TCDT1120 / TCDT1120G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
特点
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
提供四组CTR
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
17201_1
nc
6
C
5
E
4
机构认证
UL1577 ，文件号E76222系统代码A，双
保护
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
FIMKO
1
A (+)
2
C (–)
3
nc
V
D E
e3
Pb
无铅
VDE标准
这些成色剂根据以下执行安全功能
设备标准：
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5
PENDING
光电耦合器的电气安全要求
应用
开关模式电源
线路接收器
电脑外设接口
微处理器系统接口
增强型隔离提供电路保护
遭受电击（安全等级II ）
电路，用于对electri-安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ CAL冲击（增强异
LATION ） ：
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V与符合
荷兰国际集团符合DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-
5-5待定，表2 。
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离的电源电压
≤
400 VRMS ）
VDE 0804
IEC 60065
电信设备和数据处理
安全电源操作电子和相关家庭appa-
ratus
订购信息
部分
TCDT1120
TCDT1122
备注
CTR > 40 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
CTR > 40 ％ ， DIP - 6
CTR 63 - 125 ％ ， DIP - 6
CTR 100 - 200 ％ ， DIP - 6
CTR 160 - 320 ％ ， DIP - 6
描述
该TCDT1120 （ G）系列由一个phototransis-的
器光耦合到一个砷化镓infrared-
发光二极管采用6引脚塑料双列直插式封装。
的元件被安装在一个引线框架用
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出的最高安全要求之间
求。
TCDT1123
TCDT1124
TCDT1120G
TCDT1122G
TCDT1123G
TCDT1124G
G = Leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上
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1
TCDT1120 / TCDT1120G
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
T
j
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°C
产量
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
DISS
T
j
价值
90
90
7
50
100
150
125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T = 1分
测试条件
符号
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
SLD
价值
3750
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
RMS
mW
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
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TCDT1120 / TCDT1120G
威世半导体
产量
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极 - 发射极截止电流
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 1毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 20 V，I
f
= 0
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
90
90
7
150
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
耦合器
参数
集电极发射极饱和
电压
截止频率
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
F = 1 MHz的
符号
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
民
典型值。
最大
0.3
单位
V
千赫
pF
电流传输比
参数
I
C
/I
F
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 1毫安
部分
TCDT1120
TCDT1120G
TCDT1122
TCDT1122G
TCDT1123
TCDT1123G
TCDT1124
TCDT1124G
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
TCDT1120
TCDT1120G
TCDT1122
TCDT1122G
TCDT1123
TCDT1123G
TCDT1124
TCDT1124G
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
民
10
15
30
60
40
63
100
160
125
200
320
典型值。
最大
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
最高安全评级
（根据DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747-5-5申请中）见图1
这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。
遵守安全评级，由适当的保护电路来保证。
输入
参数
正向电流
测试条件
符号
I
F
民
典型值。
最大
130
单位
mA
产量
参数
功耗
测试条件
符号
P
DISS
民
典型值。
最大
265
单位
mW
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TCDT1120 / TCDT1120G
威世半导体
耦合器
参数
额定脉冲电压
安全温度
测试条件
符号
V
IOTM
T
si
民
典型值。
最大
6
150
单位
kV
°C
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
绝缘电阻
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
≤
150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
民
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
最大
单位
kV
kV
kV
V
IOTM
300
P
斯（ mW）的
250
200
150
100
I
SI （毫安）
50
0
0
95 10934
t
1
, t
2
= 1至10秒
t
3
, t
4
= 1 s
t
TEST
= 10 s
t
STRES
= 12 s
V
Pd
V
IOWM
V
IORM
0
13930
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
25
50
75
100 125 150 175 200
T
AMB
( °C )
t
图1.降额图
根据DIN EN图2.测试脉冲图的样品测试
60747-5-2 （ VDE0884 ） / DIN EN 60747- ; IEC60747
开关特性
参数
测试条件
符号
单位
TCDT1120
TCDT1120G
