TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，单路/四路
道，半间距微型扁平封装
特点
薄型封装（半间距）
AC绝缘测试电压3750 V
RMS
典型的0.3 pF的低耦合电容
CTR的低温度系数
环境温度范围宽
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17224
C
E
9
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双
保护
C- UL CSA 22.2公告5A ，系统代码ü
1
A
4针
16针
2
C
8
应用
可编程逻辑控制器
C
e3
e3
Pb
Pb
无铅
无铅
描述
低调Miniflat包包括一个光耦合器
PLER交流输入和晶体管输出。它是可用
能够在单信道（ 4针） TCMT1600或四
通道（ 16引脚） TCMT4600 。
订购信息
部分
TCMT1600
TCMT4600
TCMT4600T0*
备注
CTR 80 - 300 ％ ，单通道， SMD- 4
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
注：仅适用于磁带和卷轴。
*产品旋转卷带式腔体180 ° 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
± 60
± 1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
www.vishay.com
1
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
符号
V
ISO1)
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
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2
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
100
V
CE
=5V
I
F
=5mA
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.5
1.0
1
0.5
0
–25
0
25
50
75
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比与环境
温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
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4
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，单路/四路
道，半间距微型扁平封装
特点
薄型封装（半间距）
AC绝缘测试电压3750 V
RMS
典型的0.3 pF的低耦合电容
CTR的低温度系数
环境温度范围宽
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17224
C
E
9
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双
保护
C- UL CSA 22.2公告5A ，系统代码ü
1
A
4针
16针
2
C
8
应用
可编程逻辑控制器
C
e3
e3
Pb
Pb
无铅
无铅
描述
低调Miniflat包包括一个光耦合器
PLER交流输入和晶体管输出。它是可用
能够在单信道（ 4针） TCMT1600或四
通道（ 16引脚） TCMT4600 。
订购信息
部分
TCMT1600
TCMT4600
TCMT4600T0*
备注
CTR 80 - 300 ％ ，单通道， SMD- 4
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
注：仅适用于磁带和卷轴。
*产品旋转卷带式腔体180 ° 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
± 60
± 1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
www.vishay.com
1
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
符号
V
ISO1)
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
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文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
100
V
CE
=5V
I
F
=5mA
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.5
1.0
1
0.5
0
–25
0
25
50
75
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比与环境
温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
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文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，单路/四路
道，半间距微型扁平封装
特点
薄型封装（半间距）
AC绝缘测试电压3750 V
RMS
典型的0.3 pF的低耦合电容
CTR的低温度系数
环境温度范围宽
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17224
C
E
9
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双
保护
C- UL CSA 22.2公告5A ，系统代码ü
1
A
4针
16针
2
C
8
应用
可编程逻辑控制器
C
e3
e3
Pb
Pb
无铅
无铅
描述
低调Miniflat包包括一个光耦合器
PLER交流输入和晶体管输出。它是可用
能够在单信道（ 4针） TCMT1600或四
通道（ 16引脚） TCMT4600 。
订购信息
部分
TCMT1600
TCMT4600
TCMT4600T0*
备注
CTR 80 - 300 ％ ，单通道， SMD- 4
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
CTR 80 - 300 ％ ，四通道， SMD- 16
注：仅适用于磁带和卷轴。
*产品旋转卷带式腔体180 ° 。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
± 60
± 1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
文档编号83512
修订版1.5 ， 02 - 05
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威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
1)
测试条件
符号
V
ISO1)
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
相关标准气候23/50 DIN 50014
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
电容（输入输出）
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
IO
100
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
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修订版1.5 ， 02 - 05
TCMT1600 / TCMT4600
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
100
V
CE
=5V
I
F
=5mA
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
2mA
1mA
0.1
0.1
95 10985
1.5
1.0
1
0.5
0
–25
0
25
50
75
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比与环境
温度
图9.集电极电流与集电极发射极电压
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修订版1.5 ， 02 - 05
QQ：2881677436 复制
