TCRT1000 / TCRT1010
威世德律风根
反射光学传感器与晶体管输出
描述
该TCRT1000 / TCRT1010具有紧凑的
结构，其中所述发光光源和
检测器被布置在相同的方向来感测
物体的通过使用反射的存在
红外光束从物体。
工作波长是950纳米。该探测器
由一个光电晶体管。
B)
A)
应用
D
光电扫描和开关设备
即，指数检测，码盘扫描等。
（光电
编码器
组件
为
透射检测） 。
14867
特点
D
结构紧凑的0.1间距
D
无设置工作
D
高信号输出
D
低温COEF网络cient
D
探测器具备光学滤波器
D
电流传输比
典型的2.5 ％ （ CTR）
96 11971
A
C
E
C
顶视图
订购说明
订购代码
TCRT1000
A)
TCRT1010
B)
感应距离
1 mm
1 mm
备注
文档编号83752
牧师A3 ， 27日， 99
www.vishay.com
1 (7)
TCRT1000 / TCRT1010
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
I
C
- 集电极电流（mA ）
10.0
柯达中性卡
（白边）
D = 1.0毫米
1.0
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
5毫安
0.1
2毫安
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
0
0
95 11071
0.01
25
50
75
100
95 11075
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图2.总功耗对比
环境温度
1000.0
图5.集电极电流和集电极发射极电压
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
d=1mm
V
CE
=5V
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
10.0
1
1.0
0.1
0
96 11862
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11076
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图3.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图6.电流传输比与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1
1.5
1.0
0.1
0.5
V
CE
=5V
I
F
=20mA
d=1mm
0
25
50
75
100
0
–25
95 11074
0.01
0
95 11077
2
4
6
8
10
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
- 距离（mm ）
图4.相对电流传输比主场迎战
环境温度
www.vishay.com
4 (7)
图7.集电极电流与距离
文档编号83752
牧师A3 ， 27日， 99
TCRT1000/TCRT1010
威世半导体
反射光学传感器与晶体管输出
描述
该TCRT1000和TCRT1010是反射型传感器
其中包括一个红外发射器和光电晶体管
在含铅封装，阻挡可见光。
TCRT1000
TCRT1010
特点
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸：
L 7毫米× W 4毫米× 2.5毫米
山顶操作距离为1mm
e4
应用
A
C
E
C
19155
工作范围：0.2至4mm
在测试的典型输出电流：I
C
- 0.5毫安
日光阻断滤波器
发射波长为950nm
无铅（ Pb）焊接发布
铅（Pb）按照RoHS -free组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
光电扫描和开关装置，即，
指标检测，码盘等扫描（ optoelec-
TRONIC编码器组件透过感应） 。
为了说明
产品型号
TCRT1000
TCRT1010
备注
直脚
弯曲的引线
最小起订量
1000件， 1000件/散装
1000件， 1000件/散装
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
耦合器
参数
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米距离包，
t
≤
5s
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
200
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
单位
mW
°C
°C
°C
文档编号83752
修订版1.6 ， 04 09月06
www.vishay.com
1
TCRT1000/TCRT1010
威世半导体
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
5
50
3
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
结温
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
V
T
j
价值
32
5
50
100
100
单位
V
V
mA
mW
°C
300
P - 功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
IR - 二极管
0
0
95 11071
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗限制与环境温度
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
耦合器
参数
集电极电流
串扰电流
集电极发射极饱和
电压
1)
2)
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安，
D = 1毫米（图2）
V
CE
= 5 V，I
F
= 20 mA时（图1 ）
I
F
= 20 mA时，我
C
= 0.1毫安，
D = 1毫米（图2）
符号
I
C1)
I
CX2)
V
CEsat1)
民
0.3
典型值。
0.5
最大
单位
mA
1
0.3
A
V
测得的'柯达中立测试card" ，白方用90 ％漫反射率
测量无反射介质
www.vishay.com
2
文档编号83752
修订版1.6 ， 04 09月06
TCRT1000/TCRT1010
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
D = 1毫米
V
CE
= 5
V
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
1
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.1
0.1
95 11076
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图3.正向电流与正向电压
图6.电流传输比与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
1
1.5
1.0
0.1
0.5
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
D = 1毫米
0
25
50
75
100
0
- 25
0.01
0
95 11077
2
4
6
8
10
95 11074
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
- 距离（mm ）
图4.相对电流传输比主场迎战
环境温度
图7.集电极电流与距离
10.0
I
CREL
- 相对集电极电流
120
I
C
- 集电极电流（毫安）
柯达
中性
卡
（白边）
D = 1毫米
1.0
检测物体
100
s
80
60
40