TCDT1123
TCDT1123G
TCDT1124
TCDT1124G
I
F
mA
10
10
10
10
t
D
s
2.5
2.5
2.8
2.0
t
r
s
3.0
3.0
4.2
4.0
当前
延迟
上升时间
存储
下降时间
开启
时间
打开-O FF
时间
开启
时间
打开-O FF
时间
V
S
= 5 V ，R
L
= 100
（参见图3）
t
S
s
0.3
0.3
0.3
0.3
t
f
s
3.7
3.7
4.7
4.7
t
on
s
5.5
5.5
7.0
6.0
t
关闭
s
4.0
4.0
5.0
5.0
V
S
= 5 V ，R
L
= 1 k
（见图4）
t
on
s
16.5
16.5
21.5
20.0
t
关闭
s
22.5
22.5
37.5
50.0
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TCDT1120 / TCDT1120G
威世半导体
典型特性（环境温度Tamb = 25
°C
除非另有规定编）
CTR
REL
- 相对电流传输比
I
F
0
I
C
100%
90%
t
p
96 11698
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
=5V
I
F
=10mA
t
10%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
96 11918
图3.开关时间
图6.相对电流传输比与环境
温度
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
300
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
V
CE
=30V
I
F
=0
1000
150
红外二极管
100
50
0
0
40
80
120
100
10
1
0
95 11038
25
50
75
100
96 1
1700
T
AMB
- 环境牛逼
emperature （ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图4.总功率耗散与环境温度
图7.集电极暗电流与环境温度
100
I
C
- 集电极电流（mA ）
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
V
CE
=5V
10
100
10
1
1
0.1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.01
0.1
95 11040
1
10
100
V
F
- 正向电压（ V）
I
F
- 正向电流（mA ）
图5.正向电流与正向电压
图8.集电极电流与正向电流
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5
TCDT1120 （ G）系列
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCDT1120 （ G）系列由一个phototransis-的
器光耦合到一个砷化镓
采用6引脚塑料双列直插式红外发光二极管
封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
nc
开关模式电源供应器，线路接收器，
电脑外设接口，微处理器
系统接口。
C
5
E
4
6
VDE标准
94 9222
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
1
A (+)
2
C (–)
3
nc
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信
处理
设备
和
数据
D
IEC 65
为了安全电源操作的电子及相关
家庭设备
订购说明
订购代码
点击率排行
TCDT1120 / TCDT1120G
1)
>40%
1)
TCDT1122 / TCDT1122G
63至125％
1)
TCDT1123 / TCDT1123G
100200％
TCDT1124 / TCDT1124G
1)
160 320 ％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G的未上市对身体
备注
224
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
TCDT1120 （ G）系列
威世德律风根
特点
认证：
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
一般特征：
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2 （ DIN / VDE 0110 RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.3 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
基部不连
D
CTR 4组提供
D
耦合系统A
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
D
隔离测试电压（局部放电试验
电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
价值
90
90
7
50
100
150
125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
2毫米的情况下，T
≤
10 s
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
225
TCDT1120 （ G）系列
威世德律风根
TCDT1120 （ G）和TCDT1122的开关特性（ G）
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 100
W
(
（参见图3）
g
)
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
典型值。
2.5
3.0
3.7
0.3
5.5
4.0
16.5
22.5
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 1 k
W
(
（见图4）
g
)
TCDT1123的开关特性（ G）
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 100
W
(
（参见图3）
g
)
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
典型值。
2.8
4.2
4.7
0.3
7.0
5.0
21.0
37.5
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 1 k
W
(
（见图4）
g
)
TCDT1124的开关特性（ G）
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
IF
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 100
W
(
（参见图3）
g
)
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 1 k
W
(
（见图4）
g
)
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
I
F
= 10毫安
+5V
I
C
典型值。
2.0
4.0
4.7
0.3
6.0
5.0
20.0
50.0
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
0
IF
+5V
IC = 10毫安;通过调整
输入幅度
0
IF
R
G
= 50
W
t
p
0.01
T
t
p
= 50
m
s
RG = 50
W
tp
= 0.01
T
TP = 50
m
s
+
通道I
50
W
95 10848
100
W
道II
示波器
1M
RL
W
CL 20 pF的
95 10843
w
v
通道I
50
W
道II
1 k
W
示波器
R
L
≥
1 M
W
C
L
≤
20 pF的
图3.测试电路，非饱和运算
图4.测试电路中，饱和运算
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牧师A3 ， 11 -JAN- 99
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