TCRT5000(L)
威世半导体
反射光学传感器与晶体管输出
描述
该TCRT5000和TCRT500L是反射型传感器
其中包括一个红外发射器和光电晶体管
在含铅封装，阻挡可见光。该
包包括两个固定夹。 TCRT5000L是
很长的版本。
TCRT5000
TCRT5000L
C
A
特点
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸：
e2
L 10.2毫米x宽5.8毫米x高7.0毫米
山顶操作距离： 2.5毫米
工作范围为0.2mm至15mm
测试的典型输出电流：I
C
= 1毫安
日光阻断滤波器
发射波长为950nm
铅（ Pb）焊接发布
铅（Pb）按照RoHS -free组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
E
C
19156
顶部
意见
应用
位置传感器轴编码器
检测反射材料，如纸， IBM公司的
卡，磁带等。
限位开关的机械运动中的VCR
通用 - 无论在空间有限
为了说明
产品型号
TCRT5000
TCRT5000L
备注
3.5毫米引线长度
15毫米引线长度
最小起订量
4500个， 50个/管
2400个， 48个/管
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
5
60
3
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83760
修订版1.6 ， 04 09月06
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1
TCRT5000(L)
威世半导体
传感器
参数
集电极电流
集电极发射极饱和
电压
1)
2)
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
D = 12毫米
I
F
= 10 mA时，我
C
= 0.1毫安，
D = 12毫米
符号
I
C 1,2)
V
CESAT 1,2 ）
民
0.5
典型值。
1
最大
2.1
0.4
单位
mA
V
见图3
测试表面：镜面（ 。制造商德勒一霍耶，部件号340005 ）
94 9226
I
F
I
C
V
CC
A
平面镜
= 22.5 mm
雷姆。 2
d =
工作
距离
D =距离
12 ± 0.2 mm
7.0 ± 0.2 mm
96 12314
图2.测试电路
图3.测试电路
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
CTR
REL
- 相对电流传输比
1000
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.6
- 30 - 20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
96 11762
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图4.正向电流与正向电压
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
文档编号83760
修订版1.6 ， 04 09月06
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3
CNY70
威世半导体
反射光学传感器与晶体管输出
标记区域
特点
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 7 ×7× 6
E
D
21835
顶部
意见
19158_1
描述
该CNY70是反射传感器，其包括一个红外
发射器和光敏三极管的含铅封装，
阻挡可见光。
山顶操作距离： < 0.5毫米
工作中的> 20 ％的相对集电极范围
电流：0至5毫米
测试的典型输出电流：I
C
= 1毫安
发射波长： 950纳米
日光阻断滤波器
铅（ Pb）焊接发布
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
应用
光电扫描和开关器件即指数
传感，码盘扫描等（光电编码器
组件） 。
产品概述
产品型号
CNY70
距离FOR
最大CTR
相对（1）
(mm)
0
距离范围FOR
相对我
OUT
> 20 ％
(mm)
0-5
典型输出
电流测试
(2)
（MA ）
1
阳光
阻塞滤波器
集成
是的
笔记
(1)
CTR ：当前transfere比， I / I
OUT IN
(2)
像表基本charactristics /传感器条件
订购信息
订购代码
CNY70
记
最小起订量：最小起订量
包装
管
卷
(1)
最小起订量： 4000个， 80个/管
备注
-
(1)
绝对最大额定值
参数
耦合器
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
(1)
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
价值
200
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
5
50
3
100
100
单位
mW
°C
°C
°C
V
mA
A
mW
°C
距离区分2毫米，吨
≤
5 s
T
sd
V
R
I
F
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
I
FSM
P
V
T
j
文档编号： 83751
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
如有技术问题，请联系：
sensorstechsupport@vishay.com
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1
CNY70
威世半导体
反射光学传感器带
晶体管输出
(1)
绝对最大额定值
参数
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
结温
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
价值
32
7
50
100
100
单位
V
V
mA
mW
°C
T
AMB
≤
25 °C
P
V
T
j
绝对最大额定值
300
P - 功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
IR - 二极管
0
0
95 11071
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗与环境温度
基本特征
参数
耦合器
集电极电流
串扰电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
辐射强度
峰值波长
虚拟源直径
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
(1)
(1)
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安，
= 0.3毫米（图1）
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安， （图2）
I
F
= 20 mA时，我
C
= 0.1毫安，
= 0.3毫米（图1）
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安，T
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％的能量包围
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
C (2)
I
CX （3）
V
CESAT （2）
0.3
1.0
600
0.3
mA
nA
V
V
F
I
e
λ
P
d
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
5
940
