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TCND3000
威世半导体
反射式传感器用于非接触开关
描述
TCND3000是应用一个反射光学传感器
使用HALIOS （高亮度不知疲倦系统蒸发散
悬垂光学系统）的原则。它由一个
红外发射器和光检测器形成opti-
CAL检测路径。根据HALIOS原理的
第二红外发射器，用于补偿
扰的环境光。光电参数
该传感器被匹配到相应的英特
磨碎的电路E909.01 ，由ELMOS制造
安森美半导体公司（ www.elmos.de ） 。
特点
封装类型：表面贴装
探测器类型： PIN光电二极管
尺寸：
e4
L 4.83毫米x宽2.54毫米x高2.21毫米
山顶操作距离： 20毫米
峰值操作范围：10 20mm左右
测试的典型输出电流：I
C
= 5.6 A
铅（ Pb）焊接发布
铅（Pb）按照RoHS -free组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
发射波长885纳米
日光阻断滤波器
触摸距离为10mm * ）
感应距离：20 mm *的）
高环境光抑制的阳光：
≤
200 KLX
高环境光抑制的CIE标准
光源A ：
≤
100 KLX
最小订货量800件， 800件/卷
* ）使用E909.01接口ASIC和柯达灰卡
用20％的漫反射
应用
通用光开关
文档编号84606
修订版1.2 ， 23 - 8 - 06
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1
TCND3000
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
传感器
参数
功耗
存储温度范围
工作温度范围
热阻
结/环境
焊接温度
ACC 。图7
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
V
T
英镑
T
AMB
R
thJA
T
sd
价值
180
- 40至+ 100
- 40至+ 85
450
260
单位
mW
°C
°C
K / W
°C
红外发射器的LED（发射器）
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
结温
T
s
= 8 s
t
ps
= 4 s
测试条件
符号
V
RS
I
FS
I
FS
T
js
价值
5
50
100
105
单位
V
mA
mA
°C
红外发射器LEDC （补偿）
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
结温
T
s
= 8 s
t
pc
= 4 s
测试条件
符号
V
RC
I
FC
I
FC
T
js
价值
5
50
100
105
单位
V
mA
mA
°C
探测器
参数
反向电压
结温
测试条件
符号
V
RD
T
jD
价值
5
105
单位
V
°C
200
P
V
- 功耗（MW ）
150
R
thJA
100
50
0
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.功耗限制与环境温度
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2
文档编号84606
修订版1.2 ， 23 - 8 - 06
TCND3000
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
传感器
参数
光电流
测试条件
柯达灰卡
20 ％漫反射
距离： 1厘米
I
FS
= 10毫安
无反光媒体
I
FS
= 10毫安
I
FC
= 2毫安
符号
I
CA
民
典型值。
1.2
最大
单位
A
光学串扰检测路径
补偿电流
I
CA
I
CR
0.9
5
A
A
红外发射器的LED（发射器）
参数
正向电压
反向电压
结电容
辐射强度
半强度角
峰值波长
光谱带宽
虚拟源直径
I
FS
= 10毫安
I
FS
= 10毫安
DIN EN ISO 1分之1146 ：2005
I
FS
= 10毫安
t
p
= 20毫秒
测试条件
I
FS
= 10毫安
t
p
= 20毫秒
I
RS
= 10 A
符号
V
FS
V
RS
C
jS
I
e
S
λ
ps
Δλ
s
875
5
50
2
± 20
885
42
1.4
22
民
典型值。
1.3
最大
单位
V
V
pF
毫瓦/ SR
度
nm
nm
mm
红外发射器LEDC （补偿）
参数
正向电压
反向电压
结电容
峰值波长
光谱带宽
I
FC
= 10毫安
I
FC
= 10毫安
测试条件
I
FC
= 10毫安
t
pC
= 20毫秒
I
RC
= 10 A
符号
V
FC
V
RC
C
jC
λ
pC
Δλ
C
5
50
885
42
民
典型值。
1.3
最大
单位
V
V
pF
nm
nm
探测器
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
反向光电流
测试条件
I
FD
= 50毫安
I
RD
= 100 A
E=0
V
RD
= 10 V ， E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 870 nm的
V
RD
= 5 V
V
RD
= 5 V
λ
= 870 nm的
符号
V
FD
V
（ BR ）
I
r0
I
ra
5
1
5.6
10
民
典型值。
1.0
最大
1.3
单位
V
V
nA
A
温度。我系数
ra
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
TK
IRA
D
λ
p
λ
0.5
0.2
± 20
910
790...1020
%/K
度
nm
nm
文档编号84606
修订版1.2 ， 23 - 8 - 06
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TCND3000
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有说明
0°
10°
20°
S( )
REL
- 相对光谱响应
30°
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
600
I
E，相对
- 相对辐射强度
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80°
0.7
94
8883
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
700
800
900
1000
1100
λ
-
波长
（纳米）
图2.相对辐射强度对比角位移
图4.相对光谱灵敏度与波长
0°
10°
20°
30°
3.5
3
2.5
I
FS
= 10毫安
2
1.5
1
串扰级别
0.5
0
S
REL
- 相对强度
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80°
0.7
20181
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
I
CA
- 光电流（ μA ）
0.6
1
10
100
- 距离（mm ）
图3.相对辐射灵敏度与角位移
图5.光电流与距离
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TCND3000
威世半导体
应用电路
图6.测试电路
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