【TDE1897CTDE1898C0.5A高侧驱动器工业智能电源开关初步数据0.5A输出电流18V至3】,IC型号TDE1897CDP,TDE1897CDP PDF资料,TDE1897CDP经销商,ic,电子元器件-51电子网

TDE1897C

TDE1898C

0.5A高侧驱动器

工业智能电源开关

初步数据

0.5A输出电流

18V至35V电源电压范围

内部电流限制

热关断

OPEN接地保护

内部负电压钳位

到V

- 45V FOR快速退磁

与大COM-差分输入

共模电压范围和阈值

迟滞

滞后欠压闭锁

负载开路检测

两个诊断输出

输出状态LED驱动器

描述

该TDE1897C / TDE1898C是单片的Intelli

在MULTIPOWER BCD技特电源开关

框图

MULTIPOWER BCD技术

MINIDIP

SIP9

订购号码：

SO20

TDE1897CDP

TDE1898CDP

TDE1898CSP

TDE1897CFP

TDE1898CFP

术，用于驱动电感或电阻负载。一个IN-

ternal钳位二极管能够快速德马格

netization感性负载。

诊断为CPU的反馈和广泛使用

电气保护措施使该器件inher-

ently indistructible并适于一般用途

构成工业应用。

1995年10月

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TDE1897C - TDE1898C

引脚连接

（ TOP VIEW ）

MINIDIP

SO20

SIP9

绝对最大额定值

（ MINIDIP引脚参考）

符号

– V

合计

英镑

参数

电源电压（引脚3 - 1 ）（T

<为10ms ）

供应输出的差分电压。又见V

3-2 （引脚3 - 2 ）

输入电压（引脚7/8 ）

差分输入电压（引脚7 - 8 ）

输入电流（引脚7/8 ）

输出电流（引脚2 - 1 ）。另请参见ISC

从感性负载的能量（T

= 85°C)

功耗。又见热特性。

工作温度范围（T

AMB

)

储存温度

价值

内部限制

-10到V

+10

内部限制

200

内部限制

-25至+85

-55到150

单位

°C

热数据

符号

第j个例

日J- AMB

描述

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

100

MINIDIP

SIP

SO20

单位

° C / W

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TDE1897C - TDE1898C

电气特性

= 24V ;牛逼

AMB

= -25至+ 85°C ，除非另有规定）

符号

SMIN

sth1

sth2

SHYS

DON

3-2

oslk

3-2

老

7-8

第i个

7-8

ITHS

7-8

ILK

7-8

参数

电源电压有效

诊断

电源电压（工作）

静态电流

OUT

= I

= 0

欠压阈值1

欠压阈值2

电源电压迟滞

短路电流

输出电压降

输出漏电流

低态输出电压

内部钳位电压（V

- V

)

负载开路检测电流

共模输入电压

范围（工作）

输入偏置电流

输入阈值电压

输入阈值迟滞

电压

差异。输入电阻

输入失调电流

（见图1 ）;牛逼

AMB

= 0至+ 85°C

（见图1 ）;环境温度Tamb = 0至+ 85°C

（见图1 ）;牛逼

AMB

= 0至+ 85°C

= 18 35V ;

= 1

@ I

OUT

= 625毫安;牛逼

= 25°C

@ I

OUT

= 625毫安;牛逼

= 125°C

@ V

= V

, V

= 0V

@ V

= V

; R

∞

@ I

= -500mA

= V

; T

AMB

= 0至+ 85°C

= 18 35V ，

= V

7-8 < 37V

= -7 15V ; -in = 0V

V +在> V-在

@ 0 < +在< + 16V ; -in = 0V

@ -7 < +在< 0V ; -in = 0V

V +时间= V-在

0V ＆ LT ; V

<5.5V

- 在 - GND

0V < V +在<5.5V

+ IN - GND

0V < V-在<5.5V

oth1

oth2

ohys

OSD

3-4

oslk

DGL

5/6

dglk

5/6

FDG

5/6-3

输出状态阈值1

电压

输出状态的阈值2

电压

输出状态门槛

迟滞

输出状态电流源

有源输出驱动器的状态

电压降

输出状态驱动器的泄漏

当前

诊断压降

诊断漏电流

钳位二极管的

诊断输出。

电压下降到V

（参见图1）

OUT

＆ GT ; V

oth1

, V

= 2.5V

– V

@ I

= 2毫安;

