 10050
t
p
/T = 0.001
t
p
= 10 s
1
2
3
4
5
0.01
0.1
95 10061
1
10
100
V
F
- 正向电压( V)
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 相对发光强度与正向电流
I
V REL
- 相对发光强度
I
V REL
- 相对发光强度
2.0
红
1.6
1.2
红
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
590
1.2
0.8
0.4
I
F
= 2毫安
0
0
20
40
60
80
100
610
630
650
670
690
95 10051
T
AMB
- 环境温度( ° C)
95 10040
λ
- 波长(nm )
图。 4 - 相对。发光强度与环境温度
图。 7 - 相对强度与波长
2.4
I
V REL
- 相对发光强度
红
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
1
20
0.5
50
0.2
100 200
0.1 0.05
500 I
F
(MA )
0.02 t
p
/T
1
2
3
4
5
e
d
a
10
9
8
c
DP
7
6
f
g
b
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
g
f
A( C)
e
d
DP
c
A( C)
b
a
96 11678
95 10321
图。 5 - 相对。鲁敏。强度与FORW 。电流/占空比
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