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TD62783,784AP/AFW
东芝双极型数字集成电路硅单片
TD62783AP,TD62783AFW,TD62784AP,TD62784AFW
(东芝马来西亚制造)
8CH高压电源驱动器
该TD62783AP / AFW系列是由8个源
目前的晶体管阵列。
这些驱动程序专为荧光显示屏设计
应用程序。
应用范围包括继电器,锤子和灯驱动器。
特点
l
高输出电压
型AP , AFW : V
CC
= 50 V最小。
F型
: V
CC
= 35 V最小。
l
输出电流(单输出)I
OUT
=
500
马敏。
l
输出钳位二极管
l
单电源电压
l
输入各种类型的逻辑兼容
l
封装类型-AP
: DIP - 18针
l
封装类型, AFW : SOL -18针
TYPE
TD62783AP / AFW
TD62784AP / AFW
称号
TTL , 5 V CMOS
6 15 V PMOS , CMOS
重量
DIP18 -P - 300-2.54F : 1.478克(典型值)
SOL18 -P - 300-1.27 0.48克(典型值)。
引脚连接
( TOP VIEW )
示意图
(每个驱动程序)
注意:
输入和输出寄生二极管可以不
用作钳位二极管。
1
2001-07-05
TD62783,784AP/AFW
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
电源电压
输出电流
输入电压
钳位二极管的反向电压
钳位二极管的正向电流
功耗
工作温度
储存温度
AP
AFW
符号
V
CC
I
OUT
V
IN
(注1 )
V
IN
(注2 )
V
R
I
F
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
50
500
15
30
50
500
1.47
0.92 / 1.31 (注3)
40~85
55~150
单位
V
毫安/通道
V
V
mA
W
°C
°C
注1 :只有TD62783AP / AFW
注2 :只有TD62784AP / AFW
注3 :在玻璃环氧树脂印刷电路板( 75 × 114 × 1.6毫米铜20 % )
推荐工作条件
(大=
40~85°C)
特征
电源电压
符号
V
CC
测试条件
占空比= 10 % 8Circuits
输出电流
I
OUT
AFW
输入
电压
产量
On
产量
关闭
TD62783AP / AFW
TD62784AP / AFW
TD62783AP / AFW
TD62784AP / AFW
TD62783AP / AFW
TD62784AP / AFW
AP
AFW
V
IN
TA = 85°C
占空比= 50 % 8Circuits
T
j
= 120°C
T
pw
= 25ms的占空比= 10 % 8Circuits
占空比= 50 % 8Circuits
TA = 85°C
TA = 85°C
(注)
2.0
4.5
0
0
典型值。
5.0
12.0
最大
50
260
59
180
38
12
24
15
30
0.8
2.0
50
35
400
0.76
0.48
V
mA
W
V
V
毫安/
ch
单位
V
V
IN(上)
输入
电压
V
中(关闭)
钳位二极管的反向
电压
钳位二极管的正向电流
功耗
V
R
I
F
AP
AFW
P
D
注意:
在玻璃环氧树脂印刷电路板( 75 × 114 × 1.6毫米铜20 % )
2
2001-07-05
TD62783,784AP/AFW
电气特性
( TA = 25°C )
特征
输出漏电流
符号
I
CEX
TEST
税务局局长
CUIT
1
测试条件
V
CC
= V
CC最大。
V
IN
= 0.4 V
TA = 25°C
V
IN
= V
IN(上)
,
I
OUT
=
350
mA
输出饱和电压
V
CE (SAT)
2
V
IN
= V
IN(上)
,
I
OUT
=
225
mA
V
IN
= V
IN(上)
,
I
OUT
=
100
mA
TD62783AP / AFW
输入电流
TD62784AP / AFW
TD62783AP / AFW
输入电压
TD62784AP / AFW
TD62783AP / AFW
TD62784AP / AFW
电源电流
钳位二极管的反向电流
钳位二极管的正向电压
导通延迟
关断延时
I
IN(上)
3
V
IN
= 2.4 V
V
IN
= 3.85 V
V
IN
= 5 V
V
IN
= 12 V
V
IN(上)
4
V
中(关闭)
I
CC (ON)的
I
R
V
F
t
ON
t
关闭
3
5
6
7
V
CE
= 2.0 V
I
OUT
=
350
mA
I
OUT
=
500
A
V
IN
= V
IN(上)
, V
CC
= 50 V
V
R
= 50 V
I
F
= 350毫安
V
CC
= V
CC最大。
R
L
= 125
C
L
= 15 pF的,R
L
= 88
(F)
0.8
2.0
典型值。
36
180
92
790
0.15
1.8
最大
100
2.0
1.9
1.8
52
260
130
1130
2.0
4.5
2.5
50
2.0
毫安/
ch
A
V
s
V
A
V
单位
A
3
2001-07-05
TD62783,784AP/AFW
测试电路
1.
I
CEX
2.
V
CE (SAT)
3.
I
IN(上)
, I
CC
4.
V
IN(上)
, V
中(关闭)
5.
I
R
6.
V
F
7.
t
ON
, t
关闭
注1 :脉冲宽度为50μs ,占空比10 %
输出阻抗50
,
t
r
5纳秒,T
f
10纳秒
注2 :C
L
包括探头和夹具电容
使用注意事项
该IC不集成保护电路,如过电流和过电压保护器。
因此,如果过量的电流或电压施加到集成电路,所述集成电路可能会被损坏。请设计的IC ,使
过量的电流或电压将不会被施加到IC 。
极其小心是必要的,在输出线, Ⅴ的设计
CC
并且由于集成电路GND线可能由于被破坏
由不正确的接地输出,空气污染故障,或故障之间的短路。
4
2001-07-05
TD62783,784AP/AFW
5
2001-07-05
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TD62783784AP
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