TCMT11 ..系列
日前，Vishay
半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=20V
I
F
=0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 11700
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图4.总功耗对比
环境温度
1000.0
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
10.0
1
1.0
0.1
0.1
0
96 11862
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11027
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图8.集电极电流与正向电流
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=5mA
1.5
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
1.0
1
2mA
1mA
0.5
0
–25
95 11025
0.1
0
25
50
75
95 10985
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比主场迎战
环境温度
文档编号83510
牧师A2 ， 15日-12月00
图9.集电极电流与集电极发射极电压
www.vishay.com
5 (12)
TCMT11 ..系列
日前，Vishay
半导体
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=20V
I
F
=0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 11700
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图4.总功耗对比
环境温度
1000.0
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
10.0
1
1.0
0.1
0.1
0
96 11862
0.01
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
95 11027
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图8.集电极电流与正向电流
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=5mA
1.5
20mA
I
F
=50mA
10
10mA
5mA
1.0
1
2mA
1mA
0.5
0
–25
95 11025
0.1
0
25
50
75
95 10985
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图6.相对电流传输比主场迎战
环境温度
文档编号83510
牧师A2 ， 15日-12月00
图9.集电极电流与集电极发射极电压
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5 (12)
替代设备可用
TCMT110 。系列
www.vishay.com
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，单通道，
半节距微型扁平封装
特点
C
4
E
3
薄型封装（半间距）
交流隔离测试电压3750 V
RMS
典型0.3 pF的低耦合电容
电流传输比（CTR ），选入组
CTR的低温度系数
较宽的环境温度范围
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
1
A
16467-4
2
C
描述
该TCMT110 。系列包括一个光电晶体管的光
耦合到一个砷化镓在一个红外发光二极管
4引脚封装。
的元件被安装在一个引线框架提供了一个
用于最高安全输入和输出之间的固定距离
要求。
应用
可编程逻辑控制器
调制解调器
应答机
一般应用
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码男，双
保护
cUL认证CSA 22.2公告5A ，双重保护
DIN EN 60747-5-5 （ VDE 0884-5 ）
FIMKO ： FI EN 60950-1：2006
BSI ： BS EN60065 ： 2002
BS EN60950-1 ：2006
订购信息
SOP-4
T
C
M
T
1
1
0
#
7.21 mm
产品型号
代理认证/
包
UL ， CUL， FIMKO ，
BSI ， VDE
SOP-4
CTR （ ％ ）
5毫安
50至600
40至80
10毫安
5毫安
63 125 100200 160 320 50150 100 300 80160 130 260 200 400
TCMT1100 TCMT1101 TCMT1102 TCMT1103 TCMT1104 TCMT1105 TCMT1106 TCMT1107 TCMT1108 TCMT1109
记
仅适用于磁带和卷轴。
修订版2.9 ， 23日， 13
文档编号： 83510
1
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
替代设备可用
TCMT110 。系列
www.vishay.com
威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
p
10 μs
I
FSM
P
DISS
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
相关标准气候23/50
DIN 50014
价值
6
60
1.5
100
125
70
7
50
100
150
125
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
mA
mA
mW
°C
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(1)
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
3750
250
- 40至+ 100
- 40至+ 125
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
笔记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
(1)
波峰焊三个周期是允许的。另请参阅“安装说明书” （ www.vishay.com/doc?80054 ） 。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
100
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 100 μA
I
E
= 100 μA
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 A
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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替代设备可用
TCMT110 。系列
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威世半导体
部分
TCMT1100
TCMT1101
TCMT1102
TCMT1103
TCMT1104
TCMT1105
TCMT1106
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
40
63
100
160
50
100
80
130
200
典型值。
马克斯。
600
80
125
200
320
150
300
160
260
400
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCMT1107
TCMT1108
TCMT1109
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k,
（参见图2）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k,
（参见图2）
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3
3
4.7
0.3
6
5
9
18
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
I
F
0
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10804
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
50
Ω
95 10843
通道I
道II
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
100
Ω
图。 1 - 测试电路，非饱和运算
图。 2 - 测试电路，饱和运算
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3
如有技术问题，请联系：
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替代设备可用
TCMT110 。系列
www.vishay.com
t
p
t
威世半导体
I
F
0
I
C
100 %
90 %
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
图。 3 - 开关时间
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
保温层厚度，钢筋额定
每IEC60950 2.10.5.1
5
5
0.4
测试条件
IEC 68第1部分
CTI
175
6000
707
265
130
150
符号
分钟。
典型值。
40/110/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这种光电耦合器适用于“安全的电气绝缘”只在安全评级。符合
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
96 11700
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
80
120
96 11862
100
10
红外二极管
1
0.1
40
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
F
- 正向电压（ V）
图。 5 - 正向电流与正向电压
图。 4 - 总功率耗散与环境温度
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4
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威世半导体
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5 V
I
F
= 5毫安
1.5
20毫安
I
F
= 50毫安
10
10毫安
5毫安
2毫安
1毫安
0.1
1.0
1
0.5
0
- 25
0
25
50
75
0.1
95 10985
1
10
100
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 6 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
图。 9 - 集电极电流与集电极发射极电压
10 000
1.0
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和电压（ V）
1000
V
CE
= 20 V
I
F
= 0
20 ％的人使用
0.8
点击率= 50 ％
二手
0.6
100
0.4
0.2
10 ％的人使用
0
1
10
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
95 11028
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 7 - 集电极暗电流与环境温度
图。 10 - 集电极发射极饱和电压与
集电极电流
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5 V
10
CTR - 电流传输比（ ％ ）
100
1000
V
CE
= 5 V
100
1
10
0.1
0.01
0.1
95 11027
1
10
100
1
0.1
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 11029
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 8 - 集电极电流与正向电流
图。 11 - 电流传输比与正向电流
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文档编号： 83510
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