TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCET110 。 / TCET2100 / TCET4100由一个
光电晶体管的光耦合到砷化镓
红外发光二极管在一个4引线高达16引线塑料
双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
补间输入和输出为最高安全
要求。
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强
隔离） ：
14925
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器
系统接口。
科尔。发射器
VDE标准
这些耦合器，根据执行安全功能
以下设备标准：
阳极蛋白酶。
4针
8引脚
16针
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信设备和数据
处理
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
C
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (11)
13929
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
订购说明
订购代码
点击率排行
TCET1100 / TCET1100G
1)
50至600％
TCET1101 / TCET1101G
1)
4080％
1)
TCET1102 / TCET1102G
63至125％
TCET1103 / TCET1103G
1)
100200％
1)
TCET1104 / TCET1104G
160 320 ％
1)
TCET1105 / TCET1105G
50 ％至150％
TCET1106 / TCET1106G
1)
为100300 ％
1)
TCET1107 / TCET1107G
80至160％
TCET1108 / TCET1108G
1)
130至260％
TCET1109 / TCET1109G
1)
200至400％
TCET2100
50至600％
TCET4100
50至600％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
16引脚=四通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
内部爬电距离> 4毫米
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号11027
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号115667
VDE 0884相关的功能：
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
G = Leadform 10.16毫米;
规定的爬电距离> 8mm时，
对于TCET2100 / TCET4100可选;
后缀字母“G”上并没有标明光耦
D
耦合系统U
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
www.vishay.de
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2 (11)
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCET110 。 / TCET2100 / TCET4100由一个
光电晶体管的光耦合到砷化镓
红外发光二极管在一个4引线高达16引线塑料
双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
补间输入和输出为最高安全
要求。
应用
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强
隔离） ：
14925
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
开关模式电源供应器，线路接收器，COM的
计算机外设接口，微处理器
系统接口。
科尔。发射器
VDE标准
这些耦合器，根据执行安全功能
以下设备标准：
阳极蛋白酶。
4针
8引脚
16针
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信设备和数据
处理
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
C
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
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1 (11)
13929
TCET110 （ G）高达TCET4100
威世德律风根
订购说明
订购代码
点击率排行
TCET1100 / TCET1100G
1)
50至600％
TCET1101 / TCET1101G
1)
4080％
1)
TCET1102 / TCET1102G
63至125％
TCET1103 / TCET1103G
1)
100200％
1)
TCET1104 / TCET1104G
160 320 ％
1)
TCET1105 / TCET1105G
50 ％至150％
TCET1106 / TCET1106G
1)
为100300 ％
1)
TCET1107 / TCET1107G
80至160％
TCET1108 / TCET1108G
1)
130至260％
TCET1109 / TCET1109G
1)
200至400％
TCET2100
50至600％
TCET4100
50至600％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
4 PIN =单通道
8 PIN =双通道
16引脚=四通道
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
符合VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
≥
175
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
内部爬电距离> 4毫米
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号11027
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222 - 双重保护
D
CSA
（ C- UL）认可1577
文件号E- 76222 - 双重保护
D
VDE
0884 ，证书编号115667
VDE 0884相关的功能：
D
CTR 9组提供
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
G = Leadform 10.16毫米;
规定的爬电距离> 8mm时，
对于TCET2100 / TCET4100可选;
后缀字母“G”上并没有标明光耦
D
耦合系统U
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 8千伏高峰
D
绝缘测试电压
（局部放电试验电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (11)
文档编号83503
修订版A6 ， 08月， 99
TCET1100/TCET1100G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
高Temperarure
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
CTR的低温度系数
C
4
E
3
9组CTR提供
增强型隔离提供电路保护
遭受电击（安全等级II ）
根据UL94 -VO绝缘材料
污染等级2 （ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 60664 ）
C
V
D E
1
2
A
17197_1
C
气候类别55/100/21 （ IEC 60068第1部分）
=额定
冲动
V
IOTM
= 8 kVpeak
电压
（瞬态
过压）
描述
该TCET110 。由一个光电晶体管光耦合的
在一个4引到一个砷化镓红外发光二极管
塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
共面的技术，提供了输入端之间的固定距离
并输出为最高的安全要求。
隔离测试电压（局部放电试验电压）
V
pd
= 1.6千伏
=额定
隔离
V
IOWM
= 600 V
RMS
=额定
经常性
V
IORM
= 848 V
PEAK
电压
PEAK
（ RMS
包括
DC）
电压
（重复）
通过绝缘厚度
≥
0.75 mm
符合VDE漏电当前阻力0303 /
IEC 60112漏电起痕指数： CTI
≥
175
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
根据600 V
DIN EN 60747-5-5 。
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码U，双重保护
CSA 22.2公告5A ，双重保护
BSI ： EN 60065 ：2002 ， EN 60950 ：2000证书编号。 7081
和7402
DIN EN 60747-5-5
FIMKO
www.vishay.com
810