1.25
1.6
7.5
V
毫瓦/ SR
nm
mm
V
V
1.2
200
nA
笔记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
(2)
测量与"Kodak中立测试card" ，白方用90 ％漫反射率
(3)
测量无反射介质
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如有技术问题，请联系：
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文档编号： 83751
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CNY70
反射光学传感器带
晶体管输出
反映中
（柯达中立测试卡）
威世半导体
~
~
~
d
~
~
~
探测器
辐射源
A
C
C
E
95 10808
图。 2 - 脉冲图
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
V
CE
= 5
V
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1
10
0.1
1
0.01
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.001
0.1
95 11065
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 5 - 集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
D = 0.3毫米
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
1
0.1
5毫安
2毫安
0.01
1毫安
0.001
0.1
1
10
100
96 11913
95 11066
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 4 - 相对电流传输比与环境温度
图。 6 - 集电极电流与集电极发射极电压
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CNY70
威世半导体
反射光学传感器带
晶体管输出
100
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
V
CE
= 5
V
CTR - 电流传输比（ ％ ）
10
1
d
1
0.1
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
0.1
0.1
96 11914
1
10
100
0.001
0
95 11069
2
4
6
8
10
I
F
- 正向电流（mA ）
- 距离（mm ）
图。 7 - 电流传输比与正向电流
图。 9 - 集电极电流与距离
0°
10
10°
20°
30°
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
F
= 50毫安
I
EREL
- 相对辐射强度
I
CREL
- 相对集电极电流
1毫安
1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
20毫安
10毫安
5毫安
2毫安
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
0.1
0.1
96 12001
100
1
10
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
0.6
95 11063
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
图。 8 - 电流传输比集电极与发射极电压
图。 10 - 相对辐射强度/集电极电流 -
角位移
1.0
I
CREL
- 相对集电极电流
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
96 11915
D = 5毫米
4 mm
3 mm
2 mm
1 mm
0
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
E
1.5
D
d
E
D
0
s
5 mm
10 mm
0
s
5 mm
10 mm
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
秒 - 位移（毫米）
图。 11 - 相对集电极电流与位移
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文档编号： 83751
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CNY70
反射光学传感器带
晶体管输出
包装尺寸
以毫米为单位
威世半导体
95 11345
管外形尺寸
以毫米为单位
20291
文档编号： 83751
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
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TCRT5000 ， TCRT5000L
威世半导体
反射光学传感器与晶体管输出
特点
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 10.2 X 5.8 X 7
山顶操作距离： 2.5毫米
19156_2
工作中的> 20 ％的相对集电极范围
电流：0.2至15mm
测试的典型输出电流：I
C
= 1毫安
C
A
日光阻断滤波器
发射波长： 950纳米
铅（ Pb）焊接发布
19156_1
E
C
顶部
意见
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
描述
该TCRT5000和TCRT5000L是反射型传感器
其中包括一个红外发射器和光电晶体管在一
含铅封装，阻挡可见光。包
包括两个固定夹。 TCRT5000L是很长的
版本。
应用
位置传感器轴编码器
检测反射材料，如纸， IBM公司卡，
磁带等。
限位开关的机械运动中的VCR
通用 - 无论在空间有限
产品概述
产品型号
TCRT5000
TCRT5000L
距离FOR
最大CTR
相对（1）
(mm)
2.5
2.5
距离范围FOR
相对我
OUT
> 20 ％
(mm)
0.2-15
0.2-15
典型输出
电流测试
(2)
（MA ）
1
1
阳光
阻塞滤波器
集成
是的
是的
笔记
(1)
CTR ：当前transfere比， I / I
OUT IN
(2)
像表基本charactristics /传感器条件
订购信息
订购代码
TCRT5000
TCRT5000L
(1)
包装
管
管
卷
(1)
最小起订量： 4500个， 50个/管
最小起订量： 2400个， 48个/管
备注
3.5毫米引线长度
15毫米引线长度
记
最小起订量：最小起订量
绝对最大额定值
参数
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5
60
3
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
I
FSM
P
V
T
j
文档编号： 83760
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
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1
TCRT5000 ， TCRT5000L
威世半导体
反射光学传感器带
晶体管输出
(1)
绝对最大额定值
参数
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
结温
传感器
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
价值
70
5
100
