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TD62C851,852PG
东芝双CMOS集成电路硅单片
TD62C851PG,TD62C852PG
8BIT串入并出移位寄存器/锁存器驱动程序
该TD62C851PG和TD62C852PG是单片电路
设计成一起用Bi- CMOS集成电路中使用。
该器件包括一个8位的移位寄存器, 8位锁存器和8
输出电路(积分钳位二极管的开关电感
负载) 。
后缀( G)附加部件号表示铅
(以Pb计) - 免费的产品。
特点
8位串入并出移位寄存器/锁存驱动器
(BI - CMOS工艺)
输出维持电压; 50 V
输出电流;
TD62C851PG 200毫安/ CH (低饱和型)
TD62C852PG 500毫安/通道(达林顿型)
内置输出钳位二极管
CMOS兼容输入
套餐; DIP20 -P- 300A
重量:2.25克(典型值)。
引脚连接
( TOP VIEW )
1
2006-06-14
TD62C851,852PG
框图
时序图
2
2006-06-14
TD62C851,852PG
的输入和输出的等效
S- IN,时钟端等效电路
LATCH
,
RESET
终端等效电路
启用
终端等效电路
S- OUT端子等效电路
输出端等效电路
(TD62C851PG)
输出端等效电路
(TD62C852PG)
注意:
输出寄生二极管不能被用作钳位二极管。
3
2006-06-14
TD62C851,852PG
真值表
CK
E
L
L
L
H
(*)
(*)
(*)
(*)
H
R
H
H
H
H
(*)
L
LATCH
H
H
L
(*)
(*)
H
L
S- IN
L
H
(*)
(*)
(*)
(*)
(*)
OUT
O1
关闭
ON
NC
关闭
NC
关闭
NC
On
ON - 1
ON - 1
NC
NC
NC
关闭
NC
S- OUT
Q
7
Q
7
Q
7
Q
7
Q
7
L
L
CK =时钟
E =启用
R =重置
LATCH = LATCH
S- IN = IN SERIAL
OUT =并行输出
S- OUT =串行输出
( * ) = DO NOT CARE
NC =无变化
L =低电平
H =高电平
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
电源电压
输出端耐受电压
输出电流
输入电压
功耗
工作温度
储存温度
TD62C851PG
TD62C852PG
符号
V
DD
V
CE ( SUS)
I
OUT
V
IN
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
0.3~7.0
0.5~50
200
500
~0.4~V
DD
+ 0.3
1.47
40~85
55~150
单位
V
V
毫安/通道
V
W
°C
°C
4
2006-06-14
TD62C851,852PG
推荐工作条件
(大=
40~85°C)
特征
电源电压
输入电压
输出电流( “ H”电平)
输出电压( “L”级)
S- OUT
On
S- OUT
符号
V
DD
V
IN
I
OH
V
OH
TA = 25°C
1直流电路, TA = 25℃
TD62C
851PG
产量
当前
(“L”电平)
TD62C
852PG
On
I
OL
8电路
T
pw
= 25毫秒
TA = 85°C
V
DD
= 5.5 V
占空比= 10 %
占空比= 40 %
条件
4.5
0
0
0
0
0
0
0
0
1.5
0.33
100
100
0
0
0
典型值。
5.0
最大
5.5
V
DD
0.4
50
0.4
160
160
95
400
400
170
50
160
400
兆赫
s
ns
ns
V
mA
毫安/
ch
单位
V
V
mA
V
D C 1的电路, TA = 25℃
8电路
T
pw
= 25毫秒
TA = 85°C
V
DD
= 5.5 V
f
时钟
f
W时钟
t
格局
t
HOLD
V
R
I
F
占空比= 10 %
占空比= 50 %
时钟频率
时钟脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
钳位二极管的反向电压
钳位二极管正向
当前
TD62C851PG
TD62C852PG
5
2006-06-14
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    TD62C851PG
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