TCDT1100 （ G）系列
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCDT1100 （ G）系列由一个光电的
晶体管光耦合到一个砷化镓
采用6引脚塑料双列直插式红外发光二极管
封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
nc
开关模式电源供应器，线路接收器，
电脑外设接口，微处理器
系统接口。
C
5
E
4
6
VDE标准
94 9222
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
1
A (+)
2
C (–)
3
nc
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信设备和数据
处理
D
IEC 65
为了安全电源操作电子
相关的家用电器
订购说明
订购代码
点击率排行
TCDT1100 / TCDT1100G
1)
> 40 ％
1)
TCDT1101 / TCDT1101G
4080％
TCDT1102 / TCDT1102G
1)
63至125％
TCDT1103 / TCDT1103G
1)
100200％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G的未上市对身体
备注
208
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
TCDT1100 （ G）系列
威世德律风根
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
一般特征：
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
CTR 4组提供
D
基部不连
D
耦合系统A
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
D
隔离测试电压（局部放电试验
电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
价值
32
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
2毫米从案例吨
≤
10 s
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
209
TCDT1100 （ G）系列
威世德律风根
光电耦合器与光电晶体管输出
描述
该TCDT1100 （ G）系列由一个光电的
晶体管光耦合到一个砷化镓
采用6引脚塑料双列直插式红外发光二极管
封装。
的元件被安装在一个引线框架用
a
共面技术，
提供一个固定的距离
输入和输出，用于最高安全性之间
要求。
应用
电路，用于对安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ电击
（增强型隔离） ：
14827
D
对于APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
D
对于APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据VDE 0884 ，表2 ，适用于：
nc
开关模式电源供应器，线路接收器，
电脑外设接口，微处理器
系统接口。
C
5
E
4
6
VDE标准
94 9222
这些耦合器根据安全功能进行
到以下设备标准：
D
VDE 0884
光电耦合器的电气安全要求
1
A (+)
2
C (–)
3
nc
D
950 IEC / EN 60950
办公设备（适用于增强型隔离
对于电源电压
≤
400 V
RMS
)
D
VDE 0804
电信设备和数据
处理
D
IEC 65
为了安全电源操作电子
相关的家用电器
订购说明
订购代码
点击率排行
TCDT1100 / TCDT1100G
1)
> 40 ％
1)
TCDT1101 / TCDT1101G
4080％
TCDT1102 / TCDT1102G
1)
63至125％
TCDT1103 / TCDT1103G
1)
100200％
1)
G = Leadform 10.16毫米; G的未上市对身体
备注
208
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
TCDT1100 （ G）系列
威世德律风根
特点
认证：
D
根据漏电电流电阻
VDE 0303 / IEC 112
相比漏电起痕指数： CTI
= 275
D
通过保温层厚度
≥
0.75 mm
D
BSI ：
BS EN 41003 ， BS EN 60095 （ BS 415 ）
BS EN 60950 （ BS 7002 ）
证书编号7081和7402
D
FIMKO
（ SETI ） ： EN 60950 ，
证书编号12399
D
美国保险商实验室
（ UL ） 1577认可，
文件编号E- 76222
一般特征：
D
VDE
0884 ，证书编号94778
VDE 0884相关的功能：
D
根据UL94 -VO绝缘材料
D
污染等级2
（ DIN / VDE 0110 / RESP 。 IEC 664 ）
D
气候分类55/100/21 （ IEC 68部分1 ）
D
特殊的结构：
。因此，特低耦合电容
典型的0.2 pF的，高
共模抑制
D
CTR的低温度系数
D
CTR 4组提供
D
基部不连
D
耦合系统A
D
额定脉冲电压（瞬态过电压）
V
IOTM
= 6千伏高峰
D
隔离测试电压（局部放电试验
电压）V
pd
= 1.6千伏
D
额定隔离电压（有效值包括直流）
V
IOWM
= 600 V
RMS
（ 848 V峰值）
D
额定经常峰值电压（重复）
V
IORM
= 600 V
RMS
绝对最大额定值
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
符号
V
IO
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
60
3
100
125
单位
V
mA
A
mW
°
C
t
p
≤
10
m
s
T
AMB
≤
25
°
C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
测试条件
价值
32
7
50
100
150
125
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25
°
C
耦合器
参数
交流隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
T = 1分
T
AMB
≤
25
°
C
价值
3.75
250
-55到+100
-55到+125
260
单位
kV
mW
°
C
°
C
°
C
2毫米从案例吨
≤
10 s
牧师A3 ， 11 -JAN- 99
209
TCDT1100/TCDT1100G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
17201_1
NC
6
C
5
E
4
无改善噪音的基础终端连接
免疫
4组CTR提供
厚度虽然保温
≥
0.75 mm
D E
1
A (+)
2
C (–)
3
NC
V
符合VDE漏电当前阻力0303 /
IEC 60112漏电起痕指数： CTI
≥
275
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该TCDT1100 / TCDT1100G系列由一个
光电晶体管的光耦合到砷化镓
在6引脚塑料双列直插式封装的红外发光二极管。
光电晶体管的基极连接不提供
抗干扰能力。
的元件被安装在一个引线框架哪个
提供用于输入和输出之间的固定距离
最高安全要求。
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-5 。
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5待定
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码A，双重保护
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-5
FIMKO
订购信息
部分
TCDT1100
TCDT1101
TCDT1102
TCDT1103
TCDT1100G
TCDT1101G
TCDT1102G
TCDT1103G
记
G = leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上。
备注
