评价
KIT
可用的
TCM850
TCM851
TCM852
TCM853
1
调控的GaAs FET偏置电源
特点
s
s
s
固定 - 4.1V或可调 - 0.5V至 - 9V输出
为5mA
4.5V至10V输入电压范围
低输出电压纹波
TCM850-852 .............................................. 2mVp -p
TCM853 ................................................. ..... 1mVp -P
100kHz的电荷泵开关频率
可选的外部同步时钟
输入（ TCM852 ）
逻辑电平关断模式................ 0.5
一个典型。
温度（ TCM850 /八百五十三分之八百五十二）
低成本， 8引脚SOIC封装
概述
在TCM850 / 1 /2/3结合了反相电荷泵
并在一个单一的小形低噪声线性稳压器
封装。他们是理想的偏置砷化镓场效应管在细胞
电话发射机功率放大器
所有四个器件接受的范围内的输入电压
4.5V至10.0V ，并有 - 5毫安输出电流能力。该
TCM850 / 1/2有两个预设（ - 4.1V ）和变量（ - 0.5V
为-9.0V ）输出电压的程序与外部
电阻分压器。与TCM853输出电压方案
外部正控制电压。在TCM850 / 1/3罐
是关机静态电流降低至小于
0.5μA （典型值），过温， 2μA （典型值）的TCM851 。
2
3
4
5
6
7
s
s
s
s
订购信息
应用
s
s
s
s
s
手机
负稳压电源
LCD偏置对比度控制
可调节的GaAs FET偏置
无线数据记录仪
产品型号
TCM850COA
TCM850EOA
TCM851COA
TCM851EOA
TCM852COA
TCM852EOA
TCM853COA
TCM853EOA
TCM850EV
功能框图
+
C
1
+
C
1
包
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚SOIC
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
8引脚SOIC
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
- 40 ° C至+ 85°C
8引脚SOIC
0 ° C至+ 70°C
8引脚SOIC
- 40 ° C至+ 85°C
评估板
TCM850/1/2/3
C
1
–
C
1
收费
泵
C
3
TCM850
TCM851
TCM852
IN
C
1
–
C
1
收费
泵
C
3
TCM853
IN
NEGOUT
C
2
SHDN （ TCM850 ）
SHDN （ TCM851 ）
OSC （ TCM852 ）
N
OUT
C
4
NEGOUT
C
2
N
C
4
OUT
– 1.28V
REF
GND
图1 。
TELCOM半导体，INC。的
–
CONT
（控制电压）
GND
TC850 / 1/2 / 3-3 96年10月1日
FB
（ GND，设置
V
OUT
= – 4.1V)
SHDN
–
+
+
8
4-27
TCM850
TCM851
TCM852
TCM853
绝对最大额定值*
电源电压（V
IN
到GND ） .................. - 0.3V至+ 10.5V
V
NEGOUT
到GND ...................................... - 10.5V至0.3V
V
IN
到V
NEGOUT ................................................. ..............
- 0.3 21V
V
OUT
到GND ** ........................................ V
NEGOUT
到0.3V
SHDN或OSC （引脚4 ）到GND ........ - 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
功率耗散（T
A
< 70 ° C）
SOIC ................................................. .......... 470mW
工作温度范围
C设备.............................................. 0 ° C至70℃
设备....................................... - 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 165℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