AMB

= -25 85°C

OUT

＆ LT ; V

oth2

, V

= 0V

= 18 35V

D1 / D2 = L @我

DIAG

- 0.5毫安

D1 / D2 = L @我

DIAG

= 3毫安

D1 / D2 = H @ 0 < V

＆ LT ; V

= 15.6到35V

@ I

DIAG

= 5毫安; D1 / D2 = H

0.3

0.7

250

1.5

+Ii

–Ii

+Ii

–Ii

+Ii

–Ii

–20

–75

–250

–100

–50

–7

–700

0.8

400

150

+20

–25

+10

–125

–30

–15

+50

1.4

0.8

0.4

0.75

250

400

15.5

1.5

425

600

300

1.5

700

400

测试条件

DIAG

> 0.5毫安@ V

dg1

= 1.5V

分钟。

2.5

4.5

典型值。

马克斯。

7.5

单位

记

VIL < 0.8V ， VIH > @ 2V （V +在> V-中） ;

所有的测试不耗散。

MINIDIP引脚参考。

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TDE1897C - TDE1898C

源漏NDMOS二极管

符号

消防处

2-3

参数

正向电压上

正向峰值电流

反向恢复时间

正向恢复时间

测试条件

@ I

消防处

± 625毫安

T = 10ms的; D = 20％的

= 625毫安的di / dt = 25A / μs的

200

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

单位

热特性（ * ）

LIM

结温。保护。

热滞

135

150

°C

开关特性

= 24V ;

= 48) (*)

关闭

打开延迟时间

关闭延迟时间

输入切换到诊断

有效

（ * ）未测试。

100

记

VIL < 0.8V ， VIH > @ 2V （V +在> V-中） ; MINIDIP引脚参考。

图1

诊断真值表

诊断条件

正常工作

开路负载条件（余

＆ LT ;我

老

)

短到V

对地短路（我

= I

)

(**)

TDE1897C

TDE1898C

输出DMOS打开

过热

电源欠压（V

＆ LT ; V

sth1

中的下降阶段

电源电压; V

＆ LT ; V

sth2

在供给的上升阶段

电压）

输入

产量

<H （ * ）

Diag1

Diag2

（* ）根据所述电流限制块的干预。

（** ）一种冷灯丝，或者一个容性负载可激活IPS中，电流限制电路，当所述的IPS最初被打开。 TDE1897

采用diag2已到信号这样的条件， TDE1898没有。

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TDE1897C - TDE1898C

应用信息

感性负载的退磁

一个内部的齐纳二极管，从而限制电压

横跨功率MOS为45度 55V

），提供安全，快速退磁

感性负载，无需外部钳位器件。

可以从被吸收的最大能量

感性负载被指定为200mJ （在

= 85°C).

以限定的最大开关频率3

点都需要考虑：

1 ）的总功耗的总和

在退磁的国家电力和

能量乘以频率。

2）在器件的总能量W消散

在去磁周期（菲格2 ， 3 ）为：

图3：

退磁周期波形

其中：

=钳位电压;

L =感性负载;

=阻性负载;

VS =电源电压;

= I

负载

3 ）在正常情况下的工作结

温度应保持低于125℃ 。

– V

–

– V

图2：

感性负载的等效电路

图4：

归一化

DSON

- 结

温度

D93IN018

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

-25

100

125

TJ （ ° C）

α=

导通电阻（ TJ ）

导通电阻（ TJ = 25 ° C）

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