TCLT10 ..系列
威世德律风根
订购说明
订购代码
TCLT1000
TCLT1001
TCLT1002
TCLT1003
TCLT1005
TCLT1006
TCLT1007
TCLT1008
TCLT1009
点击率排行
50至600％
4080％
63至125％
100200％
50 ％至150％
为100300 ％
80至160％
130至260％
200至400％
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
爬电距离> 8毫米
D
经测试符合。 60950 ： AM4 ：1997第2.9.6 。
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号132473
VDE 0884相关的功能：
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
低廓包
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
偶系W
www.vishay.com
2 (12)
文档编号83515
牧师A3 ， 19 -MAR -01
TCLT100 。系列
www.vishay.com
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 4L ，龙小扁平封装
C
E
特点
SMD低调4引脚封装
V
IORM
= 1050 V
CTR的灵活性可查看订购信息
特种建筑
4
3
1
17295-5
2
C
额外的低耦合电容
DC输入，晶体管输出
爬电距离> 8毫米
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
A
描述
该TCLT100 。系列由一个光电晶体管的光
耦合到一个砷化镓在一个红外发光二极管
4引线SOP4L包。
记
**
请参阅文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222
CSA （ cUL认证） 22.2公告5A识别的文件没有。 E- 76222
BSI ： BS EN 41003 ， BS EN 60065 （ BS 415 ） ， BS EN 60950
（ BS 7002 ） ，证书编号7081和7402
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5
（待定） ，可通过选项1
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950
记
请参阅安全标准审批表“代理表”了解更多
的详细信息。
应用
开关模式电源
计算机外设接口
微处理器系统接口
订购信息
T
C
L
T
1
0
0
#
SOP-4L
产品型号
AGENCY
认证/ PACKAGE
SOP-4L
CTR （ ％ ）
5毫安
10毫安
5毫安
10.2 mm
UL ， CUL， VDE ， BSI ， FIMKO 50至600
记
仅适用于磁带和卷轴。
63 125 100200 160 320 50150 100 300 80160 130 260 200 400
TCLT1000 TCLT1002 TCLT1003 TCLT1004 TCLT1005 TCLT1006 TCLT1007 TCLT1008 TCLT1009
修订版2.4 ， 29 -APR- 11
1
如有技术问题，请联系：
optocoupleranswers@vishay.com
文档编号： 83515
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TCLT100 。系列
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威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
p
10 μs
I
FSM
P
DISS
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
6
60
1.5
100
125
70
7
50
100
150
125
5000
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mW
°C
°C
°C
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
记
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对
对于长时间处于最大额定值可能产生不利影响的可靠性。
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 A
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
10
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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TCLT100 。系列
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威世半导体
部分
TCLT1000
TCLT1002
TCLT1003
TCLT1004
TCLT1002
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
63
100
160
22
34
56
50
100
80
130
200
45
70
100
150
300
160
260
400
典型值。
马克斯。
600
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
电流传输比
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
TCLT1003
TCLT1004
TCLT1005
TCLT1006
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCLT1007
TCLT1008
TCLT1009
安全和绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
正向电流
功耗
额定脉冲电压
安全温度
间隙距离
爬电距离
绝缘距离（内部）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
I
si
P
so
V
IOTM
T
si
分钟。
2
8
1.68
10
12
10
11
10
9
130
265
8
150
8.0
8.0
0.40
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
mA
mW
kV
°C
mm
mm
mm
记
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） （见图2 ） 。这个光电耦合器适用于安全电隔离只能在安全
收视率。遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
P
SO
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
pd
= 1秒至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
150
100
50
0
0
94 9182-2
V
IOWM
V
IORM
红外二极管
I
SI
（MA ）
0
25
50
75
100
125
150
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
T
SI
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） ; IEC60747-5-5
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如有技术问题，请联系：
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文档编号： 83515
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TCLT100 。系列
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威世半导体
测试条件
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3
3
4.7
0.3
6
5
9
10
马克斯。
单位
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
开关特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k,
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k,
（见图4）
I
F
I
F
0
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10804
示波器
R
L
= 1 MΩ
C
L
= 20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
100
Ω
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 5 - 开关时间
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
Ω
95 10843
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
1 kΩ
图。 4 - 测试电路，饱和运算
修订版2.4 ， 29 -APR- 11
4
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TCLT100 。系列
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包装尺寸
以毫米为单位
2.30 MAX 。
4.10最大。
3.80
0.10 ± 0.10
10.20
+ 0.30
- 0.40
威世半导体
7.50 ± 0.20
+ 0.10
- 0.05
0.45 ± 0.1
0.70
2.54喃。
4
3
+ 0.30
- 0.40
2.00
可能的足迹
2.54
8.20
0.90
10.80
1
22533
2
针没有。 1鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
包装标志
TCLT1003
V YWW 68
修订版2.4 ， 29 -APR- 11
5
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0.20
TCLT10 ..系列
威世德律风根
订购说明
订购代码
TCLT1000
TCLT1001
TCLT1002
TCLT1003
TCLT1005
TCLT1006
TCLT1007
TCLT1008
TCLT1009
点击率排行
50至600％
4080％
63至125％
100200％
50 ％至150％
为100300 ％
80至160％
130至260％
200至400％
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