20
0
D = 1毫米
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
1
2
3
4
5
6
d
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
5毫安
0.1
2毫安
0.01
0.1
95 11075
1
10
100
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
95 11078
秒 - 位移（毫米）
图5.集电极电流和集电极发射极电压
图8.相对集电极电流与位移
www.vishay.com
4
文档编号83752
修订版1.6 ， 04 09月06
TCRT1000 / TCRT1010
威世德律风根
反射光学传感器与晶体管输出
描述
该TCRT1000 / TCRT1010具有紧凑的
结构，其中所述发光光源和
检测器被布置在相同的方向来感测
物体的通过使用反射的存在
红外光束从物体。
工作波长是950纳米。该探测器
由一个光电晶体管。
B)
A)
应用
D
光电扫描和开关设备
即，指数检测，码盘扫描等。
（光电
编码器
组件
为
透射检测） 。
14867
特点
D
结构紧凑的0.1间距
D
无设置工作
D
高信号输出
D
低温COEF网络cient
D
探测器具备光学滤波器
D
电流传输比
典型的2.5 ％ （ CTR）
96 11971
A
C
E
C
顶视图
订购说明
订购代码
TCRT1000
A)
TCRT1010
B)
感应距离
1 mm
1 mm
备注
文档编号83752
牧师A3 ， 27日， 99
www.vishay.com
1 (7)
TCRT1000 / TCRT1010
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
I
C
- 集电极电流（mA ）
10.0
柯达中性卡
（白边）
D = 1.0毫米
1.0
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
5毫安
0.1
2毫安
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
0
0
95 11071
0.01
25
50
75
100
95 11075
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图2.总功耗对比
环境温度
1000.0
图5.集电极电流和集电极发射极电压
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
d=1mm
V
CE
=5V
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
10.0
1
1.0
0.1
0
96 11862
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11076
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图3.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图6.电流传输比与正向电流
10
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1
1.5
1.0
0.1
0.5
V
CE
=5V
I
F
=20mA
d=1mm
0
25
50
75
100
0
–25
95 11074
0.01
0
95 11077
2
4
6
8
10
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
- 距离（mm ）
图4.相对电流传输比主场迎战
环境温度
www.vishay.com
4 (7)
图7.集电极电流与距离
文档编号83752
牧师A3 ， 27日， 99
TCRT1000 ， TCRT1010
威世半导体
反射光学传感器与晶体管输出
特点
TCRT1000
TCRT1010
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 7 ×4× 2.5
山顶操作距离为1mm
工作中的> 20 ％的相对集电极范围
电流：0.2至4mm
测试的典型输出电流：I
C
- 0.5毫安
21836
日光阻断滤波器
发射波长： 950纳米
铅（ Pb）焊接发布
A
C
E
C
19155_1
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
描述
该TCRT1000和TCRT1010是反射传感器，
包括红外发射器和光电晶体管中含铅
包而阻挡可见光。
应用
光电扫描和开关器件即指数
传感，码盘扫描等（光电编码器
对于透射传感器组件） 。
产品概述
产品型号
TCRT1000
TCRT1010
距离FOR
最大CTR
相对（1）
(mm)
1
1
距离范围FOR
典型输出
相对我
OUT
被测>电流20％
(2)
(mm)
（MA ）
0.2-4
0.2-4
0.5
0.5
阳光
阻塞滤波器
集成
是的
是的
笔记
(1)
CTR ：当前transfere比， I / I
OUT IN
(2)
像表基本charactristics /传感器的工作条件
订购信息
订购代码
TCRT1000
TCRT1010
(1)
包装
体积
体积
卷
(1)
最小起订量： 1000件， 1000件/散装
最小起订量： 1000件， 1000件/散装
备注
直脚
弯曲的引线
记
最小起订量：最小起订量
绝对最大额定值
参数
传感器
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
文档编号： 83752
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
(1)
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
价值
200
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
单位
mW
°C
°C
°C
2毫米距离包，
t
≤
5s
T
sd
V
R
I
F
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
I
FSM
P
V
T
j
如有技术问题，请联系：
sensorstechsupport@vishay.com
5
50
3
100
100
V
mA
A
mW
°C
www.vishay.com
1
TCRT1000 ， TCRT1010
威世半导体
反射光学传感器带
晶体管输出
(1)
绝对最大额定值
参数
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
结温
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
价值
32
5
50
100
100
单位
V
V
mA
mW
°C
T
AMB
≤
25 °C
P
V
T
j
绝对最大额定值
300
P - 功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
IR - 二极管
0
0
95 11071
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
传感器
集电极电流
串扰电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
辐射强度
峰值波长
虚拟源直径
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
(1)
(1)
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安，
D = 1毫米（图2）
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安， （图1）
I
F
= 20 mA时，我
C
= 0.1毫安，
D = 1毫米（图2）
