TCET120 （ G）高达TCET2200
日前，Vishay
半导体
订购说明
订购代码
点击率排行
TCET1200 / TCET1200G
1)
50至600％
TCET1201 / TCET1201G
1)
4080％
1)
TCET1202 / TCET1202G
63至125％
TCET1203 / TCET1203G
1)
100200％
1)
TCET1204 / TCET1204G
160 320 ％
TCET2200
50至600％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
特点
认证（应用） ：
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
内部爬电距离> 4毫米
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号202117
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号115667
VDE 0884相关的功能：
D
CTR 5组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
G = Leadform 10.16毫米;
规定的爬电距离> 8mm时，
对于TCET2200可选;后缀字母“G”是不是
标光耦
D
耦合系统U
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
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2 (12)
文档编号83501
牧师A2 ， 08 -FEB -01
TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（单，双通道）
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
CTR 5组提供
CTR的低温度系数
可提供单或双通道
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
E
C
4
3
1
2
C
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码U，双
保护
CSA 22.2公告5A ，双重保护
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
A
4针
8引脚
15123
C
V
D E
e3
Pb
无铅
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
应用
开关模式电源
线路接收器
电脑外设接口
微处理器系统接口
增强型隔离提供电路保护
遭受电击（安全等级II ）
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
≤
400 VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
电信设备和数据处理
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
描述
该TCET1200 / TCET2200由phototrans-的
iStor的光耦合到一个砷化镓infrared-
发射在4针（单信道）二极管或8引脚
塑料双列直插式封装。
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
订购信息
部分
TCET1200
TCET1201
TCET2200
TCET1202
TCET1203
TCET1204
TCET1200G
TCET1201G
TCET1202G
TCET1203G
TCET1204G
备注
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 8
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米从案例吨
≤
10 s
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
5000
250
- 40至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1200
TCET1200G
TCET1201
TCET1201G
TCET1202
TCET1202G
TCET1203
TCET1203G
TCET1204
TCET1204G
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCET2200
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
40
63
100
160
50
典型值。
最大
600
80
125
200
320
600
单位
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
13930
PHOTOTRANSISTOR
PSI（毫瓦）
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
红外二极管
ISI （毫安）
0
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
3
t
TEST
t
4
t
STRES
94 9182
T
si
- 安全温度（
°C
)
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（见图4）
符号
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
t
on
t
关闭
民
典型值。
3.0
3.0
6.0
0.3
4.7
5.0
9.0
10.0
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
96 11698
0
I
C
100%
90%
t
p
t
R
G
= 50
W
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
W
100
W
示波器
R
L
= 1兆瓦
C
L
= 20 pF的
10%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
95 10804
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图3.测试电路，非饱和运算
图5.开关时间
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
1 k
示波器
R
L
≥
1M
C
L
≤
20 pF的
95 10843
图4.测试电路中，饱和运算
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（单，双通道）
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
CTR 5组提供
CTR的低温度系数
可提供单或双通道
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
E
C
4
3
1
2
C
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码U，双
保护
CSA 22.2公告5A ，双重保护
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
A
4针
8引脚
15123
C
V
D E
e3
Pb
无铅
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
应用
开关模式电源
线路接收器
电脑外设接口
微处理器系统接口
增强型隔离提供电路保护
遭受电击（安全等级II ）
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
≤
400 VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
电信设备和数据处理
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
描述
该TCET1200 / TCET2200由phototrans-的
iStor的光耦合到一个砷化镓infrared-
发射在4针（单信道）二极管或8引脚
塑料双列直插式封装。
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
订购信息
部分
TCET1200
TCET1201
TCET2200
TCET1202
TCET1203
TCET1204
TCET1200G
TCET1201G
TCET1202G
TCET1203G
TCET1204G
备注
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 8
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米从案例吨
≤
10 s
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
5000
250
- 40至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1200
TCET1200G
TCET1201
TCET1201G
TCET1202
TCET1202G
TCET1203
TCET1203G
TCET1204
TCET1204G
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCET2200
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
40
63
100
160
50
典型值。
最大
600
80
125
200
320
600
单位
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
13930
