TCV7106FN
东芝CMOS集成电路硅单片
TCV7106FN
降压型DC -DC转换器IC
该TCV7106FN是一个单芯片的降压型DC-DC转换器的集成电路。
该TCV7106FN包含高速，低导通电阻的功率
MOSFET作为主开关，并具有可切换的操作模式，
同步和非同步的。所以TCV7106FN可以实现
高效率在大负载电流范围。
特点
允许高达2.5A （ @ V
IN
=
5V)
／2A
(@ V
IN
=
负载3.3V ）
电流（I
OUT
），用最少的外部元件。
高效率：
η
=
95 ％ （ TYP 。 ）
重0.017克（典型值）
（同步模式@V
IN
=
5V, V
OUT
=
3.3V ，我
OUT
=
0.7A)
高效率在大负载电流范围，因为可切换动作模式实现，同步和
非同步。
工作电压范围： V
IN
= 2.7V至5.6V
低导通电阻，R
DS （ ON）
=
0.18Ω （高压侧）
/
0.12Ω （低侧）的典型（ @V
IN
=
5V ，T
j
=
25°C)
振荡频率：F
OSC
=
的550kHz （典型值）。
反馈电压： V
FB =
0.8V
±
1% (@T
j
=
0至85 ℃）下
采用内部相位补偿，实现了高效率与极少的外部元件。
允许使用小型表面贴装陶瓷电容作为输出滤波电容。
装在一个小型表面贴装封装（ PS -8）具有低热阻。
最热
型号（或缩写代码）
LOT号
引脚分配
L
X
EN
模式
8
7
6
V
FB
5
V 1 0 6_
点（ ）在顶表面上指示针1 。
1
保护地
2
V
IN1
3
V
IN2
4
SGND
批号由三个数字组成。第一位数字代表制造年份的最后一个数字，而
制造的01 ，要么52或53周后两位数字表示。
制造业星期代码
（这一年的第一周是01 ，上周为52或53 ）
生产年份代码（制造年份的最后一位数字）
零件号后的下划线“_”表示另外的反馈引脚电压的检测。
本产品具有MOS结构，对静电放电很敏感。小心轻放。
这个文件（ “产品”）中的产品（S ）包含的功能旨在保护产品免受临时
少量过载，如轻微的短期过流，过热或。保护功能不一定
保障产品在任何情况下。当产品纳入到你的系统，请设计系统
一旦该产品避免这种过载，并关闭或以其他方式减轻这种过载条件下的产品
后立即发生。有关详情，请参阅本文档和其他在下面出现的音符
本文档中引用的文件。
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2011-11-05
TCV7106FN
订购信息
产品型号
TCV7106FN （ TE85L ， F）
航运
压纹带（ 3000单位每卷）
框图
V
IN2
V
IN1
坡
振荡器
下
电压
封锁
模式
反馈引脚
电压检测
-
+
电流检测
+
赔偿金
-
控制
逻辑
司机
L
X
短路
保护
0.36V
V
FB
软
开始
误差放大器器
-
+
相位补偿
保护地
EN
Ref.Voltage
(0.8V)
SGND
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
保护地
V
IN1
V
IN2
SGND
V
FB
接地引脚输出部分
输入引脚的输出部分
该引脚被放置在备用状态，如果V
EN
=
L.待机电流是10μA或更小。
输入引脚控制部分
该引脚被放置在备用状态，如果V
EN
=
L.待机电流是10μA或更小。
接地引脚控制部分
反馈引脚
该输入被送入与0.8V的参考电压内部误差放大器（典型值） 。
模式选择引脚
当EN
≥
1.5V (@ V
IN
=
5V ）时，同步整流器类型施加和内部低压侧
场效应管被允许工作。因此TCV7106FN工作在PWM模式。
6
模式
当EN
≤
0.5V (@ V
IN
=
5V） ，非同步整流式施加和内部
低边FET不允许操作。肖特基势垒二极管之间应连接
PGND和LX引脚
该引脚被上拉至1.2μA （典型值）的操作。
使能引脚
7
EN
当EN
≥
1.5V (@ V
IN
=
5V） ，内部电路被允许工作，从而使
切换输出部分的操作。当EN
≤
0.5V (@ V
IN
=
5V） ，内部电路是
残疾人，把在待机模式下的TCV7106FN 。
该引脚有大约一个内部下拉电阻。 500kΩ的。
8
L
X
开关引脚
该引脚被连接到高侧P沟道MOSFET和低压侧的N沟道MOSFET 。
描述
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2011-11-05
TCV7106FN
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
（注）
特征
输入引脚电压输出部分（注1 ）
输入引脚电压控制部分（注1 ）
反馈引脚电压
使能引脚电压
模式选择引脚电压
V
