飞利浦半导体
客观规范修订版2.2
前置放大器为硬盘驱动器与
MR-读/感应写头
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特点
TDA5360
12通道设计,支持单条( SAL和GMR )读/薄膜写头。
设计目标350 Mbps的,当d = 0 (16 /17)速度的代码。
差分混合感读写器架构。
通过直接可编程恒定功率和恒定电流偏置的MR元件。
电压驱动的作家架构。
MR读偏置地面/感应写磁头。
短暂的上升和下降时间与附近的轨到轨电压摆幅。
双电源供电: +5.0 V和-5.0 V.
片上AC耦合消除MR磁头DC和DC偏移电压。
可编程3线串行接口进行编程( 3.3 V和5 V TTL / CMOS兼容) 。
写电流波形过冲广泛的可编程性。
可编程电压/电流模式写数据输入。
可编程电压/电流模式读出的数据输出。
可编程只读增益。
可编程读取器的输入阻抗。
热粗糙度检测,具有可编程的阈值。
热不均匀压缩具有广泛的可编程性。
高杂散噪声拒绝。
内部假人头部可用于MR的开关动作过程中头的保护。
快速模式可短写阅读模瞬变。
睡眠,待机,主动,伺服磁道写入和测试模式下可用。
支持伺服写作。
读/写故障检测与故障代码读回寄存器和故障屏蔽功能。
低功率电源故障保护。
短写入读取恢复,包括直流稳定。
片上数字化温度和MR元件的电阻值。
供应商ID和芯片版本寄存器。
违法多设备选择的检测。
2片CS0和CS1 ,硬连接,为多个前置放大器运行单独的激活。
需要一个外部电阻。
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应用
硬盘驱动器( HDD) 。
1998年7月30日
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飞利浦半导体
客观规范修订版2.2
前置放大器为硬盘驱动器与
MR-读/感应写头
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快速参考数据
符号
V
CC
V
EE
NF
IRNV
AVD
噪声系数
输入参考噪声
电压
微分增益
注3 ,第14节
RMR = 66Ω ; IMR = 8毫安;
10 MHz<f<100兆赫
V
IN
= 1mVpp @ 20兆赫,
R
Loaddif
= 330Ω , Imr之间= 8毫安,
Rmr=66,
GAIN0 = 0, GAIN1 = 1;
RMR = 66Ω , LMR = 30 nH的
-3dB :不带升压电路SAL
GMR
IMR = 8毫安, RMR = 66Ω ,
10MHz<f<200MHz
1 MHz<f< 10兆赫
f<100千赫, 1mV的输入信号
200mVpp在VCC或V型,
IMR = 8毫安, RMR = 66Ω ,
10MHz<f<200MHz
1 MHz<f<10兆赫
F < 100千赫
225
225
20
40
60
参数
直流电源电压
条件
分钟。
+4.5
-4.5
-5
1.7
0.8
50
典型值。
+5
TDA5360
马克斯。
+5.5
-5.5
1.7
单位
V
V
dB
内华达州/
sqrtHz
dB
f
HR
-3dB带宽
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
CMR
共模抑制
PSR
电源抑制
20
40
60
0.84
4
3
10
10.2
6 .1
50.3
40
dB
dB
dB
ns
mA
mA
mA
兆赫
t
r
, t
f
I
MR( PR )
I
WR (二- p)的
f
SCLK
写入电流上升/下降时间IWR = 50毫安; F = 20 MHz的;
( -0.8 * IWR = > 0.8 * IWR )
L
H
= 75nH ,R
H
=10
编程MR偏见
电流范围
编程写入电流
范围(基极 - 峰值)
串行接口的时钟速率
SAL
GMR (见注10节)
REXT
=
10 k
1998年7月30日
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飞利浦半导体
客观规范修订版2.2
前置放大器为硬盘驱动器与
MR-读/感应写头
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描述
TDA5360
此处所描述的+/- 5.0伏特的预放大器,用于硬盘驱动器已经被设计为12的终端,包括一个SAL或GMR的
磁阻读取器和感应薄膜作家。在读模式下,器件的低噪声差分
前置放大器,其检测在所述MR元件对应于通量的磁盘上的变化的电阻变化。在写
模式时,电路作为一个薄膜磁头的电流开关,驱动磁头的感应元件。
该IC集成了读取放大器,可编程增益和高频提升,写放大器, 3线串行接口,
数字 - 模拟转换器,热粗糙度检测仪和可编程微粒热压缩机,参考
并在双电源电压为+/- 5V ( +/- 10 % )操作控制电路。
读放大器具有可编程的媒体输入阻抗。在MR的两个端子之间的DC偏移
头是用一个芯片上的交流耦合消除。的带宽可以通过使用可编程的高频增强
增益提升。快速建立功能的使用,以保持瞬态短路。作为一个选项,该读放大器可以留
在写入过程中,以进一步减少这些瞬变的持续时间偏置。
写入放大器具有可加入到可编程稳态写一个可编程的电流过冲
电流。
提供了一种用于各种读出或写入的不安全条件的故障保护。为了增加数据保护,内部上拉
电阻连接到RWN , CS0 , CS1 , STWN , WDP和WDN引脚和下拉电阻连接到SEN ,
SDATA ,SCLK DRN和BFAST销,以防止意外写入因开线,以确保该装置将电源
在非书写状态。
片上数字到模拟转换器MR偏置电流或功率和写入电流通过一个3线串行编程
界面。磁头选择,模式控制,测试和伺服书写,也可以使用串行接口进行编程。
在休眠模式下, CMOS串行接口operationnal 。图2示出了集成电路的方框图。无效的头选择
代码禁用作家,选择假人头部,并触发FLT输出。
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订购信息
扩展型数
TDA5360UH
TDA5360UK
图1型号数量
包
裸模
凸点芯片
1998年7月30日
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