100
100
200
- 25至+ 85
- 25至+ 100
260
单位
V
V
mA
mW
°C
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
55 °C
P
V
T
j
T
AMB
≤
25 °C
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T
sd
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
绝对最大额定值
300
P - 功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
IR - 二极管
0
0
95 11071
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
INPUT （发射器）
正向电压
结电容
辐射强度
峰值波长
虚拟源直径
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
传感器
集电极电流
集电极发射极饱和
电压
(1)
(1)
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 60毫安，T
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％的能量包围
I
C
= 1毫安
I
e
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
D = 12毫米
I
F
= 10 mA时，我
C
= 0.1毫安，
D = 12毫米
符号
V
F
C
j
I
e
λ
P
d
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
分钟。
典型值。
1.25
17
马克斯。
1.5
21
单位
V
pF
毫瓦/ SR
nm
mm
V
V
940
2.1
70
7
10
200
nA
I
C (2) (3)
V
CESAT （2）（ 3）
0.5
1
2.1
0.4
mA
V
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
(2)
见图3
(3)
测试表面：镜面（ 。制造商德勒一霍耶，第340005号）
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文档编号： 83760
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
TCRT5000 ， TCRT5000L
反射光学传感器带
晶体管输出
威世半导体
94 9226
I
F
I
C
V
CC
A
平面镜
= 22.5 mm
雷姆。 2
d =
工作
距离
D =距离
12 ± 0.2 mm
7.0 ± 0.2 mm
TCRT5000
96 12314
图。 2 - 测试电路
图。 3 - 测试电路
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
10
V
CE
= 5
V
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
10
0.1
1
0.01
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.001
0.1
96 11763
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
10
I
F
= 50毫安
20毫安
1
10毫安
5毫安
0.1
2毫安
1毫安
0.6
- 30 - 20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
96 11762
0.01
0.1
96 11764
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
1
10
100
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 5 - 相对电流传输比与环境温度
图。 7 - 集电极发射极饱和电压与集电极电流
文档编号： 83760
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
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3
TCRT5000 ， TCRT5000L
威世半导体
反射光学传感器带
晶体管输出
100
1.2
I
CREL
- 相对集电极电流
V
CE
= 5
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
0
96 11766
CTR - 电流传输比（ ％ ）
V
CE
= 10
V
I
F
= 20毫安
10
1
0.1
0.1
96 11765
4
8
10 12 14 16
2
6
- 距离反思
卡（毫米）
图。 8 - 电流传输比与正向电流
图。 9 - 相对集电极电流与距离
包装尺寸
以毫米为单位
TCRT5000
96 12073
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TCRT5000 ， TCRT5000L
反射光学传感器带
晶体管输出
包装尺寸
以毫米为单位
TCRT5000L
威世半导体
95 11267
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修订版1.7 ， 8月17日 - 09
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5
TCPT1350X01
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威世半导体
微型透射光学传感器，晶体管输出
特点
封装类型：表面贴装
引脚连接
顶视图
E
NC
科尔。
19601
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 5.5 ×4× 4
导管。
NC
A
21848
AEC- Q101标准
间隙（毫米） ： 3
孔径（单位为毫米） ： 0.3
测试的典型输出电流：I
C
= 1.6毫安
发射波长： 950纳米
发布的高工作温度可达125°C
潮湿敏感度等级（ MSL ） ： 1
描述
该TCPT1350X01是一款紧凑型透射式传感器
它包括一个红外发射器和一个光敏晶体管
检测器，位于面到面的表面安装封装。
TCPT1350X01特别设计，以满足高工作
温度要求，并发布工作
温度为 - 40 ° C至+ 125°C 。
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
应用
汽车电子光学传感器
用于编码器的精确位置传感器
检测运动速度
产品概述
产品型号
TCPT1350X01
间隙宽度
(mm)
3
光圈宽度
(mm)
0.3
典型输出
电流测试
(1)
（MA ）
1.6
阳光
阻塞滤波器
集成
No
记
象表基本特征/耦合条件
订购信息
订购代码
TCPT1350X01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
卷
(1)
最小起订量： 2000件， 2000件/卷
备注
Drypack ， MSL 1
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TCPT1350X01
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威世半导体
测试条件
T
AMB
125 °C
符号
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
37.5
140
- 40至+ 125
- 40至+ 125
260
5
25
200
37.5
20
7
20
3.3
单位
