添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第715页 > TDA5153X
集成电路
数据表
TDA5153
前置放大器为硬盘驱动器
器(HDD)的MR读/感应写
初步speci fi cation
在集成电路, IC11文件
1997年7月2日
飞利浦半导体
初步speci fi cation
预扩增fi er的硬盘驱动器( HDD)
与MR-读取/写入的感应头
目录
1
2
3
4
5
6
7
8
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
8.8
8.9
8.10
8.10.1
8.10.2
8.10.3
8.10.4
8.10.5
8.10.5.1
8.10.5.2
8.10.5.3
8.10.6
8.10.7
8.10.8
8.10.9
8.10.10
8.11
8.12
9
10
11
12
13
14
15
16
17
特点
应用
概述
订购信息
快速参考数据
框图
钉扎
功能说明
读取模式
写模式
睡眠模式
待机模式
主动模式
双向串行接口
地址
编程数据
读数据
串行接口的操作
CON组fi guration
功率控制
头选择
伺服写
TEST
MR磁头测试
温度监控
热粗糙度检测仪
写放大器的可编程电容器
高频增益衰减极点寄存器
高频增益提升寄存器
解决脉冲
地址寄存器
HEAD不安全
HUS调查
极限值
处理
热阻
推荐工作
条件
特征
包装外形
焊接
德网络nition
生命支持应用
TDA5153
1997年7月2日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
预扩增fi er的硬盘驱动器( HDD)
与MR-读取/写入的感应头
1
特点
3
概述
TDA5153
专为4 ( TDA5153BG )或6双条纹
MR-读取/写入的感应头
电流偏置电流检测架构
单电源电压( 5.0 V
±10%);
一个单独的写
驱动电源引脚,可以从V偏置
CC
8个V + 10 %
接地MR元件(GND)的
相等的偏置电流在每个头的二个MR条纹
片上AC耦合消除MR磁头直流偏移
编程3线串行接口
可编程高频零极点增益提升
可编程写入驱动器的补偿电容
MR可编程的偏置电流和写电流
1位可编程增益读
提供睡眠,待机,主动和测试模式
头的测量电阻在测试模式
在测试模式下,一个MR偏置电流可以被强制为
最小电流
短写入电流上升和下降时间接近轨至轨
电压摆幅
前往不安全引脚的异常情况信号
和行为
低电源电压写入电流抑制(主动或
不活动)
支持伺服写作
提供了温度监控器
热粗糙度检测,可编程
门限电平
仅需要一个外部电阻。
2
应用
这里所描述的5.0 V前置放大器为硬盘驱动器是
设计为五个端子,双条磁阻
( MR) - 读取/感应写磁头。磁盘的磁盘
驱动器被连接到地。为了避免电压
突破性的头和盘, MR之间
磁头元件也连接到地。该
双条纹头放大器组合的对称性
差动自动区分
诸如信号和类似的共模信号的影响
干扰。后者被放大器拒绝。
该IC集成了放大器读,写放大器,串行
接口,数字 - 模拟转换器,附图和
其中在单电源电压工作控制电路
5 V
±10%.
