替代设备可用
TCMT111 。系列
www.vishay.com
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，单通道，
半节距微型扁平封装
C
4
E
3
特点
薄型封装（半间距）
交流隔离测试电压3750 V
RMS
典型0.3 pF的低耦合电容
电流传输比（CTR ），选入组
16467-5
1
A
2
C
CTR的低温度系数
较宽的环境温度范围
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
16467-4
V
D E
机构认证
描述
该TCMT111X系列包括一个光电晶体管的光
耦合到一个砷化镓在一个红外发光二极管
4引脚封装。
的元件被安装在一个引线框架提供了一个
用于最高安全输入和输出之间的固定距离
要求。
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码M
cUL认证CSA22.2公告5A
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）
BSI EN 60065 ：2002 ， EN 60950 ：2000证书八千九百八十七分之八千九百八十六
应用
可编程逻辑控制器
调制解调器
应答机
一般应用
订购信息
SMD- ＃
T
C
M
T
1
1
1
#
7 mm
产品型号
代理认证/
包
UL ， CUL， BSI ， VDE
SOP-4
CTR （ ％ ）
5毫安
50至600
40 to80
10毫安
5毫安
63 125 100200 160 320 50150 100 300 80160 130 260 200 400
TCMT1110 TCMT1111 TCMT1112 TCMT1113 TCMT1114 TCMT1115 TCMT1116 TCMT1117 TCMT1118 TCMT1119
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
P
10 μs
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
6
50
1.5
80
125
V
mA
A
mW
°C
测试条件
符号
价值
单位
修订版1.6 ， 23日， 13
文档编号： 81862
1
如有技术问题，请联系：
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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威世半导体
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
相关标准气候23/50
DIN 50014
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(1)
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
3750
230
- 40 + 110
- 40至+ 125
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
波峰焊三个周期是允许的。另请参阅“安装说明书” （ www.vishay.com/doc?80054 ） 。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
0.1
100
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 100 μA
I
E
= 100 μA
V
CE
= 20 V，I
F
= 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
100
V
V
nA
I
F
= 5毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.15
50
1.4
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
部分
TCMT1110
TCMT1111
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
TCMT1112
TCMT1113
TCMT1114
TCMT1115
TCMT1116
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCMT1117
TCMT1118
TCMT1119
修订版1.6 ， 23日， 13
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
40
63
100
160
50
100
80
130
200
典型值。
马克斯。
600
80
125
200
320
150
300
160
260
400
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号： 81862
2
如有技术问题，请联系：
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威世半导体
测试条件
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3
3
4
0
5
3
9
18
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k,
（参见图2）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k,
（参见图2）
I
F
I
F
0
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10804
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
100
Ω
图。 1 - 测试电路，非饱和运算
图。 3 - 开关时间
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10843
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
1 kΩ
图。 2 - 测试电路，饱和运算
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测试条件
IEC 68第1部分
CTI
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
5
5
符合IEC 60950 2.10.5.1
0.4
175
6000
707
265
130
150
符号
分钟。
典型值。
40/110/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
漏电起痕指数
峰值瞬态过电压
峰值绝缘电压
安全等级 - 功率输出
安全评级 - 输入电流
安全评级 - 温度
爬电距离
间隙距离
保温层厚度，钢筋额定
记
按照IEC 60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
CTR
REL
- 相对电流传输比
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
2.0
V
CE
= 5 V
I
F
= 5毫安
1.5
1.0
0.5
0
- 25
0
25
50
75
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 总功率耗散与环境温度
图。 6 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
1000
10 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1000
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
10
100
1
10
0.1
0
96 11862
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
95 11026
0
25
50
75
100
V
F
- 正向电压（ V）
图。 5 - 正向电流与正向电压
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 集电极暗电流与环境温度
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I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5 V
10
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
1000
V
CE
= 5 V
100
1
10
0.1
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 11029
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 8 - 集电极电流与正向电流
图。 11 - 电流传输比与正向电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
0.1
1
10
100
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
100
50
饱和运算
V
S
= 5 V
R
L
= 1 kΩ
40
30
t
关闭
20
10
0
0
5
10
15
t
on
20
1
95 10985
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
95 11031
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 9 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 12 - 页转到- ON / OFF时间与正向电流
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
1.0
20 ％的人使用
10
非饱和
手术
V
S
= 5 V
R
L
= 100
Ω
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和电压（ V）
0.8
点击率= 50 ％
二手
0.6
8
6
t
on
t
关闭
4
2
0
0
2
4
6
8
0.4
0.2
10 ％的人使用
0
1
10
100
95 11028
I
C
- 集电极电流（毫安）
95 11030
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 10 - 集电极发射极饱和电压与
集电极电流
图。 13 - 导通/关闭时间与集电极电流
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