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83503
2.2版， 16 08年5月
TCET1100/TCET1100G
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
高Temperarure
订购信息
部分
TCET1100
TCET1101
TCET1102
TCET1103
TCET1104
TCET1105
TCET1106
TCET1107
TCET1108
TCET1109
TCET1100G
TCET1101G
TCET1102G
TCET1103G
TCET1104G
TCET1105G
TCET1106G
TCET1107G
TCET1108G
TCET1109G
记
G =引线形式10.16毫米; G不是标明阀体上
备注
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率4080％ ， DIP-4
点击率63 125 ％ ， DIP- 4
点击率100200％ ， DIP-4
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率80 160 ％ ， DIP- 4
CTR 130 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
点击率50 600 ％ ， DIP- 4
点击率4080％ ， DIP-4
点击率63 125 ％ ， DIP- 4
点击率100200％ ， DIP-4
CTR 160 320 ％ ， DIP- 4
点击率50150 ％ ， DIP-4
CTR 100 300 ％ ， DIP- 4
点击率80 160 ％ ， DIP- 4
CTR 130 260 ％ ， DIP- 4
CTR 200 400 ％ ， DIP- 4
绝对最大额定值
(1)
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
耦合器
隔离测试电压（有效值）
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，
≤
10 s
T = 1分
V
ISO
T
AMB
T
英镑
T
SLD
5000
- 40至+ 100
- 55至+ 125
260
V
RMS
°C
°C
°C
t
P
/T = 0.5, t
P
≤
10毫秒
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
70
7
50
100
V
V
mA
mA
t
P
≤
10 s
V
R
I
F
I
FSM
6
60
1.5
V
mA
A
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件（ DIP ）焊接条件。
文档编号： 83503
2.2版， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
811
TCET1100/TCET1100G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
高Temperarure
热特性
参数
LED功耗
输出功率耗散
最大LED结温
最大输出管芯结温
热阻，结发射器登
热电阻，发射极结到外壳
热阻，结探测器登上
热敏电阻，结探测器到外壳
热阻，结发射极结点探测器
热电阻，电路板到环境
(2)
热电阻，外壳到环境
(2)
(1)
测试条件
在25℃下
在25℃下
符号
P
DISS
P
DISS
T
JMAX
T
JMAX
θ
EB
θ
EC
θ
DB
θ
DC
θ
ED
θ
BA
θ
CA
价值
100
150
125
125
173
149
111
127
173
197
4041
单位
mW
mW
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
(1)
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板到环境的热阻将取决于类型
PCB，布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热
光电耦合器应用笔记的特性。
(2)
对于2层FR4电路板（ 4" X 3" X 0.062 ）
T
A
θ
CA
T
C
包
θ
DC
T
JD
θ
EC
θ
DE
T
JE
θ
DB
T
B
θ
EB
θ
BA
19996
T
A
电气特性
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极发射极截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 ， E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
10
100
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83503
2.2版， 16 08年5月
TCET1100/TCET1100G
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
高Temperarure
电流传输比
参数
测试条件
部分
TCET1101
TCET1101G
TCET1102
TCET1102G
TCET1103
TCET1103G
TCET1104
TCET1104G
TCET1100
TCET1100G
TCET1105
TCET1105G
TCET1106
TCET1106G
TCET1107
TCET1107G
TCET1108
TCET1108G
TCET1109
TCET1109G
TCET1101
TCET1101G
TCET1102
TCET1102G
TCET1103
TCET1103G
TCET1104
TCET1104G
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
13
22
34
56
50
50
100
80
130
200
40
63
100
160
典型值。
30
45
70
90
600
150
300
160
260
400
80
125
200
320
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
%
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 5毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
V
IOTM
T
si
8
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
根据DIN EN 60747-5-5 （见图1 ） 。这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
8
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
文档编号： 83503
2.2版， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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813
TCET1100/TCET1100G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
高Temperarure
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
150
PHOTOTRANSISTOR
P
si
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
94 9182
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试根据DIN EN
60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC60747
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
V
S
= 5 V，I
F
= 10毫安，R
L
= 1 kΩ,
（见图4）
符号
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
3.0
3.0
6.0
0.3
4.7
5.0
9.0
10.0
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
+5
V
I
C
= 2毫安;通过调整
输入幅度
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5
V
I
C
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
= 1 M
C
L
= 20 pF的
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
95 10804
95 10843
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 4 - 测试电路，饱和运算
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814
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2.2版， 16 08年5月
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