调控的GaAs FET偏置电源
*这是一个值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
**可以将输出短路到NEGOUT或者封装的功率GND
功耗不超过。到GND典型的短路电流为50mA 。
电气特性：
V
IN
在+ 5V和+ 10V ; V
OUT
= - 4.1V ;
L
=开路;牛逼
A
= T
民
to
T
最大
除非另有说明。 100kHz的50 ％占空比的方波
GND和V之间
IN
被施加到TCM852的OSC引脚。
符号
V
IN
V
OUT
参数
电源电压
输出电压
输出电压范围
设定电压
电源电流
关断电源电流
测试条件
注1
TCM850 ， TCM852 ： V
FB
= 0V （注3）
TCM853 ： V
CTRL
= 4.1V
TCM850-852 ：空载
TCM850 / 853 ： V
IN
= 10V ， SHDN = 0V
TCM851 ： SHDN = 2V
TCM852 ： OSC低
TCM850 ， TCM852 ： V
FB
= 0V （注3）
TCM853 ： V
CTRL
= 4.1V
TCM850-TCM852
TCM853
TCM850 ， TCM853 ：T已
A
= 25 ° C（注2 ）
引脚4
引脚4
引脚4
引脚4
民
5
– 4.3
– 4.2
典型值
最大
单位
V
FBset
I
Q
I
关闭
V
OUT
负载调整率
V
OUT
纹波
f
OSC
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
振荡器频率
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入电容
—
10
V
– 4.1
– 3.9
V
—
–4
- 0.5 - （V
IN
–1)
V
– 1.32
– 1.28
– 1.24
V
—
2
3
mA
—
0.5
—
A
—
2
—
—
0.5
—
—
4
8
毫伏/毫安
—
3
8
—
2
—
MVP -P
—
1
—
80
100
120
千赫
2
—
—
V
—
—
0.5
V
—
—
±1
A
—
10
—
pF
注意事项：
1，电源电压可降至4.5V ，但输出不再保证下沉5毫安在 - 4.1V 。
2. TCM852将操作用50kHz至250kHz的方波的40％至60 ％的占空比。为了获得最佳性能，请使用80kHz的来
120kHz的方波，占空比为50％ 。
3. I
OUT
= 0毫安或5毫安。参考图3和图5 。
4-28
TELCOM半导体，INC。的
调控的GaAs FET偏置电源
TCM850
TCM851
TCM852
TCM853
销刀豆网络gurations
8引脚SOIC
C1+
C1–
NEGOUT
SHDN
1
2
3
4
8
7
TCM850COA
TCM850EOA 6
5
IN
GND
C1+
C1–
1
2
3
4
TCM851COA
TCM851EOA
8
7
6
5
IN
GND
C1+
C1–
1
2
3
4
TCM852COA
TCM852EOA
8
7
6
5
IN
GND
OUT
FB
C1+
C1–
NEGOUT
SHDN
1
2
3
4
8
7
TCM853COA
TCM853EOA 6
5
IN
GND
OUT
CONT
1
2
3
描述
C1正输入端。
C1的负输入端。
阴性（未调整）的输出电压。
关断输入（ TTL低电平有效） 。
关断输入（ TTL高电平有效） 。
外部振荡器输入。
反馈输入。 OUT预设为 - 4.1V时， FB是
接地。输出可以被调整以其它电压由
连接一个电阻分压器，如图4 。
控制输入。 V
OUT
调节与阳性对照
电压（0V至10V）通过一个电阻施加到该输入端
除法器（图5） 。
输出电压端。
地面上。
正电源的输入电压（ 4.5V至10V ） 。
OUT NEGOUT
FB
SHDN
OUT NEGOUT
FB
OSC
图2中。
引脚说明
针无
(TCM850)
1
2
3
4
—
—
5
针无
(TCM851)
1
2
3
—
4
—
5
针无
(TCM852)
1
2
3
—
—
4
5
针无
(TCM853)
1
2
3
4
—
—
—
符号
C
1
–
C
1
NEGOUT
SHDN
SHDN
OSC
FB
+
4
5
6
7
—
—
—
5
CONT
6
7
8
6
7
8
6
7
8
6
7
8
OUT
GND
IN
8
TELCOM半导体，INC。的
4-29
调控的GaAs FET偏置电源
TCM850
TCM851
TCM852
TCM853
详细的设备描述
适用于V的电压
IN
由电容性反转
电荷泵（使用换向电容器C1和reser-
案中电容器C2 ） 。在NEGOUT负电压则
通过内部线性稳压器，其输出规
连接到OUT引脚（图1） 。最负
输出电压可以是反相输入电压（即