爬电距离> 8毫米
D
经测试符合。 60950 ： AM4 ：1997第2.9.6 。
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号132473
VDE 0884相关的功能：
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
低廓包
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
偶系W
www.vishay.com
2 (12)
文档编号83515
牧师A3 ， 19 -MAR -01
TCLT10 ..系列
威世德律风根
订购说明
订购代码
TCLT1000
TCLT1001
TCLT1002
TCLT1003
TCLT1005
TCLT1006
TCLT1007
TCLT1008
TCLT1009
点击率排行
50至600％
4080％
63至125％
100200％
50 ％至150％
为100300 ％
80至160％
130至260％
200至400％
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
爬电距离> 8毫米
D
经测试符合。 60950 ： AM4 ：1997第2.9.6 。
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号132473
VDE 0884相关的功能：
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
低廓包
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
偶系W
www.vishay.com
2 (12)
文档编号83515
牧师A3 ， 19 -MAR -01
TCLT10..Series
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 4L ，龙小扁平封装
特点
SMD低调4引脚封装
V
IORM
= 1050 V
C
E
CTR的灵活性可查看订购信息
特种建筑
额外的低耦合电容
DC输入，晶体管输出
17295
4
3
爬电距离> 8毫米
铅（Pb） -free组件
D E
V
1
A
2
C
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
C
应用
开关模式电源
计算机外设接口
微处理器系统接口
描述
该TCLT10 ..系列由一个光电晶体管的光
耦合到一个砷化镓在一个红外发光二极管
4领先SOP4L包。
的元件被安装在一个引线框架提供了一个
用于最高安全输入和输出之间的固定距离
要求。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码W，双重保护
CSA （ C- UL） 22.2公告5A识别的文件没有。 E- 76222
BSI ： BS EN 41003 ， BS EN 60065 （ BS 415 ） ， BS EN 60950
（ BS 7002 ） ，证书编号7081和7402
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ，证书编号。 11027
注意：
见安全标准审批表"Agency Table"了解更多
的详细信息。
订购信息
部分
TCLT1000
TCLT1002
TCLT1003
TCLT1004
TCLT1005
TCLT1006
TCLT1007
TCLT1008
TCLT1009
记
仅在磁带和卷轴。
备注
点击率50 600 ％ ， SOP- 4L
点击率63 125 ％ ， SOP- 4L
点击率100200％ ，SOP -4L
CTR 160 320 ％ ， SOP- 4L
点击率50150 ％ ，SOP -4L
CTR 100 300 ％ ， SOP- 4L
点击率80 160 ％ ， SOP- 4L
CTR 130 260 ％ ， SOP- 4L
CTR 200 400 ％ ， SOP- 4L
文档编号： 83515
2.2版， 21 -NOV- 07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
TCLT10..Series
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 4L ，龙小扁平封装
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5000
250
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
V
RMS
mW
°C
°C
°C
t
P
/T = 0.5, t
P
≤
10毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
70
7
50
100
150
125
V
V
mA
mA
mW
°C
t
P
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
6
60
1.5
100
125
V
mA
A
mW
°C
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
10
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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2
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文档编号： 83515
2.2版， 21 -NOV- 07
TCLT10..Series
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 4L ，龙小扁平封装
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCLT1000
TCLT1002
TCLT1003
TCLT1002
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
I
C
/I
F
TCLT1003
TCLT1004
TCLT1005
TCLT1006
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCLT1007
TCLT1008
TCLT1009
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
50
63
100
22
34
56
50
100
80
130
200
45
70
100
150
300
160
260
400
典型值。
马克斯。
600
125
200
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
V
IOTM
T
si
8
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定（见图1 ） 。这个光电耦合器适用于安全的电气隔离
仅在安全评级。遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
2
8
1.68
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
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TCLT10..Series
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 4L ，龙小扁平封装
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
P
si
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
V
IOWM
V
IORM
0
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
150
13930
94 9182
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3
3
4.7
0.3
6
5
9
10
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
+5
V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5
V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
= 1 M
C
L
= 20 pF的
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
95 10804
95 10843
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 4 - 测试电路，饱和运算
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光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP- 4L ，龙小扁平封装
威世半导体
I
F
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
10
%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
96 11698
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图。 5 - 开关时间
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
CTR
REL
- 相对电流传输比
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
2.0
V
CE
= 5
V
I
F
= 5毫安
1.5
1.0
0.5
0
- 25
0
25
50
75
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11025
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 8 - 相对电流传输比主场迎战
环境温度
1000
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1000
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
10
100
1
10
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
1
0
95 11026
25
50
75
100
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 正向电流与正向电压
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2.2版， 21 -NOV- 07
图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
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