TCLT11 ..系列
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOP- 6L5 ，半间距，长
微型扁平封装
特点
SMD薄型5引脚封装
隔离测试电压5000 V
RMS
CTR的灵活性可查看订购信息
特种建筑
超低耦合电容
连接底座
DC输入，晶体管输出
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
5
4
3
17296
1
2
C
V
D E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码W，双
保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
注意：
请参阅安全标准审批表"Agency
Table"更详细的信息。
描述
该TCLT11 ..系列由一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓红外，但排放
婷二极管在5引脚SOP5L包。
的元件被安装在一个引线框架provid-
荷兰国际集团的输入和输出之间的固定距离为高
EST的安全要求。
订购信息
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1105
TCLT1106
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
备注
CTR 50 - 600 ％ ， SMD- 5
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 5
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 5
CTR 50 - 150 ％ ， SMD- 5
CTR 100 - 300 ％ ， SMD- 5
CTR 80 - 160 ％ ， SMD- 5
CTR 130 - 260 ％ ， SMD- 5
CTR 200 - 400 ％ ， SMD- 5
应用
开关模式电源
电脑外设接口
微处理器系统接口
注：仅适用于磁带和卷轴。
文档编号83514
修订版1.8 ， 03日-12月04
www.vishay.com
1
TCLT11 ..系列
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
5000
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
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2
文档编号83514
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TCLT11 ..系列
威世半导体
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1104
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCLT1105
TCLT1106
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
63
100
22
34
56
50
100
80
130
200
45
70
100
150
300
160
260
400
典型值。
最大
600
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
单位
kV
°C
文档编号83514
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3
TCLT11 ..系列
威世半导体
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
4.8
4.4
V
IOWM
V
IORM
1.40
1.27
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
10 4
38
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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4
文档编号83514
修订版1.8 ， 03日-12月04
TCLT11 ..系列
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOP- 6L5 ，半间距，长
微型扁平封装
特点
SMD薄型5引脚封装
隔离测试电压5000 V
RMS
CTR的灵活性可查看订购信息
特种建筑
超低耦合电容
连接底座
DC输入，晶体管输出
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
5
4
3
17296
1
2
C
V
D E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码W，双
保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
注意：
请参阅安全标准审批表"Agency
Table"更详细的信息。
描述
该TCLT11 ..系列由一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓红外，但排放
婷二极管在5引脚SOP5L包。
的元件被安装在一个引线框架provid-
荷兰国际集团的输入和输出之间的固定距离为高
EST的安全要求。
订购信息
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1105
TCLT1106
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
备注
CTR 50 - 600 ％ ， SMD- 5
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 5
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 5
CTR 50 - 150 ％ ， SMD- 5
CTR 100 - 300 ％ ， SMD- 5
CTR 80 - 160 ％ ， SMD- 5
CTR 130 - 260 ％ ， SMD- 5
CTR 200 - 400 ％ ， SMD- 5
应用
开关模式电源
电脑外设接口
微处理器系统接口
注：仅适用于磁带和卷轴。
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TCLT11 ..系列
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
5000
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
www.vishay.com
2
文档编号83514
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TCLT11 ..系列
威世半导体
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1104
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCLT1105
TCLT1106
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
63
100
22
34
56
50
100
80
130
200
45
70
100
150
300
160
260
400
典型值。
最大
600
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
单位
kV
°C
文档编号83514
修订版1.8 ， 03日-12月04
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3
TCLT11 ..系列
威世半导体
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
4.8
4.4
V
IOWM
V
IORM
1.40
1.27
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
10 4
38
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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4
文档编号83514
修订版1.8 ， 03日-12月04
TCLT11..Series
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 6L5 ，半间距，长的Mini-扁平封装
特点
SMD低调5引脚封装
隔离测试电压5000 V
RMS
CTR的灵活性可查看订购信息
5
4
3
特种建筑
额外的低耦合电容
连接底座
DC输入，晶体管输出
厚度道岔绝缘
≥
0.75 mm
爬电距离> 8毫米
1
17296
2
C
V
D E
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
应用
描述
该TCLT11 ..系列由一个光电晶体管的光
耦合到一个砷化镓在一个红外发光二极管
5引脚的SOP -6L封装。
的元件被安装在一个引线框架提供了一个
用于最高安全输入和输出之间的固定距离
要求。
开关模式电源
计算机外设接口
微处理器系统接口
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码W，双重保护
CSA E76222 22.2 5A公告
BSI IEC 60950 IEC 60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
记
见安全标准审批表"Agency Table"了解更多
的详细信息。
订购信息
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1104
TCLT1105
TCLT1106
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
记
仅在磁带和卷轴。
备注
点击率50 600 ％ ， SOP- 6L5
点击率63 125％ ， SOP- 6L5
点击率100200％ ， SOP- 6L5
CTR 160 320 ％ ， SOP- 6L5
点击率50150 ％ ， SOP- 6L5
CTR 100 300 ％ ， SOP- 6L5
点击率80160 ％ ， SOP- 6L5
CTR 130 260 ％ ， SOP- 6L5
CTR 200 400 ％ ， SOP- 6L5
文档编号： 83514
2.1版， 09 -JAN- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
TCLT11..Series
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 6L5 ，半间距，长的Mini-平
包
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5000
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
t
P
/T = 0.5, t
P
≤
10毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
70
7
50
100
150
125
V
V
mA
mA
mW
°C
t
P
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
6
60
1.5
100
125
V
mA
A
mW
°C
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 ， E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
10
100
V
V
nA
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83514
2.1版， 09 -JAN- 08
TCLT11..Series
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 6L5 ，半间距，长的Mini-平
包
电流传输比
参数
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1104
TCLT1102
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
TCLT1103
TCLT1104
TCLT1105
TCLT1106
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
63
100
160
22
34
56
50
100
80
130
200
45
70
100
150
300
160
260
400
典型值。
马克斯。
600
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
威世半导体
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
V
IOTM
T
si
8
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定（见图1 ） 。这个光电耦合器适用于安全的电气隔离
仅在安全评级。遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
2.0
8
1.68
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
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TCLT11..Series
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 6L5 ，半间距，长的Mini-平
包
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
V
IOTM
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
P
si
（ mW）的
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
V
IOWM
V
IORM
0
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
150
13930
94 9182
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC 60747
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
符号
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3.0
3.0
6.0
0.3
4.7
5.0
9.0
10.0
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
+5
V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5
V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
= 1 M
C
L
= 20 pF的
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
95 10804
95 10843
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 4 - 测试电路，饱和运算
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TCLT11..Series
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 6L5 ，半间距，长的Mini-平
包
I
F
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
威世半导体
10
%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
96 11698
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图。 5 - 开关时间
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
CTR
REL
- 相对电流传输比
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
2.0
V
CE
= 5
V
I
F
= 5毫安
1.5
1.0
0.5
0
- 25
0
25
50
75
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 8 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
1000
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1000
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
10
100
1
10
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
1
0
95 11026
25
50
75
100
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 正向电流与正向电压
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图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
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TCLT11 ..系列
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOP- 6L5 ，半间距，长
微型扁平封装
特点
SMD薄型5引脚封装
隔离测试电压5000 V
RMS
CTR的灵活性可查看订购信息
特种建筑
超低耦合电容
连接底座
DC输入，晶体管输出
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
5
4
3
17296
1
2
C
V
D E
e3
Pb
无铅
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码W，双
保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
注意：
请参阅安全标准审批表"Agency
Table"更详细的信息。
描述
该TCLT11 ..系列由一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓红外，但排放
婷二极管在5引脚SOP5L包。
的元件被安装在一个引线框架provid-
荷兰国际集团的输入和输出之间的固定距离为高
EST的安全要求。
订购信息
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1105
TCLT1106
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
备注
CTR 50 - 600 ％ ， SMD- 5
CTR 63 - 125 ％ ， SMD- 5
CTR 100 - 200 ％ ， SMD- 5
CTR 50 - 150 ％ ， SMD- 5
CTR 100 - 300 ％ ， SMD- 5
CTR 80 - 160 ％ ， SMD- 5
CTR 130 - 260 ％ ， SMD- 5
CTR 200 - 400 ％ ， SMD- 5
应用
开关模式电源
电脑外设接口
微处理器系统接口
注：仅适用于磁带和卷轴。
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修订版1.8 ， 03日-12月04
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1
TCLT11 ..系列
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
5000
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
240
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
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TCLT11 ..系列
威世半导体
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
TCLT1100
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1102
TCLT1103
TCLT1104
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCLT1105
TCLT1106
TCLT1107
TCLT1108
TCLT1109
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
63
100
22
34
56
50
100
80
130
200
45
70
100
150
300
160
260
400
典型值。
最大
600
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
单位
kV
°C
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TCLT11 ..系列
威世半导体
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
4.8
4.4
V
IOWM
V
IORM
1.40
1.27
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
10 4
38
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
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