TD74BC541P/F
东芝双CMOS数字集成电路硅单片
TD74BC541P,TD74BC541F
八路总线缓冲器，具有三态输出（非反相）
该TD74BC541P / TD74BC541F是一个高速八进制3态
缓冲与制造硅栅双CMOS技术。它
而实现高速相当于FAST家族的动作
同时保持双CMOS低功率耗散。
该TD74BC541P / F是一个非反相缓冲器。它是由控制
两个使能输入（ OE0 ， OE1 ） 。当任一OE0和OE1是
高，所有八个输出处于高阻抗状态，从而
促进与公交线路的接口。
所有的输入都配有电阻和二极管保护
对静电放电（ ESD ） 。
TD74BC541P
特点
·
·
·
·
·
·
高速运转........................吨
pd
= 4.8纳秒（典型值）。
对称的输出阻抗.......我
OH
=
15
毫安（最大）
I
OL
= 48 MA（最大）
低功耗......................我
CCD
= 8 mA（典型值）
I
CCZ
= 10
mA
（典型值）。
工作温度范围..........大=
40°C
至85℃
高ESD保护......................... 2000 V（ MIL标准）
引脚和功能与FAST兼容（ 74F541 ）
TD74BC541F
重量
DIP20 -P - 300-2.54A ：1.48克（典型值）。
SOP20 -P - 300-1.27 0.25克（典型值）。
输入保护电路和输出等效电路
V
CC
V
CC
输入
产量
1
2002-07-11
TD74BC541P/F
推荐工作条件
特征
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
工作温度
高层
低层
符号
V
CC
V
IN
V
O
I
OH
I
OL
T
OPR
民
4.5
0
0
-40
典型值。
5.0
25
最大
5.5
V
CC
V
CC
-15
48
85
单位
V
V
V
mA
°C
电气特性
DC特性
（除非另有规定，V
CC
=
4.5 V至5.5 V ，TA
= -
40C至85C ）
°
°
特征
高层
低层
输入钳位电压
符号
V
IH
V
IL
V
IK
I
IK
= -18
mA
I
OH
= -3.0
mA
高层
输出电压
低层
V
OL
I
I
输入电流（所有输入引脚）
I
IH
I
IL
3 - OFF状态泄漏电流
输出短路电流
（注2 ）
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
CCL
V
OH
I
OH
= -3.0
mA
I
OH
= -15
mA
I
OL
=
24毫安
I
OL
=
48毫安
V
IN
=
V
CC
V
IN
=
2.7 V
V
IN
=
0.5 V或GND
V
O
=
2.7 V
V
O
=
0.5 V
V
O
=
GND
V
IN
=
V
CC
或接地
所有的输出为低。
V
IN
=
V
CC
或接地
所有输出都很高。
V
IN
=
V
CC
或接地
I
CCZ
所有输出都在
高阻抗状态。
一个输入： V
IN
=
0.5 V
其他输入： V
CC
或GND
一个输入： V
IN
=
V
CC
-
2.1 V
其他输入： V
CC
或GND
5.5
10
50
测试条件
V
CC
4.5
4.5
4.75
4.5
4.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
民
2.0
2.4
2.7
2.0
-100
典型值。
（注1 ）
3.4
3.4
20
最大
0.8
-1.2
0.5
0.55
±1.0
±1.0
±1.0
50
-50
-255
27
mA
mA
mA
mA
V
V
单位
输入电压
V
静态电源电流（总）
I
CCH
5.5
10
50
mA
DI
CC1
静态电源电流（每比特）
DI
CC2
1.5
mA
1.5
注1 ：典型值测量V
CC
=
5.0 V和Ta
=
25°C.
注2 ：只有一个输出的时间应短。持续时间不应该超过一秒。
3
2002-07-11
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