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集成电路
数据表
TDA8003TS
I
2
C总线的SIM卡接口
产品speci fi cation
取代2000年的数据02月29日
在集成电路， IC02文件
2000年04月20
飞利浦半导体
产品speci fi cation
I
2
C总线的SIM卡接口
特点
用户识别模块（ SIM ）卡接口
按照GSM11.11 ， GSM11.12 （全球系统
移动通信）和ISO 7816的要求
V
CC
调节（ 3或5 V
±8%)
与控制上升和
下降时间
卡起飞的保护
一个保护和缓冲的伪双向I / O线
（ I / O参考V
CC
和SIMI / O参考V
DDI
)
时钟产生（高达10 MHz ）与同步启动
和倍频
时钟停止低，时钟停止高或1.25兆赫（从
内部振荡器）的卡掉电模式
的自动激活和去激活序列
独立的编曲
与CLK的计数自动处理引脚RST的
周期复位应答的启动（ ATR ）
热复位命令
电源电压监控器的上电复位，秒杀
杀戮和紧急停用的情况下，供应量
退学
DC至DC转换器（倍频，三倍频器或跟随器）
在3或5 V环境中运行，允许
(2.5
≤
V
DD
≤
6 V)
增强的静电放电（ ESD ）保护的
卡方（ 6千伏最低）
掉电模式有几个活跃的特点和
电流降低
关有2个模式
A
当前
通过一个400 kHz的奴隶从微控制器控制
I
2
C总线（ 4个可能的地址： 48H ， 4AH ， 4通道
和4EH ）
四个并联的设备可能由于2子地址
电线
由一个独立的电压供电接口信号
(1.5
≤
V
DDI
≤
6 V).
订购信息
TYPE
数
TDA8003TS/C1
TDA8003TS/C2
包
名字
SSOP24
SSOP24
描述
应用
GSM手机
TDA8003TS
SAM在银行终端接口
便携式读卡器等
概述
该TDA8003TS是一种低成本单芯片的SIM接口，在
按照GSM11.11 ， GSM11.12和EMV96
（欧陆，万事达，Visa ）卡具有电流限制。
由我控制
2
C总线，它是优化电路板方面
空间，外部元件数和连接数
（参见“应用程序信息” ） 。
集成的DC- DC转换器可确保充分
3或5伏卡和3或5 V之间的交叉兼容性
环境。在非常低的功率消耗
掉电模式和关机模式节省电池电量。
VERSION
SOT340-1
SOT340-1
塑料小外形封装; 24线索;体宽5.3毫米
塑料小外形封装; 24线索;体宽5.3毫米
2000年04月20
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
I
2
C总线的SIM卡接口
快速参考数据
符号
V
DD
I
DD
参数
引脚V电源电压
DDS
和V
DDP
引脚V电源电流
DDS
和V
DDP
关闭模式; V
DD
= 3 V
掉电模式; V
DD
= 3 V;
V
CC
= 5 V ;我
CC
= 100
A;
SIMCLK
连接到保护接地或V
DDI
;
CLK停止
主动模式; V
DD
= 3 V; V
CC
= 3 V;
I
CC
= 6毫安; F
CLK
± 3.25兆赫
主动模式; V
DD
= 3 V; V
CC
= 5 V;
I
CC
= 10毫安; F
CLK
± 3.25兆赫
主动模式; V
DD
= 5 V; V
CC
= 3 V;
I
CC
= 6毫安; F
CLK
± 3.25兆赫
主动模式; V
DD
= 5 V; V
CC
= 5 V;
I
CC
= 10毫安; F
CLK
± 3.25兆赫
V
DDI
V
CC
接口信号电源电压
卡供电电压
5 V卡;主动模式;
0℃，我
CC
< 15毫安; 40 NAS动态
负载200 nF的电容
3 V卡;主动模式;
0℃，我
CC
< 10毫安; 24 NAS动态
负载200 nF的电容
条件
分钟。
2.5
TDA8003TS
典型值。
马克斯。
6
2
500
单位
V
A
A
1.5
4.6
5
18
50
10
30
6
5.4
mA
mA
mA
mA
V
V
2.75
3
3.25
V
5 V卡;位PDOWN = 1;我
CC
< 5毫安4.6
3 V卡;位PDOWN = 1;我
CC
< 5毫安2.75
SR
t
de
t
法案
f
我（ SIMCLK ）
T
AMB
在V转换率
CC
（上升和下降）
失活的时间
激活时间
时钟输入频率
工作环境温度
C
L（ MAX）的
= 200 nF的
0.05
0
40
5.4
3.25
0.25
120
150
20
+85
V
V
V / μs的
s
s
兆赫
°C
2000年04月20
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
I
2
C总线的SIM卡接口
框图
TDA8003TS
手册，全页宽
VDDP
100 nF的
S3
4
VUP 8
100 nF的
保护地3
S4
6
100 nF的
S1
2
S2
7
5
2.2
F
VDDS
100 nF的
14
21
直流 - 直流
变流器
电压
监
SIMERR
DEL
10 nF的
15
TDA8003TS
SEQUENCER
VCC
200 nF的
12
18
VDDI
23
RST
13
I
2
C总线
类似物
DRIVERS
和
PROTECTIONS
国内
振荡器
接口
和
注册
22
19
20
1
17
SAD1
SAD0
SDA
SCL
PWROFF
SIMI / O
I / O
9
CLK
11
时钟
计数器
16
24
PRES
时钟
电路
10
SIMCLK
MGR434
SGND
图1框图。
2000年04月20
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
I
2
C总线的SIM卡接口
钉扎
符号
PWROFF
S1
保护地
S3
V
DDP
S4
S2
VUP
I / O
SGND
CLK
V
CC
RST
V
DDS
DEL
PRES
SIMI / O
V
DDI
SDA
SCL
SIMERR
SAD0
SAD1
SIMCLK
记
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
描述
控制输入进入关闭模式（低电平有效）
用于DC到DC转换器的电容器的连接（S1和S2之间）
电源地
用于DC - DC变换器电容连接（ S3和S4之间）
电源电压
用于DC - DC变换器电容连接（ S3和S4之间）
用于DC到DC转换器的电容器的连接（S1和S2之间）
的DC- DC转换器输出（必须与100nF的去耦至地）
输入/输出，并从该卡读取器（ C7I ） ;见图7
信号地
时钟输出到读卡器（ C3I ）
电源电压向卡读取器（文C1 i ）
复位输出到读卡器（ C2I ）
信号电源电压
对电压监控器的延迟外接电容器连接
卡存在指示输入（低电平有效） ;注1
TDA8003TS
输入/输出和从微控制器（内部20千欧的上拉电阻连接到V
DDI
)
电源电压与系统的接口信号
I
2
C总线的串行数据输入/输出
I
2
C总线串行时钟输入
中断输出（低电平有效;内部100 kΩ上拉电阻连接到V
DDI
)
I
2
C总线从地址选择输入
I
2
C总线从地址选择输入
外部时钟输入
1.卡存在输入负电流源。要与连接到V读卡器开关用于
DDS
或V
DDP
。该开关是常闭的，当卡不存在。如果开关连接是开路或销16
没有连接，那么界面会一直检测到当前卡（见图7） 。
2000年04月20
5
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