TCST1230
威世半导体
透射光学传感器，具有光电晶体管输出
特点
顶部
意见
A
E
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 9.2 X 4.8 X 5.4
间隙（毫米） ： 2.8
C
21833
C
19205_1
孔径（单位为毫米） ：0.5
测试的典型输出电流：I
C
= 2毫安
日光阻断滤波器
发射波长： 950纳米
铅（ Pb）焊接发布
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
描述
该TCST1230是透过型的传感器，它包括一个
红外发射器和光电晶体管，位于面对面的表面上
在含铅封装，可见块光轴
LIGHT 。
应用
光开关
轴编码器
检测不透明的材料，如纸的
检测磁带
产品概述
产品型号
TCST1230
间隙宽度
(mm)
2.8
光圈宽度
(mm)
0.5
典型输出
电流测试
(1)
（MA ）
2
阳光
阻塞滤波器
集成
是的
记
(1)
像表基本特征/耦合条件
订购信息
订购代码
TCST1230
(1)
包装
管
卷
(1)
最小起订量： 4860个， 60个/管
备注
-
记
最小起订量：最小起订量
绝对最大额定值
参数
耦合器
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
(1)
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
价值
250
- 25至+ 85
- 40至+ 100
260
6
60
3
100
100
单位
mW
°C
°C
°C
V
mA
A
mW
°C
距离包1.6毫米，T
≤
5 s
T
sd
V
R
I
F
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
I
FSM
P
V
T
j
文档编号： 83765
修订版1.8 ， 8月17日 - 09
如有技术问题，请联系：
sensorstechsupport@vishay.com
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1
TCST1230
威世半导体
透射光学传感器带
光电晶体管输出
(1)
绝对最大额定值
参数
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
结温
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
价值
70
7
100
150
100
单位
V
V
mA
mW
°C
T
AMB
≤
25 °C
P
V
T
j
绝对最大额定值
400
P - 功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
0
0
95 11088
30
60
90
120
150
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
耦合器
集电极电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
结电容
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
开关特性
开启时间
打开-O FF时间
(1)
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 20毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
- 0.2毫安
符号
I
C
V
CESAT
分钟。
0.5
典型值。
马克斯。
14
0.4
单位
mA
V
I
F
= 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
C
= 1毫安
I
E
= 10 A
V
CE
= 25 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
I
C
= 1毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
Ω
（参见图2）
I
C
= 1毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
Ω
（参见图2）
V
F
C
j
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
1.25
50
1.5
V
pF
V
V
10
100
nA
t
on
t
关闭
15
10
s
s
(1)
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
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透射光学传感器带
光电晶体管输出
威世半导体
I
F
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
= 1毫安;调整后
by
I
F
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
20223
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
100
Ω
图。 2 - 测试电路吨
on
和T
关闭
图。 3 - 开关时间
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
10 000
V
CE
= 25
V
I
F
= 0 A
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1000
10
100
1
10
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
1
0
95 11090
V
F
- 前进
电压
(V)
25
50
75
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 集电极暗电流与环境温度
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
1.5
10
V
CE
= 10
V
1
1.0
0.1
0.5
0.01
0
- 25
0
25
50
75
100
0.001
0.1
95 11083
1
10
100
95 11089
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 5 - 相对电流传输比与环境温度
图。 7 - 集电极电流与正向电流
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威世半导体
透射光学传感器带
光电晶体管输出
10
I
CREL
- 相对集电极电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 0.5 - 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1 0
96 12006
0
A = 0.5毫米
I
F
= 50毫安
1
20毫安
s
10毫安
0.1
5毫安
2毫安
0.01
0.1
1
10
100
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
95 11084
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
秒 - 位移（毫米）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 11 - 相对集电极电流与位移
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
V
CE
= 5
V
10
1
0.1
0.1
95 11085
0
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 9 - 电流传输比与正向电流
20
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（μs ）
不
饱和的
手术
V
S
= 5
V
R
L
= 100
Ω
15
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
95 11086
图。 10 - 导通/关断时间与集电极电流
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透射光学传感器带
光电晶体管输出
包装尺寸
以毫米为单位
威世半导体
96 12083
管外形尺寸
以毫米为单位
20256
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威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
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图8.集电极电流与集电极发射极电压
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牧师A4 ， 08军， 99
TCST1230
威世德律风根
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
W
图11.相对集电极电流与位移
15
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
文档编号83765
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威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
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图8.集电极电流与集电极发射极电压
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威世德律风根
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
W
图11.相对集电极电流与位移
15
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
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日前，Vishay
半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
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半导体
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
图11.相对集电极电流与位移
15
W
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
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半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
www.vishay.com
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图8.集电极电流与集电极发射极电压
文档编号83765
牧师A4 ， 08军， 99
TCST1230
日前，Vishay
半导体
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
图11.相对集电极电流与位移
15
W
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
文档编号83765
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TCST1230
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10
V
CE
=5V
I
C
- 集电极电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
1
10.0
0.1
1.0
0.01
0.1
0
96 11862