输出驱动器具有单独的电源
电压端子,可以连接到一个较高的电源
电压高达8 V +的10%。互补输出
写放大器的阶段允许书面附近
横跨感应式写磁头的轨到轨的峰值电压。
读出放大器具有低的输入阻抗。该DC
MR头的两个条之间的偏移被消除
使用芯片上的AC耦合。快速建立功能的使用
保持瞬态短路。作为一个选项,该读
在写入过程中,以减小放大器可左偏
这些瞬变的持续时间,甚至更多。系列
电感在放大器和MR之间的引线
头会影响其可以是带宽
通过使用可编程高频补偿
增益 - 升压( HF零) 。高频噪声和带宽可以
使用可编程高频衰减
增益衰减器( HF杆) 。
片上的数字 - 模拟转换器用于MR偏置电流
写电流通过一个3线串行编程
界面。头选择,模式控制,检测和伺服
写作也可以使用串行接口进行编程。
在休眠模式下的CMOS串行接口的操作。
图1示出该装置的方框图。
硬盘驱动器( HDD) 。
4
订购信息
TYPE
TDA5153X
TDA5153AG;
TDA5153BG
名字
LQFP48
裸模
塑料低廓四方扁平的封装; 48线索;体7
×
7
×
1.4 mm
描述
VERSION
SOT313-2
1997年7月2日
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
预扩增fi er的硬盘驱动器( HDD)
与MR-读取/写入的感应头
5
快速参考数据
符号
V
CC
V
CC( WD)的
F
V
NIR
G
V( DIF )
参数
电源电压
写驱动电源电压
噪音科幻gure
R
MR
= 28
;
I
MR
= 10毫安;
T
AMB
= 25
°C;
F = 20MHz的
条件
分钟。
4.5
V
CC
典型值。
5.0
8.0
3.0
0.9
TDA5153
马克斯。
5.5
8.8
3.2
1.0
单位
V
V
dB
纳伏/赫兹÷
输入参考噪声电压;看到
MR
= 28
;
I
MR
= 10毫安;
在第13章注释3
T
AMB
= 25
°C;
F = 20MHz的
差分电压增益
从头部投入RDX , RDY ;
R
MR
= 28
;
I
MR
= 10毫安
D4 =逻辑0
D4 =逻辑1
160
226
220
45
25
80
50
兆赫
dB
dB
dB
dB
B
3
db
CMRR
PSRR
3
分贝带宽
共模抑制比;
R
MR
不匹配<5 %
电源抑制比
(输入参考) ;
R
MR
不匹配<5 %
上升/下降时间(10% 90 %)
无增益带宽上限
升压( 4 NH引线电感)
I
MR
= 10毫安; F < 1兆赫
I
MR
= 10毫安; F < 100兆赫
F < 1兆赫
F < 100兆赫
L
h
= 150 nH的;我
WR
= 35毫安;
F = 20MHz的
V
CC( WD)的
= 8.0 V
V
CC( WD)的
= 6.5 V
t
r
, t
f
5
20
1.8
2.1
20.5
51
25
ns
ns
mA
mA
兆赫
I
MR( PR )
编程MR偏置电流
R
EXT
= 10 k
R
EXT
= 10 k
I
WR ( PR ) (B -P )
编程写入电流
范围(基极 - 峰值)
f
SCLK
串行接口的时钟速率
1997年7月2日
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
预扩增fi er的硬盘驱动器( HDD)
与MR-读取/写入的感应头
6
框图
VCC
11
WDlx
WDLY
IWDlx
(1)
IWDly
(1)
2
3
写入驱动器
输入
FF
6
(3)
VCC( WD)的
( 5-8 V)的
48
TDA5153
手册,全页宽
TDA5153
6
(3)
15
(2)
, 20, 26,
33, 39, 44
(2)
14
(2)
, 19, 25,
32, 38, 43
(2)
NWY
NWX
HUS
1
HEAD不安全
指标
6
(3)
低电源
电压
指标
当前
来源
写入驱动器
读PREAMP
(6×)
(3)
REXT
12
电压
参考
+V
CC
TAS
探测器
串行
接口
20 k
4
5
3
6
头选择
6
(3)
读/写
SCLK
SEN
SDATA
4
7
5
RMR
5
4
4
9
RDX
RDY
10
6
(3)
8, 13
MGK422
当前
来源
6
(3)
18
(2)
, 23, 29,
36, 42, 47
(2)
17
(2)
, 22, 28,
35, 41, 46
(2)
16
(2)
, 21, 27,
34, 40, 45
(2)
NRY
6
(3)
NGND
NRX
GND
引脚编号对应TDA5153AG和TDA5153BG只。见图3和第7章的牵制TDA5153X的。
( 1 )仅适用于裸模。
( 2 )缺席TDA5153BG ( 4通道版本) 。
(3) 4上TDA5153BG 。
图1框图。
1997年7月2日
5
查看更多TDA5153XPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TDA5153X
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

查询更多TDA5153X供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!