TCM1030 ， TCM1050

双瞬态电压抑制器

SCTS040B - 1989年6月 - 修订1997年6月

D

D

D

D

D

D

达到或超过标准贝尔LSSGR

需求

外部控制的负射击

电压。 。 。 - 90 V最大

精确控制，宽负

点火电压范围。 。 。 - 5 V至 - 85 V

正浪涌电流（见注1 ） ：

TCM1030

TCM1050

10/1000

16 A

30 A

10/160

25 A

45 A

2/10

35 A

50 A

负浪涌电流（见注1 ） ：

TCM1030

TCM1050

10/1000

– 16 A

– 25 A

10/160

– 25 A

– 29 A

2/10

– 35 A

– 36 A

高保持电流

- TCM1030 。 。 。百毫安敏

- TCM1050 。 。 。 150毫安敏

D或P封装

（ TOP VIEW ）

TIP

V

S

NC

环

1

2

3

4

8

7

6

5

TIP

GND

GND

环

NC - 无内部连接

D封装中提供录音和

一阵眩晕。加上R后缀（即， TCM1030DR ） 。

描述

该TCM1030 TCM1050和双瞬态电压抑制器是专门为电话线设计

卡防雷击，引起交流线路瞬变（瞬态电压） 。其中一个TIP终端

（引脚1或8）和RING端子（引脚4或5）被连接到SLIC的塞尖和塞环电路中的一个

（用户线接口电路） 。在SLIC和用户线之间的馈电连接是

从剩余的提示（引脚1或8）和环（引脚4或5）通过TCM1030或TCM1050到尖端和

环行。瞬变尖与地之间，以及环和接地之间被抑制。

正瞬变被二极管D1和D2夹紧。负瞬变，比V更负

S

原因

可控硅Q1和Q2 ，以撬棍。可控硅的高保持电流防止直流闭锁的瞬间

消退。

该TCM1030和TCM1050的特点是操作从 - 40 ° C至85°C 。

注1：符号10/1000指具有波形潮流= 10

s

和TW = 1000

s

在峰值的50 ％结束。符号一百六十分之一十

为TR = 10

s

和TW = 160

s.

符号2/10是TR = 2

s

和TW = 10

s.

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

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标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1997年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

TCM1030 ， TCM1050

双瞬态电压抑制器

SCTS040B - 1989年6月 - 修订1997年6月

功能框图

TIP

1

8

TIP

旅

电路

2

D1

Q1

7

GND

VS

6

旅

电路

Q2

D2

环

4

5

GND

环

在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

TCM1030非重复峰值浪涌电流（见注1 ） ： 10/1000 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±

16 A

10/160 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

25 A

2/10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±

35 A

TCM1050非重复峰值正浪涌电流：

10/1000 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 A

（见注1 ）

10/160 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45 A

2/10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 A

TCM1050非重复峰值负浪涌电流：

10/1000 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 25 A

（见注1 ）

10/160 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 29 A

2/10 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 36 A

非重复性峰值浪涌电流，T

w

= 10毫秒，半正弦波（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5 A

连续60赫兹正弦波在1 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2秒

连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表

工作的自由空气的温度范围内，T

A

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40℃ 150℃

焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒：D或P封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1的符号10/1000指的是具有TR = 10波形

s

和TW = 1000

s

在峰值的50 ％结束。符号一百六十分之一十

为TR = 10

s

和TW = 160

s.

符号2/10是TR = 2

s

和TW = 10

s.

2.该值时适用的情况下温度等于或低于85 ℃。的浪涌电流，可以重复该设备已返回后

到热平衡。

额定功耗表

包

D

P

TA

≤

25°C

额定功率

725毫瓦

1000毫瓦

工作因子

以上TA = 25°C

5.8毫瓦/°C的

8.0毫瓦/°C的

TA = 85°C

额定功率

377毫瓦

520毫瓦

2

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电气特性在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