PHOTOTRANSISTOR
PSI（毫瓦）
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
红外二极管
ISI （毫安）
0
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
3
t
TEST
t
4
t
STRES
94 9182
T
si
- 安全温度（
°C
)
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（见图4）
符号
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
t
on
t
关闭
民
典型值。
3.0
3.0
6.0
0.3
4.7
5.0
9.0
10.0
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
96 11698
0
I
C
100%
90%
t
p
t
R
G
= 50
W
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
W
100
W
示波器
R
L
= 1兆瓦
C
L
= 20 pF的
10%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
95 10804
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图3.测试电路，非饱和运算
图5.开关时间
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
1 k
示波器
R
L
≥
1M
C
L
≤
20 pF的
95 10843
图4.测试电路中，饱和运算
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（单，双通道）
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
CTR 5组提供
CTR的低温度系数
可提供单或双通道
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
E
C
4
3
1
2
C
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码U，双
保护
CSA 22.2公告5A ，双重保护
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
A
4针
8引脚
15123
C
V
D E
e3
Pb
无铅
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
应用
开关模式电源
线路接收器
电脑外设接口
微处理器系统接口
增强型隔离提供电路保护
遭受电击（安全等级II ）
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5未决，表2，适用于：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
≤
400 VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
电信设备和数据处理
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
描述
该TCET1200 / TCET2200由phototrans-的
iStor的光耦合到一个砷化镓infrared-
发射在4针（单信道）二极管或8引脚
塑料双列直插式封装。
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
订购信息
部分
TCET1200
TCET1201
TCET2200
TCET1202
TCET1203
TCET1204
TCET1200G
TCET1201G
TCET1202G
TCET1203G
TCET1204G
备注
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 8
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
CTR 50 - 600 ％ ， DIP- 4
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 4
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 4
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 4
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 4
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米从案例吨
≤
10 s
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
5000
250
- 40至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1200
TCET1200G
TCET1201
TCET1201G
TCET1202
TCET1202G
TCET1203
TCET1203G
TCET1204
TCET1204G
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
TCET2200
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
50
40
63
100
160
50
典型值。
最大
600
80
125
200
320
600
单位
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
8
150
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
13930
PHOTOTRANSISTOR
PSI（毫瓦）
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
红外二极管
ISI （毫安）
0
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
3
t
TEST
t
4
t
STRES
94 9182
T
si
- 安全温度（
°C
)
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
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TCET1200 / TCET1200G / TCET2200
威世半导体
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 k
（见图4）
符号
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
t
on
t
关闭
民
典型值。
3.0
3.0
6.0
0.3
4.7
5.0
9.0
10.0
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
96 11698
0
I
C
100%
90%
t
p
t
R
G
= 50
W
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50 s
通道I
道II
50
W
100
W
示波器
R
L
= 1兆瓦
C
L
= 20 pF的
10%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
95 10804
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图3.测试电路，非饱和运算
图5.开关时间
0
I
F
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
1 k
示波器
R
L
≥
1M
C
L
≤
20 pF的
95 10843
图4.测试电路中，饱和运算
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5
TCET120 （ G）高达TCET2200
日前，Vishay
半导体
订购说明
订购代码
点击率排行
TCET1200 / TCET1200G
1)
50至600％
TCET1201 / TCET1201G
1)
4080％
1)
TCET1202 / TCET1202G
63至125％
TCET1203 / TCET1203G
1)
100200％
1)
TCET1204 / TCET1204G
160 320 ％
TCET2200
50至600％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
特点
认证（应用） ：
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
内部爬电距离> 4毫米
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号202117
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号115667
VDE 0884相关的功能：
D
CTR 5组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
G = Leadform 10.16毫米;
规定的爬电距离> 8mm时，
对于TCET2200可选;后缀字母“G”是不是
标光耦
D
耦合系统U
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
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2 (12)
文档编号83501
牧师A2 ， 08 -FEB -01
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