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安，T
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％的能量包围
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
C (2)
I
CX （3）
V
CESAT （2）
0.3
0.5
1
0.3
mA
A
V
V
F
I
e
λ
P
d
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
5
940
1.25
1.6
75
V
毫瓦/ SR
nm
mm
V
V
1.2
200
nA
笔记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
(2)
测得的'柯达中立测试card" ，白方用90 ％漫反射率
(3)
测量无反射介质
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
sensorstechsupport@vishay.com
文档编号： 83752
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
TCRT1000 ， TCRT1010
反射光学传感器带
晶体管输出
威世半导体
反映中
（柯达中立测试卡）
~
~
~
d
~
~
~
探测器
辐射源
A
C
E
C
95 10893
图。 2 - 测试条件
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
10.0
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
- 正向电流（mA ）
柯达
中性
卡
（白边）
D = 1毫米
1.0
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
5毫安
100
10
0.1
1
2毫安
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11075
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 5 - 集电极电流与集电极发射极电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
D = 1毫米
V
CE
= 5
V
10
1.5
1.0
1
0.5
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
D = 1毫米
0
25
50
75
100
0
- 25
0.1
0.1
95 11076
1
10
100
95 11074
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 4 - 相对电流传输比与环境温度
图。 6 - 电流传输比与正向电流
文档编号： 83752
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
如有技术问题，请联系：
sensorstechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
TCRT1000 ， TCRT1010
威世半导体
10
I
CREL
- 相对集电极电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
反射光学传感器带
晶体管输出
120
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
1
检测物体
100
s
80
60
40
20
0
D = 1毫米
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
d
0.1
0.01
0
95 11077
2
4
6
8
10
1
95 11078
2
3
4
5
6
- 距离（mm ）
秒 - 位移（毫米）
图。 7 - 集电极电流与距离
图。 8 - 相对集电极电流与位移
包装尺寸
以毫米为单位
14768
14769
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
sensorstechsupport@vishay.com
文档编号： 83752
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
包装及订购信息
威世半导体
包装及订购信息
产品型号
CNY70
TCPT1300X01
TCRT1000
TCRT1010
TCRT5000
TCRT5000L
TCST1030
TCST1030L
TCST1103
TCST1202
TCST1230
TCST1300
TCST2103
TCST2202
TCST2300
TCST5250
TCUT1300X01
TCZT8020-PAER
笔记
(1)
最小起订量：最小起订量
(2)
请参阅数据表
最小起订量
(1)
4000
2000
1000
1000
4500
2400
5200
2600
1020
1020
4800
1020
1020
1020
1020
4860
2000
2500
PCS每管
80
REEL
体积
体积
50
48
65
65
85
85
60
85
85
85
85
30
REEL
体积
管SPEC 。
（图）
1
(2)
成分
（表格）
28
29
26
26
27
27
24
24
24
24
24
24
24
24
24
24
29
22
-
-
2
3
5
6
4
4
7
4
4
4
4
8
(2)
-
管规格图
15198
图。 1
文档编号： 80112
修订版1.1 ， 02 -JUL- 09
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1
TCPT1350X01
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威世半导体
微型透射光学传感器，晶体管输出
特点
封装类型：表面贴装
引脚连接
顶视图
E
NC
科尔。
19601
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 5.5 ×4× 4
导管。
NC
A
21848
AEC- Q101标准
间隙（毫米） ： 3
孔径（单位为毫米） ： 0.3
测试的典型输出电流：I
C
= 1.6毫安
发射波长： 950纳米
发布的高工作温度可达125°C
潮湿敏感度等级（ MSL ） ： 1
描述
该TCPT1350X01是一款紧凑型透射式传感器
它包括一个红外发射器和一个光敏晶体管
检测器，位于面到面的表面安装封装。
TCPT1350X01特别设计，以满足高工作
温度要求，并发布工作
温度为 - 40 ° C至+ 125°C 。
材料分类：为符合定义
请参阅
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应用
汽车电子光学传感器
用于编码器的精确位置传感器
检测运动速度
产品概述
产品型号
TCPT1350X01
间隙宽度
(mm)
3
光圈宽度
(mm)
0.3
典型输出
电流测试
(1)
（MA ）
1.6
阳光
阻塞滤波器
集成
No
记
象表基本特征/耦合条件
订购信息
订购代码
TCPT1350X01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
卷
(1)
最小起订量： 2000件， 2000件/卷
备注
Drypack ， MSL 1
1.0版， 3月14日13
文档编号： 84815
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TCPT1350X01
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威世半导体
测试条件
T
AMB
125 °C
符号
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
37.5
140