EN
– V
IN2
电压差
V
模式
– V
IN2
电压差
开关引脚电压
开关引脚电流
功耗
工作结温
结温
储存温度
（注4 ）
（注3）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
IN1
V
IN2
V
FB
V
EN
V
模式
V
EN
-V
IN2
V
模式
-V
IN2
V
LX
I
LX
P
D
T
JOPR
T
j
T
英镑
等级
0.3
7到
0.3
7到
0.3
7到
0.3
7到
0.3
7到
V
EN
– V
IN2
＆ LT ;
0.3
V
模式
– V
IN2
＆ LT ;
0.3
0.3
7到
±2.9
0.9
40
to125
150
55
to150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C
热阻特性
特征
热阻，结到环境
符号
R
号（j -a）的
最大
110.2 （注3）
单位
° C / W
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和显著的应用
温度变化等），可能会导致该产品的可靠性降低显著即使
工作条件（即工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值
和操作的范围内。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）
注1 ：即使操作连续使用本产品可能会导致可靠性降低显著
条件是绝对最大额定值范围内。设置每个引脚的电压低于5.6V考虑
降额。
注2：开关引脚电压（V
LX
）不包括由TCV7106FN的切换而产生的峰值电压。
在死区时间生成的负电压被允许其中的开关引脚的电流（I
LX
).
注3 ：
单面玻璃环氧树脂板
FR-4
25.4
×
25.4
×
0.8
（单位：毫米）
注4： TCV7106FN可以在最大额定结温进入热关断。热设计
是必需的，以确保在额定最大工作结温度T
JOPR
不会超标。
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TCV7106FN
需要注意的电气特性
测试条件牛逼
j
=
25℃的装置，其中所产生的增加的电特性的任何漂移的状态下
该芯片的结温脉冲测试时被忽略。
应用电路实例
图1示出了使用低ESR的电解或陶瓷电容器对C的典型应用电路
OUT
.
V
IN
V
IN1
L
X
TCV7106FN
V
FB
SGND
GND
保护地
SBD
V
IN2
EN
C
IN
C
C
EN
模式
L
R
FB1
V
OUT
模式
C
OUT
R
FB2
GND
图1 TCV7106FN应用电路示例
元件值（参考值@ V
IN
=
5V, V
OUT
=
3.3V ， TA
=
25°C)
C
IN
：输入滤波电容
=
10μF
（陶瓷电容器： GRM21BB30J106K村田制造有限公司制造，
C2012X5R1C106M制造的TDK -EPC公司）。
C
OUT
：输出滤波电容
=
10μF
（陶瓷电容器： GRM21BB30J106K村田制造有限公司制造，
C2012X5R1C106M制造的TDK -EPC公司）。
R
FB1
：输出电压设定电阻
=
7.5k
R
FB2
：输出电压设定电阻
=
2.4k
L：电感= 4.7μH （ CLF7045T - 4R7N制造的TDK -EPC公司，
D63CB ＃ A916CY - 4R7M由TOKO ， INC。制造）
SBD ：低侧肖特基势垒二极管（肖特基势垒二极管：由东芝制造的CRS30I30A
公司）
C
C
输入引脚的去耦电容的控制部分。
（连接它时，电路的工作是不稳定的，由于电路板布局或了C的功能
IN
.)
当仅仅同步模式（ MODE = H）被施加时， SBD可阔叶出来。
元件值的例子（仅供参考）
输出电压设定
V
OUT
1.0 V
1.2 V
1.51 V
1.8 V
2.5 V
3.3 V
电感
L
4.7
μH
4.7
μH
4.7
μH
4.7
μH
4.7
μH
4.7
μH
输入电容
C
IN
10
μF
10
μF
10
μF
10
μF
10
μF
10
μF
输出电容
C
OUT
40
μF
30
μF
30
μF
30
μF
20
μF
20
μF
反馈电阻
R
FB1
7.5 k
7.5 k
16 k
15 k
5.1 k
7.5 k
反馈电阻
R
FB2
30 k
15 k
18 k
12 k
2.4 k
2.4 k
元件值需要进行调整，根据TCV7106FN的I / O条件和电路板布局。
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2011-11-05
QQ：2881677436 复制