0.001
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11083
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
1
20mA
1.0
10mA
0.1
5mA
2mA
0.5
0
–25
95 11089
0.01
0
25
50
75
100
95 11084
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
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图8.集电极电流与集电极发射极电压
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TCST1230
威世德律风根
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
=5V
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–0.5 –0.4 –0.3 –0.2 –0.1 –0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
0
A=0.5mm
10
s
1
0.1
0.1
95 11085
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
秒 - 位移（毫米）
图9.电流传输比与正向电流
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（
m
s )
20
非饱和
手术
V
S
=5V
R
L
=100
W
图11.相对集电极电流与位移
15
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
95 11086
I
C
- 集电极电流（mA ）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
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TCPT1350X01
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威世半导体
微型透射光学传感器，晶体管输出
特点
封装类型：表面贴装
引脚连接
顶视图
E
NC
科尔。
19601
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 5.5 ×4× 4
导管。
NC
A
21848
AEC- Q101标准
间隙（毫米） ： 3
孔径（单位为毫米） ： 0.3
测试的典型输出电流：I
C
= 1.6毫安
发射波长： 950纳米
发布的高工作温度可达125°C
潮湿敏感度等级（ MSL ） ： 1
描述
该TCPT1350X01是一款紧凑型透射式传感器
它包括一个红外发射器和一个光敏晶体管
检测器，位于面到面的表面安装封装。
TCPT1350X01特别设计，以满足高工作
温度要求，并发布工作
温度为 - 40 ° C至+ 125°C 。
材料分类：为符合定义
请参阅
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应用
汽车电子光学传感器
用于编码器的精确位置传感器
检测运动速度
产品概述
产品型号
TCPT1350X01
间隙宽度
(mm)
3
光圈宽度
(mm)
0.3
典型输出
电流测试
(1)
（MA ）
1.6
阳光
阻塞滤波器
集成
No
记
象表基本特征/耦合条件
订购信息
订购代码
TCPT1350X01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
卷
(1)
最小起订量： 2000件， 2000件/卷
备注
Drypack ， MSL 1
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TCPT1350X01
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威世半导体
测试条件
T
AMB
125 °C
符号
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
37.5
140
- 40至+ 125
- 40至+ 125
260
5
25
200
37.5
20
7
20
3.3
单位
mW
°C
°C
°C
°C
V
mA
mA
mW
V
V
mA
μA
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
总功耗
结温
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极暗电流
T
AMB
½
85°C ，V
CE
= 5 V
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
首席执行官
T
AMB
125 °C
t
p
10 μs
T
AMB
125 °C
V
R
I
F
I
FSM
P
V
按照图。 16
T
sd
绝对最大额定值
40
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
R
thJA
= 460 K / W
P
V
- 功耗（MW ）
35
30
25
20
15
10
5
0
R
thJA
= 460 K / W
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
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测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 15毫安
I
F
= 15毫安，我
C
- 0.2毫安
符号
I
C
V
CESAT
分钟。
0.7
典型值。
1.6
0.4
马克斯。
单位
mA
V
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
集电极电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
反向电流
结电容
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压I
C
发射极集电极电压
集电极暗电流
开关特性
上升时间
下降时间
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
t
r
t
f
9
16
150
150
μs
μs
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
V
CE
= 25 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
20
7
1
100
V
V
nA
I
F
= 15毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
j
25
1
1.2
1.4
10
V
μA
pF
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
由我调整
F
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
T
= 20
t
p
= 1毫秒
通道I
道II
50
Ω
20688
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
100
Ω
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
图。 3 - 测试电路吨
r
和T
f
图。 4 - 开关时间
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
1.4
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.3
10
1.2
1.1
1
0.8
20589
1.0
- 50 - 25
22680
0
25
50
75
100
125
150
V
F
- 正向电压（ V）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 正向电压与环境温度
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威世半导体
2.5
V
CE
= 5 V
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
2.0
I
F
= 15毫安
1.5
1
1.0
I
F
= 5毫安
0.5
0.1
V
CE
= 5 V
0.01
1
22681
0.0
10
100
22684
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 集电极电流与正向电流
图。 10 - 集电极电流与环境温度
10
I
F
= 25毫安
100 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
C
- 集电极电流（毫安）
10 000
V
CE
= 70 V
V
CE
= 25 V
V
CE
= 5 V
1
I
F
= 15毫安
I
F
= 5毫安
1000
I
F
= 3毫安
0.1
100
10
0.01
0.1
22682
1
10
100
22685
1
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125 150
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 11 - 集电极暗电流与环境温度
V
CESAT
- 科尔。发射器
饱和
电压（V）的
0.30
1
I
REL
- 相对集电极电流
I
C
= 200 μA
0.25
I
F
= 5毫安
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
- 50 - 25
I
F
= 15毫安
S
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
20595
0
- 1.5
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
22683
T
AMB
- 环境Tempearture （ ° C）
的S - 水平位移（毫米）
图。 9 - 集电极发射极饱和电压与
环境温度
图。 12 - 相对集电极电流与水平位移
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威世半导体
回流焊接温度曲线
1
I
CREL
- 相对。集电极电流
1 ± 0.2
S
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
0.5
光轴
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
0
- 1.5
20610
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
0
0
19841
的S - 垂直位移（毫米）
50
100
150
200
250
300
图。 13 - 相对集电极电流与垂直位移
时间（s）
图。 16 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
100
90
地板寿命
没有时间限制。
潮湿敏感度等级（MSL ） 1 ， ACC 。 JEDEC J- STD- 020 。
R
L
= 100
Ω
t
r
/t
f
- 上升/下降时间（μs ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
250
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
I
C
- 集电极电流（ μA ）
t
r
t
f
20599
图。 14 - 上升/下降时间与集电极电流
I
F
= 15毫安
+ V
C
= 5 V
74HCT14
10 kΩ
V
E
U
Q
13887
GND
图。 15 - 应用实例
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