日前，Vishay
TCET111.(G)
威世半导体
光电耦合器与光电晶体管输出
\
特点
9组CTR提供
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
气候类别55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
特种建筑：
典型因此，额外的低耦合能力
0.2 pF的高
共模抑制
CTR的低温度系数
温度范围 - 40 + 110℃
耦合系统U
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
± 8千伏
PEAK
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）V
pd
= 1.6千伏
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
(848 V
PEAK
)
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
根据VDE 漏电电流电阻
0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数：
CTI
≥
175
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
内部爬电距离> 4毫米
外部爬电距离> 8毫米
科尔。
辐射源
17918
1
阳极蛋白酶。
C
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器系
统接口，具有工作温度可达
110°C
描述
该TCET111 。 （G）中由一个光电晶体管的opti-
美云耦合到一个砷化镓红外发光
二极管采用4引脚塑料双列直插式封装。
该元件安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出的最高安全要求之间
求。
机构认证
BSI ： EN 60065 ：2002 ， EN 60950 ： 2000
证书编号7081和7402
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ： 2000
证书编号FI 18973
美国保险商实验室（ UL ）
文件编号E 76222
VDE IEC 60747
证书编号115667
VDE标准
这些耦合器，根据执行安全功能
以下设备标准：
VDE 0884 / IEC 60747 ： 2003
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950
办公设备（适用于钢筋隔离
电源电压< 400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
www.vishay.com
1
TCET111.(G)
威世半导体
订购信息
部分
TCET1110 （ G）
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
TCET1115 （ G）
TCET1116 （ G）
TCET1117 （ G）
TCET1118 （ G）
TCET1119 （ G）
备注
50至600％
4080％
63至125％
100200％
160 320 ％
50 ％至150％
为100300 ％
80至160％
130至260％
200至400％
日前，Vishay
G =引线形式10.16毫米; G不是标明阀体上，
4 PIN =单通道
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的压力会导致对色器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
辐射源
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
探测器
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米从案例吨
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
250
- 40 + 110
- 55至+ 125
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
www.vishay.com
2
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
日前，Vishay
电气特性
TCET111.(G)
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
辐射源
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
探测器
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
TCET1110 （ G）
TCET1115 （ G）
TCET1116 （ G）
TCET1117 （ G）
TCET1118 （ G）
TCET1119 （ G）
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
0.13
0.22
0.34
0.56
0.50
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.40
0.63
1.0
1.6
典型值。
0.30
0.45
0.70
0.90
6.0
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
0.8
1.25
2.0
3.2
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
www.vishay.com
3
日前，Vishay
TCET111.(G)
威世半导体
光电耦合器与光电晶体管输出
\
特点
9组CTR提供
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
气候类别55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
特种建筑：
典型因此，额外的低耦合能力
0.2 pF的高
共模抑制
CTR的低温度系数
温度范围 - 40 + 110℃
耦合系统U
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
± 8千伏
PEAK
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）V
pd
= 1.6千伏
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
(848 V
PEAK
)
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
根据VDE 漏电电流电阻
0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数：
CTI
≥
175
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
内部爬电距离> 4毫米
外部爬电距离> 8毫米
科尔。
辐射源
17918
1
阳极蛋白酶。
C
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器系
统接口，具有工作温度可达
110°C
描述
该TCET111 。 （G）中由一个光电晶体管的opti-
美云耦合到一个砷化镓红外发光
二极管采用4引脚塑料双列直插式封装。
该元件安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出的最高安全要求之间
求。
机构认证
BSI ： EN 60065 ：2002 ， EN 60950 ： 2000
证书编号7081和7402
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ： 2000
证书编号FI 18973
美国保险商实验室（ UL ）
文件编号E 76222
VDE IEC 60747
证书编号115667
VDE标准
这些耦合器，根据执行安全功能
以下设备标准：
VDE 0884 / IEC 60747 ： 2003
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950
办公设备（适用于钢筋隔离
电源电压< 400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
www.vishay.com
1
TCET111.(G)
威世半导体
订购信息
部分
TCET1110 （ G）
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
TCET1115 （ G）
TCET1116 （ G）
TCET1117 （ G）
TCET1118 （ G）
TCET1119 （ G）
备注
50至600％
4080％
63至125％
100200％
160 320 ％
50 ％至150％
为100300 ％
80至160％
130至260％
200至400％
日前，Vishay
G =引线形式10.16毫米; G不是标明阀体上，
4 PIN =单通道