mW
°C
°C
°C
°C
V
mA
mA
mW
V
V
mA
μA
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
总功耗
结温
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极暗电流
T
AMB
½
85°C ，V
CE
= 5 V
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
首席执行官
T
AMB
125 °C
t
p
10 μs
T
AMB
125 °C
V
R
I
F
I
FSM
P
V
按照图。 16
T
sd
绝对最大额定值
40
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
R
thJA
= 460 K / W
P
V
- 功耗（MW ）
35
30
25
20
15
10
5
0
R
thJA
= 460 K / W
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
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威世半导体
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 15毫安
I
F
= 15毫安，我
C
- 0.2毫安
符号
I
C
V
CESAT
分钟。
0.7
典型值。
1.6
0.4
马克斯。
单位
mA
V
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
集电极电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
反向电流
结电容
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压I
C
发射极集电极电压
集电极暗电流
开关特性
上升时间
下降时间
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
t
r
t
f
9
16
150
150
μs
μs
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
V
CE
= 25 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
20
7
1
100
V
V
nA
I
F
= 15毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
j
25
1
1.2
1.4
10
V
μA
pF
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
由我调整
F
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
T
= 20
t
p
= 1毫秒
通道I
道II
50
Ω
20688
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
100
Ω
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
图。 3 - 测试电路吨
r
和T
f
图。 4 - 开关时间
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
1.4
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.3
10
1.2
1.1
1
0.8
20589
1.0
- 50 - 25
22680
0
25
50
75
100
125
150
V
F
- 正向电压（ V）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 正向电压与环境温度
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威世半导体
2.5
V
CE
= 5 V
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
2.0
I
F
= 15毫安
1.5
1
1.0
I
F
= 5毫安
0.5
0.1
V
CE
= 5 V
0.01
1
22681
0.0
10
100
22684
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 集电极电流与正向电流
图。 10 - 集电极电流与环境温度
10
I
F
= 25毫安
100 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
C
- 集电极电流（毫安）
10 000
V
CE
= 70 V
V
CE
= 25 V
V
CE
= 5 V
1
I
F
= 15毫安
I
F
= 5毫安
1000
I
F
= 3毫安
0.1
100
10
0.01
0.1
22682
1
10
100
22685
1
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125 150
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 11 - 集电极暗电流与环境温度
V
CESAT
- 科尔。发射器
饱和
电压（V）的
0.30
1
I
REL
- 相对集电极电流
I
C
= 200 μA
0.25
I
F
= 5毫安
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
- 50 - 25
I
F
= 15毫安
S
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
20595
0
- 1.5
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
22683
T
AMB
- 环境Tempearture （ ° C）
的S - 水平位移（毫米）
图。 9 - 集电极发射极饱和电压与
环境温度
图。 12 - 相对集电极电流与水平位移
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威世半导体
回流焊接温度曲线
1
I
CREL
- 相对。集电极电流
1 ± 0.2
S
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
0.5
光轴
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
0
- 1.5
20610
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
0
0
19841
的S - 垂直位移（毫米）
50
100
150
200
250
300
图。 13 - 相对集电极电流与垂直位移
时间（s）
图。 16 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
100
90
地板寿命
没有时间限制。
潮湿敏感度等级（MSL ） 1 ， ACC 。 JEDEC J- STD- 020 。
R
L
= 100
Ω
t
r
/t
f
- 上升/下降时间（μs ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
250
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
I
C
- 集电极电流（ μA ）
t
r
t
f
20599
图。 14 - 上升/下降时间与集电极电流
I
F
= 15毫安
+ V
C
= 5 V
74HCT14
10 kΩ
V
E
U
Q
13887
GND
图。 15 - 应用实例
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