–V
IN
）加1.0V （由后置稳压器必需的） 。线性
稳压器降低了组合的输出噪声（充电泵
纹波加上输入电源噪声） ，以2mVp -P的TCM850 /
1/2和1mVp - p表示的TCM853 。
C
3
C
1
C–
1
TCM850
TCM851
TCM852
V
IN
I
OUT
C+
1
OUT
V
OUT
= –2.56V
C
4
10F
NEGOUT
C
2
SHDN
SHDN
OSC
GND
FB
R2 = 10万
应用信息
设置输出电压
在TCM850 / 1/2工作在固定输出电压
模式（ OUT = - 4.1V ）时， FB输入端接地（图
3）。输出电压可以通过连接FB的调整
一个电阻分压器从OUT到GND的中点
（图4） 。必须小心，以允许最小1.0V的
跨越适当调节线性稳压器。输出
电压是使用下面的公式计算出的（R 2应
选择在100kΩ和400kΩ ）之间：
V
OUT
= (–1.28) 1+
R1 = 100K
所有盖帽= 1.0μF ，除非另有说明
图4. TCM850 /八百五十二分之八百五十一可调的应用
输出电压和控制之间的关系
电压为TCM853 （图5）由下式给出：
V
OUT
= V
CTRL
(–1.28)
( )
V
IN
R2
R1
( )
R2
R1
V
IN
C
3
C
1
I
OUT
C+
1
C–
1
OUT
TCM850
TCM851
TCM852
V
OUT
= –4.1V
C
4
10F
C
3
C
1
I
OUT
C+
1
C–
1
OUT
V
OUT
= - 0.5V到 - 9.0V
C
4
10F
TCM853
NEGOUT
C
2
NEGOUT
C
2
SHDN
SHDN
OSC
GND
FB
R2 = 10万
SHDN
CONT
GND
R1 = 100K
VCTRL （ 0 10V ）
所有盖帽= 1.0μF ，除非另有说明
所有盖帽= 1.0μF ，除非另有说明
图3. TCM850 /八百五十二分之八百五十一标准应用
4-30
图5. TCM853标准应用电路
TELCOM半导体，INC。的
调控的GaAs FET偏置电源
TCM850
TCM851
TCM852
TCM853
关断模式
提供关断输入，以减少TCM850 / 1/3
空闲期间的电源电流。当关断输入
处于激活状态时，电源电流在整个温度范围是
降低到0.5μA （典型值） TCM850 / 2 /3和2μA （典型值） TCM851 。
所有的关断输入是TTL电平兼容： TCM850和
TCM853都具有低电平有效输入（ SHDN ），而
TCM851有一个活跃的高投入。该TCM852可
关闭由OSC输入设置为逻辑低电平。该
TCM852退出停机状态时，时钟信号是
再次恢复。
1
噪声和纹波测量
在TCM850 / 1 /2/3电荷泵开关动作的原因
/在TCM850的小接地电压差1月2日
/ 3的电路和示波器。这些电压差异
引起的接地电流在探针导线感应电压
尖峰和导致错误的读数。其结果是，噪声
和纹波的测量应
直
横过
输出电容C4 。不要使用的接地线
示波器探头。相反，请从塑料盖
探头端部和直接接触探头接地环的
C4的负端。泰克底盘安装测试插孔（部分
号131-0258 ）或钉型探针尖端连接到
探头和减少噪声和纹波测量误差。
2
3
4
5
6
7
电荷泵频率控制
在应用中，电荷泵开关频
昆西可能引起干扰或过滤的问题，这是
推荐的TCM852使用。开关频率
由50kHz至250kHz的方波信号来确定
施加到OSC输入。适用于OSC的信号
有40 ％和60％之间的占空比。 *注：外部
振荡器信号必须被施加到TCM852 。该
TCM852没有板载振荡器truebase 。
评估套件
Telcom公司半导体提供评估套件
（ TCM850EV ）为TCM850-853 。第二个评估套件
（ TC7660EV ）评估数TELCOM电荷泵IN-
cluding的TC7660 ， TC7660S ， TC7662B ， TC962 ， TC682 。
该试剂盒还支持TCM850 （但不是TCM851-
853).
电容器
电容具有低等效串联电阻（ ESR ）
应当用来保持整个足够的裕量
线性后置稳压器。为C1，C2和推荐值
C3为1μF ， 0.8Ω ESR 。对于C4的建议值是
10μF ， 0.2Ω 。所有的电容应该是表面贴装
片式钽或陶瓷芯片类型。
电路板布局
在TCM850 / 1 /2/3通常认为使用中的应用程序
其中，低输出噪声是很重要的。为了保证良好的隔音
性能，请遵守以下基本布局
建议：
（ 1 ）安装在电路尽量靠近所有组件一起
成为可能。
（ 2 ）保持走线长度短;特别是那些控制
输入如FB和CONT 。这会降低
寄生电容和电感的影响。
（ 3 ）通过采用地面最小化接地阻抗
平面。
8
TELCOM半导体，INC。的
4-31
QQ：2880707522 复制