测试条件

IFM = 1 -A瞬时

IFM = 10 -A瞬时

IFM = 16 -A瞬时

IFM = 30 -A瞬时

ITM = 1 -A瞬时

ITM = 10 -A瞬时

ITM = 16 -A瞬时

ITM = 30 -A瞬时

VS = - 50 V

VS = - 50 V

VS = - 50 V ，

VS = - 65 V ，

I =跳闸电流

I =跳闸电流

—

– 100

– 100

– 50

– 65

—

—

– 55

– 70

—

±

5

2.5

25

50

–1

2.5

25

50

–1

—

TCM1030

MIN TYP

最大

1.2

2.5

4

—

–1.2

– 2.5

–4

—

2

4

5

—

–2

–4

–5

—

– 325

– 100

– 150

– 50

– 65

– 85

– 55

– 70

– 90

±

5

A

V

pF

KV / μs的

V

TCM1050

MIN TYP

最大

1.2

2

2.5

3.1

–1.2

– 2.5

–3

– 4.8

2

4

5

5

–2

–4

–5

–7

– 325

mA

mA

V

V

单位

VCF

正向电压钳位

（二极管的正向电压） （见

注3 ）

VC （R） -

反向钳位电压

（晶闸管的导通电压）（见

在国家

注3 ）

跳闸电流（见注4 ）

保持电流

触发电压

II （旅）

IH

VI （旅）

( )

II （备用）

待机电流

瞬态过冲电压

VS = - 85 V，I =跳闸电流

TIP和RING在 - 85 V或GND ，

VS = - 85 V

VS = - 50 V ， TR = 10纳秒

TIP和RING在 - 50 V

TIP和RING在GND

VS开，

VS = - 50 V

COFF

ff

dv / dt的

关闭状态（G阻抗）

（高

)

电容

崛起的断态临界速率

电压（见注5 ）

所有典型值是在TA = 25 ℃。

注意： 3的电流流过1提示（或环）端子和GND端子中的一个。该电压加在两者之间测得的

提示（或环）端，另一GND端子。测量时间

≤

1毫秒。

4.跳闸电流的负值是指流出提示或RING线侧的电流是足够的大小，以

触发可控硅。测量时间

≤

1纳秒。

或50伏与VS连接到TIP环 - 5.临界dv / dt的使用引起的最大电压限制为线性速率测量

被测量。

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典型特征

提示或环电流

vs

提示或环至GND的电压

0.5

0.4

0.3

提示或环电流 - 一个

0.2

0.1

0

– 0.1

– 0.2

– 0.3

– 0.4

– 0.5

– 50 – 40 – 30 – 20 – 10

0

10

20

30

40

50

VS = - 48 V

TA = 25°C

提示或环到GND电压 - V

图1

应用信息

跳闸电压表示施加到系统的压力的最负的电平。积极瞬变

由二极管D1和D2夹紧。当一个负脉冲应用，从V电流流

S

给小费或环，其中

瞬态电压被施加。当电流通过提示或环到达脉冲动作电流，可控硅

打开和短裤提示或环至GND 。大部分瞬态能量被耗散在外部电阻

（标称值为100

为TCM1030和70

为TCM1050 ） 。目前进入V

S

不再当可控硅导

上。当瞬时的能量已经消散，使得电流成提示或环由于瞬态

加电池供给电源电压低于维持电流，可控硅截止。

为了帮助确保在点火电压的可靠性和一致性，因此建议两个电容器是

连接V之间

S

和GND ，如靠近器件的终端成为可能。一个电容应为0.1 μF ，

100 -V陶瓷单元，另一个是一个0.47 - μF ， 100 -V叠层薄膜（未伤）金属化塑料电容。如果

电感存在于线到V

S

这些电容有助于防止在快速过冲的点火电压

上升时间的瞬变。

以避免直流闭锁后可控硅已被触发时，电流必须小于维持电流，我

H

。为了防止

直流闭锁，线路馈电电流必须限制在下列条件：

*

VRP

t

I

R

)

2RP

LINE

V

TP

其中，V

TP

和V

RP

是TCM1030或TCM1050对TIP和RING分别电压。感应交流

电流转换成TIP或RING （例如，电源线的电感耦合）必须小于跳闸电流，以防止

SCR的射击。

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应用信息

线短路到外部电源可损害抑制由于过大的功率耗散。

常规的保护技术，如熔丝或PTC（正温度系数）热敏电阻，应

可用于消除或减少故障电流。

图2显示了一个典型的线路卡的应用电路。

T

TP

1

2

RP

VBAT

GND

R

0.47

F

（见注B）

48 V

注：A RP 100

最小的TCM1030和70

最小的TCM1050 。

B. 0.47

F,

100伏层叠薄膜金属化塑料电容器

C. 0.1

F,

100 V陶瓷电容器

0.1

F

（见注C）

4

TIP

TIP

8

RP （见注一）

RP （见注一）

TIP

控制

用户线

接口电路

（ SLIC ）

接受

声音

发送

声音

7

TCM1030 ， GND

6

VS TCM1050

GND

5

环

环

环

图2.典型线路卡应用电路

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