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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第783页 > TCET4100
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCET110 。 / TCET2100 / TCET4100由一个
光电晶体管的光耦合到砷化镓
红外发光二极管在一个4引线高达16引线塑料
双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
补间输入和输出为最高安全
要求。
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强
隔离） ：
14925
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器
系统接口。
科尔。发射器
VDE标准
这些耦合器，根据执行安全功能
以下设备标准：
阳极蛋白酶。
4针
8引脚
16针
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信设备和数据
处理
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
C
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (11)
13929
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
订购说明
订购代码
点击率排行
TCET1100 / TCET1100G
1)
50至600％
TCET1101 / TCET1101G
1)
4080％
1)
TCET1102 / TCET1102G
63至125％
TCET1103 / TCET1103G
1)
100200％
1)
TCET1104 / TCET1104G
160 320 ％
1)
TCET1105 / TCET1105G
50 ％至150％
TCET1106 / TCET1106G
1)
为100300 ％
1)
TCET1107 / TCET1107G
80至160％
TCET1108 / TCET1108G
1)
130至260％
TCET1109 / TCET1109G
1)
200至400％
TCET2100
50至600％
TCET4100
50至600％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
16引脚=四通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
内部爬电距离> 4毫米
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号11027
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号115667
VDE 0884相关的功能：
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
G = Leadform 10.16毫米;
规定的爬电距离> 8mm时，
对于TCET2100 / TCET4100可选;
后缀字母“G”上并没有标明光耦
D
耦合系统U
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (11)
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
250
-40至+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
2毫米从案例吨
≤
10 s
°
C
°
C
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
www.vishay.de
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3 (11)
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
INPUT （发射器）
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
=
±
50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
分钟。
典型值。
1.25
50
马克斯。
1.6
单位
V
pF
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止
当前
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
m
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
分钟。
70
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
10
100
耦合器
参数
集电极发射极
饱和电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
W
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
分钟。
典型值。
马克斯。
0.3
单位
V
千赫
pF
110
0.3
电流传输比（ CTR ）
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TYPE
TCET1100(G)/
TCET2100/
TCET4100
TCET1101(G)
TCET1102(G)
TCET1103(G)
TCET1104(G)
TCET1101(G)
TCET1102(G)
TCET1103(G)
TCET1104(G)
TCET1105(G)
TCET1106(G)
TCET1107(G)
TCET1108(G)
TCET1109(G)
符号
CTR
分钟。
0.50
典型值。
马克斯。
6.0
单位
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
0.40
0.63
1.0
1.6
0.13
0.22
0.34
0.56
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.8
1.25
2.0
3.2
0.30
0.45
0.70
0.90
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
www.vishay.de
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4 (11)
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
最高安全评级
（符合VDE 0884 ），见图1
该设备仅用于内的最大安全评级防触电保护隔离。
此，必须通过在应用程序中使用的保护电路来保证。
INPUT （发射器）
参数
正向电流
测试条件
符号
I
si
价值
130
单位
mA
输出（检测器）
参数
功耗
测试条件
T
AMB
≤
25
°
C
符号
P
si
价值
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
价值
8
150
单位
kV
°
C
绝缘额定参数
（根据VDE 0884 ）
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
g
g
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100%, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V,
T
AMB
= 100
°
C
V
IO
= 500 V,
T
AMB
= 150
°
C
（仅适用于建筑试验）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
V
Pd
150
100
50
0
0
94 9182
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
W
W
W
V
IOTM
PHOTOTRANSISTOR
PSI（毫瓦）
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
IOWM
V
IORM
红外二极管
ISI （毫安）
0
25
50
75
100
125
150
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
T
si
- 安全温度（
°C
)
t
图1.降额图
根据图2的测试脉冲图对样品测试
DIN VDE 0884
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
www.vishay.de
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5 (11)
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCET110 。 / TCET2100 / TCET4100由一个
光电晶体管的光耦合到砷化镓
红外发光二极管在一个4引线高达16引线塑料
双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
补间输入和输出为最高安全
要求。
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强
隔离） ：
14925
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器
系统接口。
科尔。发射器
VDE标准
这些耦合器，根据执行安全功能
以下设备标准：
阳极蛋白酶。
4针
8引脚
16针
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信设备和数据
处理
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
C
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (11)
13929
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
订购说明
订购代码
点击率排行
TCET1100 / TCET1100G
1)
50至600％
TCET1101 / TCET1101G
1)
4080％
1)
TCET1102 / TCET1102G
63至125％
TCET1103 / TCET1103G
1)
100200％
1)
TCET1104 / TCET1104G
160 320 ％
1)
TCET1105 / TCET1105G
50 ％至150％
TCET1106 / TCET1106G
1)
为100300 ％
1)
TCET1107 / TCET1107G
80至160％
TCET1108 / TCET1108G
1)
130至260％
TCET1109 / TCET1109G
1)
200至400％
TCET2100
50至600％
TCET4100
50至600％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
16引脚=四通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
内部爬电距离> 4毫米
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号11027
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号115667
VDE 0884相关的功能：
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
G = Leadform 10.16毫米;
规定的爬电距离> 8mm时，
对于TCET2100 / TCET4100可选;
后缀字母“G”上并没有标明光耦
D
耦合系统U
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (11)
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
250
-40至+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
2毫米从案例吨
≤
10 s
°
C
°
C
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
3 (11)
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
INPUT （发射器）
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
=
±
50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
分钟。
典型值。
1.25
50
马克斯。
1.6
单位
V
pF
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止
当前
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
m
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
分钟。
70
7
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
10
100
耦合器
参数
集电极发射极
饱和电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
W
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
分钟。
典型值。
马克斯。
0.3
单位
V
千赫
pF
110
0.3
电流传输比（ CTR ）
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TYPE
TCET1100(G)/
TCET2100/
TCET4100
TCET1101(G)
TCET1102(G)
TCET1103(G)
TCET1104(G)
TCET1101(G)
TCET1102(G)
TCET1103(G)
TCET1104(G)
TCET1105(G)
TCET1106(G)
TCET1107(G)
TCET1108(G)
TCET1109(G)
符号
CTR
分钟。
0.50
典型值。
马克斯。
6.0
单位
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
0.40
0.63
1.0
1.6
0.13
0.22
0.34
0.56
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.8
1.25
2.0
3.2
0.30
0.45
0.70
0.90
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
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修订版A6 ， 08月， 99
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
最高安全评级
（符合VDE 0884 ），见图1
该设备仅用于内的最大安全评级防触电保护隔离。
此，必须通过在应用程序中使用的保护电路来保证。
INPUT （发射器）
参数
正向电流
测试条件
符号
I
si
价值
130
单位
mA
输出（检测器）
参数
功耗
测试条件
T
AMB
≤
25
°
C
符号
P
si
价值
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
价值
8
150
单位
kV
°
C
绝缘额定参数
（根据VDE 0884 ）
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
g
g
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100%, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V,
T
AMB
= 100
°
C
V
IO
= 500 V,
T
AMB
= 150
°
C
（仅适用于建筑试验）
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
V
Pd
150
100
50
0
0
94 9182
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
W
W
W
V
IOTM
PHOTOTRANSISTOR
PSI（毫瓦）
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
IOWM
V
IORM
红外二极管
ISI （毫安）
0
25
50
75
100
125
150
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
T
si
- 安全温度（
°C
)
t
图1.降额图
根据图2的测试脉冲图对样品测试
DIN VDE 0884
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