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的压力会导致对色器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
辐射源
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
探测器
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米从案例吨
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
250
- 40 + 110
- 55至+ 125
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
www.vishay.com
2
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
日前，Vishay
电气特性
TCET111.(G)
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
辐射源
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
探测器
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
TCET1110 （ G）
TCET1115 （ G）
TCET1116 （ G）
TCET1117 （ G）
TCET1118 （ G）
TCET1119 （ G）
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
0.13
0.22
0.34
0.56
0.50
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.40
0.63
1.0
1.6
典型值。
0.30
0.45
0.70
0.90
6.0
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
0.8
1.25
2.0
3.2
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
www.vishay.com
3
日前，Vishay
TCET111.(G)
威世半导体
光电耦合器与光电晶体管输出
\
特点
9组CTR提供
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
气候类别55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
特种建筑：
典型因此，额外的低耦合能力
0.2 pF的高
共模抑制
CTR的低温度系数
温度范围 - 40 + 110℃
耦合系统U
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
± 8千伏
PEAK
隔离测试电压（局部放电试验电压
年龄）V
pd
= 1.6千伏
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
(848 V
PEAK
)
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
根据VDE 漏电电流电阻
0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数：
CTI
≥
175
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
内部爬电距离> 4毫米
外部爬电距离> 8毫米
科尔。
辐射源
17918
1
阳极蛋白酶。
C
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器系
统接口，具有工作温度可达
110°C
描述
该TCET111 。 （G）中由一个光电晶体管的opti-
美云耦合到一个砷化镓红外发光
二极管采用4引脚塑料双列直插式封装。
该元件安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出的最高安全要求之间
求。
机构认证
BSI ： EN 60065 ：2002 ， EN 60950 ： 2000
证书编号7081和7402
FIMKO （ SETI ） ： EN 60950 ： 2000
证书编号FI 18973
美国保险商实验室（ UL ）
文件编号E 76222
VDE IEC 60747
证书编号115667
VDE标准
这些耦合器，根据执行安全功能
以下设备标准：
VDE 0884 / IEC 60747 ： 2003
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950
办公设备（适用于钢筋隔离
电源电压< 400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
www.vishay.com
1
TCET111.(G)
威世半导体
订购信息
部分
TCET1110 （ G）
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
TCET1115 （ G）
TCET1116 （ G）
TCET1117 （ G）
TCET1118 （ G）
TCET1119 （ G）
备注
50至600％
4080％
63至125％
100200％
160 320 ％
50 ％至150％
为100300 ％
80至160％
130至260％
200至400％
日前，Vishay
G =引线形式10.16毫米; G不是标明阀体上，
4 PIN =单通道
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的压力会导致对色器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
辐射源
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
6
60
1.5
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
探测器
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
70
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
工作环境温度
范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米从案例吨
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
250
- 40 + 110
- 55至+ 125
260
单位
kV
mW
°C
°C
°C
www.vishay.com
2
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
日前，Vishay
电气特性
TCET111.(G)
威世半导体
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
辐射源
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= ± 50毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
V
F
C
j
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
探测器
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
10
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
部分
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
TCET1110 （ G）
TCET1115 （ G）
TCET1116 （ G）
TCET1117 （ G）
TCET1118 （ G）
TCET1119 （ G）
TCET1111 （ G）
TCET1112 （ G）
TCET1113 （ G）
TCET1114 （ G）
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
0.13
0.22
0.34
0.56
0.50
0.5
1.0
0.8
1.3
2.0
0.40
0.63
1.0
1.6
典型值。
0.30
0.45
0.70
0.90
6.0
1.5
3.0
1.6
2.6
4.0
0.8
1.25
2.0
3.2
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83546
牧师A3 ， 18 -MAR -03
www.vishay.com
3
TCET1110/TCET1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
耐高温， 110℃额定
特点
9组CTR提供
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 60664 ）
C
E
17918_1
气候类别55/100/21
（IEC 60068第1部分）