- 40至+ 125
- 40至+ 125
260
5
25
200
37.5
20
7
20
3.3
单位
mW
°C
°C
°C
°C
V
mA
mA
mW
V
V
mA
μA
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
总功耗
结温
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极暗电流
T
AMB
½
85°C ，V
CE
= 5 V
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
首席执行官
T
AMB
125 °C
t
p
10 μs
T
AMB
125 °C
V
R
I
F
I
FSM
P
V
按照图。 16
T
sd
绝对最大额定值
40
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
R
thJA
= 460 K / W
P
V
- 功耗（MW ）
35
30
25
20
15
10
5
0
R
thJA
= 460 K / W
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
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威世半导体
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 15毫安
I
F
= 15毫安，我
C
- 0.2毫安
符号
I
C
V
CESAT
分钟。
0.7
典型值。
1.6
0.4
马克斯。
单位
mA
V
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
集电极电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
反向电流
结电容
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压I
C
发射极集电极电压
集电极暗电流
开关特性
上升时间
下降时间
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
t
r
t
f
9
16
150
150
μs
μs
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
V
CE
= 25 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
20
7
1
100
V
V
nA
I
F
= 15毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
j
25
1
1.2
1.4
10
V
μA
pF
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
由我调整
F
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
T
= 20
t
p
= 1毫秒
通道I
道II
50
Ω
20688
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
100
Ω
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
图。 3 - 测试电路吨
r
和T
f
图。 4 - 开关时间
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
1.4
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.3
10
1.2
1.1
1
0.8
20589
1.0
- 50 - 25
22680
0
25
50
75
100
125
150
V
F
- 正向电压（ V）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 正向电压与环境温度
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威世半导体
2.5
V
CE
= 5 V
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
2.0
I
F
= 15毫安
1.5
1
1.0
I
F
= 5毫安
0.5
0.1
V
CE
= 5 V
0.01
1
22681
0.0
10
100
22684
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 集电极电流与正向电流
图。 10 - 集电极电流与环境温度
10
I
F
= 25毫安
100 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
C
- 集电极电流（毫安）
10 000
V
CE
= 70 V
V
CE
= 25 V
V
CE
= 5 V
1
I
F
= 15毫安
I
F
= 5毫安
1000
I
F
= 3毫安
0.1
100
10
0.01
0.1
22682
1
10
100
22685
1
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125 150
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 11 - 集电极暗电流与环境温度
V
CESAT
- 科尔。发射器
饱和
电压（V）的
0.30
1
I
REL
- 相对集电极电流
I
C
= 200 μA
0.25
I
F
= 5毫安
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
- 50 - 25
I
F
= 15毫安
S
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
20595
0
- 1.5
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
22683
T
AMB
- 环境Tempearture （ ° C）
的S - 水平位移（毫米）
图。 9 - 集电极发射极饱和电压与
环境温度
图。 12 - 相对集电极电流与水平位移
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威世半导体
回流焊接温度曲线
1
I
CREL
- 相对。集电极电流
1 ± 0.2
S
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
0.5
光轴
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
0
- 1.5
20610
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
0
0
19841
的S - 垂直位移（毫米）
50
100
150
200
250
300
图。 13 - 相对集电极电流与垂直位移
时间（s）
图。 16 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
100
90
地板寿命
没有时间限制。
潮湿敏感度等级（MSL ） 1 ， ACC 。 JEDEC J- STD- 020 。
R
L
= 100
Ω
t
r
/t
f
- 上升/下降时间（μs ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
250
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
I
C
- 集电极电流（ μA ）
t
r
t
f
20599
图。 14 - 上升/下降时间与集电极电流
I
F
= 15毫安
+ V
C
= 5 V
74HCT14
10 kΩ
V
E
U
Q
13887
GND
图。 15 - 应用实例
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