初步数据表
TDA21201
集成开关
（ MOSFET驱动器和MOSFET ）
特点
替换用的DC / DC的一部分仅半导体
功率级为12 V
à
1 ... 3.3 V转换：
FET驱动器+高侧FET +低边FET
通过减小静态和动态损耗提高了效率
超过85 ％，由于优化的MOSFET和驱动程序
降低整体元件数量和电路板空间消耗
简化和缩短了电路设计和布局
无需外部自举元件
提供简单的整体输出电流可扩展性
保护司机和反对过MOSFET的
温度和直通Vcc的问题
à
GND
实现最低的热阻Rthjc和Rthja
使用知名的，易于组装和强大
标准的TO-220和TO- 263 （ DPAK ）包
无需单独的电源电压，除非12 V操作
三态输入以启用关机模式，关闭
两个MOSFET
兼容标准的2-，3-， 4- ，6-相位PWM控制器
ICS
非常适用于紧凑型，高效率，多相位电压
在主板和VRM的监管
包
TO-220-7-3
TO-220-7-230
TO-263-7-2
记号
21201P7
21201S7
21201B7
订购代码
Q67042-S4100
Q67042-S4101
Q67042-S4099
P-TO220-7-3
P-TO220-7-230
1
P-TO263-7-2
7
TYPE
TDA21201-P7
TDA21201-S7
TDA21201-B7
引脚配置和功能
引脚数
1,2,3
4/tab
5
6,7
引脚名称
GND
V
OUT
IN
V
CC
引脚说明
地
从MOSFET的公共结点的输出电压
从PWM控制器的输入信号
电源电压MOSFET和驱动IC
概述
集成开关TDA21201集成了智能MOSFET驱动器和两个
在单一封装的功率MOSFET ，以形成一个完全集成和优化的动力
的DC / DC同步降压转换器的阶段，包括引导部件
用于高侧MOSFET 。
功率MOSFET是为最低的静态和动态损耗为12 V优化
亚3.5 V转换，可以处理高达30 A的输出电流。该TDA21201是
使用低Rth的7引脚在国家的最先进的Infineon's多芯片组件制造
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APR- 29 ， 2002年
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TDA21201
TO-220封装或与其相关的贴片对应的TO- 263和Infineon's最新
芯片技术。
框图
V
CC
= 12 V （引脚6-7 ）
高侧FET
V
IN
以PWM IC
（引脚5 ）
FET驱动器
电路
V
OUT
输出电感器
（ 4针/制表）
低边FET
GND
（引脚1-3）
绝对最大额定值
在TJ = 25 ° C，除非另有说明
参数
提供给“ VCC ”引脚电压峰值
提供给“IN”针D峰值电压
IN_PEAK
< 10 ％
在“ Vout的'连接到GND峰值电压
最大直流输出电流，V
CC
= 12 V, V
OUT
≤
3.3 V
结温
储存温度
铅温度TO- 263 ;
MSL1 ， IPC / JEDEC J- STD- 020A
铅温度TO- 220 （焊接， 10秒）
ESD额定值（人体模型）
IEC气候类型; DIN EN 60068-1
符号
V
CC_PEAK
V
IN
V
OUT_PK
I
OUT_MAX
T
J
T
S
T
L
T
L
ESD
单位
价值
分钟。马克斯。
-5
-5
-10
-55
20*
10
20*
30
150
150
225
260
2k
55/150/56
V
-
V
A
°C
*正峰值电压（ =在开关瞬态过冲电压）的VCC引脚和
OUT引脚/标签被集成交换机本身的限制（请，请参阅“过电压保护
VCC “款
热特性
参数
热电阻，结 - 壳
热阻，结到环境，含铅
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符号
值
单位
分钟。典型值。马克斯。
1.9 K / W
62.5
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TDA21201
工作条件
在TJ = 25 ° C，除非另有说明
参数
电压提供给
“ VCC ”销
电压“IN”低
电压“IN”高
输入信号转换
频率
脉冲宽度输入
功耗
结温
符号
V
CC
V
IN_L
V
IN_H
f
t
P_IN
P
合计
T
J
条件
单位
值
分钟。典型值。马克斯。
9
-0.5
2.1
100
90
-25
10
125
15
V
0.8
5.5
500
千赫
ns
W
°C
时序图
50%
V
IN
50%
V
OUT
t
D（上）
t
D（关闭）
典型用途
电路设计人员会重视集成开关TDA21201的成本优化
使用的Vcc = 12功率级解决方案中的高密度的DC / DC转换应用
V输入，其中的效率和电路板空间是一个问题，如在多相
微处理器电源上主板，在的VRM和服务器。
该TDA21201还可以用于功率逻辑电路，存储器银行等那
需要更高的电压，例如2.5或3.3 V的集成交换机的效率和
该转换器的整体效率甚至会上浮在这些升高的输出
电压相比，这个数据手册中给出稍后1.6 V效率。
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TDA21201
设计使用TDA21201 12 V至子3.3 V转换器
基本信息
设计一个多相变换器具有12V输入简单地在每个阶段使用
只是一个TDA21201而是采用了MOSFET驱动器，高侧MOSFET ，
引导部件，以及一个或多个低侧的MOSFET。整个
转换器由输入滤波器，输出滤波器和多相完成
PWM IC 。
输入兼容标准的PWM控制器/关机模式
该集成开关TDA21201具有高阻抗输入引脚“IN”是
连接到PWM控制器输出“ PWM1 ”，“ PWM2 ”等，下沉或来源
从控制器输出一个毫安的仅一小部分。该TDA21201是
在信号电平而言兼容于标准控制器和驱动信号
（5V TTL）和在的“低” / “高”的关系术语（ “低”变为低侧
MOSFET上， “ High`打开高侧MOSFET ） 。
该TDA21201可以关闭（高边MOSFET和低边
MOSFET是由施加输入信号V截止）
IN
= 1.2 ... 1.6 V的更多
比1.5 μs的典型。这样的TDA21201通过减少功率耗散
既节省了高边和低边MOSFET的栅极电荷
在无负载条件下。在关机状态下被终止时， V
IN
MOVES
到“低”或“高”阈值。
典型应用： 12 V
à
1.x的V n相转换器使用TDA21201
12 V
FET
司机
1
PWM 1
L
1
1...2 V
C
PWM
IC
PWM 2
PWM
L
N
FET
司机
N
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