特种建筑。所以，额外的低耦合能力
典型的0.2 pF的中，高
共模抑制
1
C
C
D E
V
CTR的低温度系数
温度范围 - 40 + 110℃
=额定
冲动
V
IOTM
± 8千伏
PEAK
电压
（瞬态
过压）
A
描述
该TCET1110 / TCET1110G由一个光电晶体管
光耦合到一个砷化镓红外发光
二极管在4针塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架，提供了一个
用于最高安全输入和输出之间的固定距离
要求。
隔离测试电压（局部放电试验电压）
V
pd
= 1.6千伏
=额定
隔离
V
IOWM
= 600 V
RMS
=额定
经常性
V
IORM
= 848峰
电压
PEAK
（ RMS
包括
DC）
电压
（重复）
符合VDE漏电当前阻力0303 /
IEC 60112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
外部爬电距离> 8毫米
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码U，双重保护
BSI ： EN 60065 ：2002 ， EN 60950 ： 2000
证书编号。 7081和7402
DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE 0884 ） /
DIN EN 60747-5-5悬而未决。
文档编号： 83546
修订版1.8 ， 21 -NOV- 07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
1
TCET1110/TCET1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
耐高温， 110℃额定
订购信息
部分
TCET1110
TCET1111
TCET1112
TCET1113
TCET1114
TCET1115
TCET1116
TCET1117
TCET1118
TCET1119
TCET1110G
TCET1111G
TCET1112G
TCET1113G
TCET1114G
TCET1115G
TCET1116G
TCET1117G
TCET1118G
TCET1119G
记
4 PIN =单通道
G =引线形式10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率4080％ ， DIP-4
点击率63 125 ％ ， DIP- 4
点击率100200％ ， DIP-4
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率80 160 ％ ， DIP- 4
CTR 130 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率4080％ ， DIP-4
点击率63 125 ％ ， DIP- 4
点击率100200％ ， DIP-4
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率80 160 ％ ， DIP- 4
CTR 130 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
耦合器
隔离测试电压（有效值）
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，
≤
10 s
T = 1分
V
ISO
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5000
- 40 + 110
- 55至+ 125
260
V
RMS
°C
°C
°C
t
P
/T = 0.5, t
P
≤
10毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
70
7
50
100
V
V
mA
mA
t
P
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
6
60
1.5
V
mA
A
测试条件
符号
价值
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不暗示
在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。置身于绝对最大额定值
的长时间可不利地影响可靠性。
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83546
修订版1.8 ， 21 -NOV- 07
TCET1110/TCET1110G
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
耐高温， 110℃额定
热特性
参数
LED功耗
输出功率耗散
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，电路板到环境
(2)
热阻，壳体到
环境
(2)
(1)
测试条件
在25℃下
在25℃下
符号
P
DISS
P
DISS
T
JMAX
T
JMAX
θ
EB
θ
EC
θ
DB
θ
DC
θ
ED
θ
BA
θ
CA
价值
100
150
125
125
173
149
111
127
173
197
4041
单位
mW
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
(1)
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板到环境的热阻将取决于类型
PCB，布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热
光电耦合器应用笔记的特性。
(2)
对于2层FR4电路板（ 4" X 3" X 0.062 ）
T
A
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
文档编号： 83546
修订版1.8 ， 21 -NOV- 07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
3
TCET1110/TCET1110G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
耐高温， 110℃额定
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0, E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
10
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
测试条件
部分
TCET1111
TCET1111G
TCET1112
TCET1112G
TCET1113
TCET1113G
TCET1114
TCET1114G
TCET1110
TCET1110G
TCET1115
TCET1115G
TCET1116
TCET1116G
TCET1117
TCET1117G
TCET1118
TCET1118G
TCET1119
TCET1119G
TCET1111
TCET1111G
TCET1112
TCET1112G
TCET1113
TCET1113G
TCET1114
TCET1114G
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
13
22
34
56
50
50
100
80
130
200
40
63
100
160
典型值。
30
45
70
90
600
150
300
160
260
400
80
125
200
320
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83546
修订版1.8 ， 21 -NOV- 07
TCET1110/TCET1110G
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
耐高温， 110℃额定
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
V
IOTM
T
si
8
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5待定（见图1 ） 。这个光电耦合器适用于安全的电气隔离
仅在安全评级。遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
P
si
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
150
V
IOWM
V
IORM
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
94 9182
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试根据DIN EN
60747-5-2 （ VDE 0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
文档编号： 83546
修订版1.8 ， 21 -NOV- 07
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
