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TCS10SLU
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TCS10SLU
数字输出的磁传感器
特征
漏极开路输出
南磁极检测
UFV
重量： 0.007克（典型值）。
记号
引脚分配
（ TOP VIEW ）
V
CC
（注1 ） GND2 （注2 ）
5
4
功能表
磁通
密度
≥
B
ON
≤
B
关闭
产量
L
Z（注3）
LA1
2
3
V
OUT
GND1 NC
（注2 ）
1
注1 ：建议添加约0.1电容器
μF
V之间
CC
和GND 。
注2： GND1和GND2引脚应接地。
该GND2引脚用作生产过程中测试引脚。
注3 ：在高阻抗状态。
1
2010-02-01
TCS10SLU
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
电源电压
输出电压
输出二极管电流
输出电流
V
CC
/ GND电流
功耗
存储温度范围
符号
V
CC
V
OUT
I
OK
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
等级
0.5
6.0
0.5
6.0
-10
5
±10
200
65
150
单位
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
额定值和工作范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
工作范围
特征
电源电压
输出电压
输出电流
工作温度
符号
V
CC
V
OUT
I
OL
T
OPR
等级
2.3 3.6
0 5.5 （注4）
1.0
40
85
单位
V
V
mA
°C
注4 ： V
CC
= 0.0V，或者当输出处于高阻抗状态。
2
2010-02-01
TCS10SLU
DC特性
（ TA = 25°C ）
特征
输出电压
低级别
符号
V
OL
I
关闭
I
CC
条件
I
OL
= 1.0毫安
V
OUT
= 5.5V
电流脉冲
主动
（注5 ，图A）
I
CC
ON
f
OPR
峰值电流
（注5 ，图A）
（图A）
V
CC
(V)
2.3 3.6
0
2.3 2.7
3.0 3.6
2.3 3.6
2.3 3.6
民
典型值。
0.5
5.5
8.7
0.7
25
最大
V
CC
x 10%
1
9.5
13.2
1.3
μA
单位
V
μA
输出漏电流
平均
当前
操作
当前
工作频率
电源电流
mA
Hz
注5 ：电源电流是通过内部电路周期性脉冲。
磁特性
（ TA = 25°C ）
特征
工作点
磁
助焊剂
密度
释放点
迟滞
符号
B
ON
B
关闭
B
H
条件
（注6 ，图B）中
V
OUT
= V
OL
V
OUT
= Z
（注7 ）
|B
ON
- B
关闭
|
V
CC
(V)
2.3 3.6
2.3 3.6
2.3 3.6
民
0.3
典型值。
1.8
0.8
1.0
最大
2.5
mT
单位
注6 ：均匀磁场垂直于磁传感器。
注7 ：在高阻抗状态。
注意：该磁场的方向
磁场，B
（图A） ：我
CC
特征
I
CC
1 / fopr （ fopr = 25赫兹）
工作电流
（典型值0.7 mA）的
（图B） ：工作特性
V
OUT
高阻抗状态
平均电流
（典型值5.5
μA)
B
H
V
OL
南北极
0
B
关闭
B
ON
南极点
时间
磁通量密度
3
2010-02-01
TCS10SLU
包装尺寸
重量： 0.007克（典型值）。
2.0±0.1
4
2010-02-01
TCS10SLU
磁检测部件布局
单位：mm
0.85
传感器元件
(0.2
mm
2
)
1.05
传感器元件
0.3
注：尺寸公差
±0.1mm,
除非另有规定ED 。
5
2010-02-01
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