CTR > 40 ％ ， DIP - 6
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR > 40 ％ ， DIP - 6
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
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776
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83535
修订版1.6 ， 16 08年5月
TCDT1100/TCDT1100G
光电耦合器，光电晶体管输出
威世半导体
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5
60
3
100
125
32
7
50
100
150
125
5300
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mW
°C
°C
°C
t
p
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件焊接条件。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
收藏家ermitter截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
7
200
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最低和最高值测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
文档编号： 83535
修订版1.6 ， 16 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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777
TCDT1100/TCDT1100G
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
部分
TCDT1100
TCDT1100G
TCDT1101
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
TCDT1101G
TCDT1102
TCDT1102G
TCDT1103
TCDT1103G
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
40
63
100
80
125
200
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
光电耦合器，光电晶体管输出
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
记
根据DIN EN 60747-5-5 （见图1 ） 。这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
V
IOTM
T
si
6
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
=
150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
P
si
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
V
IOWM
V
IORM
0
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
150
13930
94 9182
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC60747
文档编号： 83535
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778
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TCDT1100/TCDT1100G
光电耦合器，光电晶体管输出
威世半导体
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
4.0
7.0
6.7
0.3
11.0
7.0
25.0
42.5
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
= 5毫安;通过调整
输入幅度
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
10
%
0
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
96 11698
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
95 10900
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 5 - 开关时间
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5
V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
95 10843
图。 4 - 测试电路，饱和运算
文档编号： 83535
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TCDT1100/TCDT1100G
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
光电耦合器，光电晶体管输出
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
10 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
1000
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
1000
100
I
F
- 正向电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
100
10
5毫安
10
2毫安
1
1毫安
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.1
0.1
95 11054
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 7 - 正向电流与正向电压
图。 10 - 集电极电流与集电极发射极电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 - 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
1.0
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
1.4
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
CTR = 50
％使用
0.4
0.2
0
1
10
20
％使用
10
％使用
100
96 11920
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11055
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 8 - 相对电流传输比与环境温度
图。 11 - 集电极发射极饱和电压与集电极电流
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TCDT1100/TCDT1100G
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出
特点
隔离测试电压5300 V
RMS
额外的低耦合能力 - 典型0.2 pF的
高共模抑制
17201_1
NC
6
C
5
E
4
无改善噪音的基础终端连接
免疫
4组CTR提供
厚度虽然保温
≥
0.75 mm
D E
1
A (+)
2
C (–)
3
NC
V
符合VDE漏电当前阻力0303 /
IEC 60112漏电起痕指数： CTI
≥
275
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
描述
该TCDT1100 / TCDT1100G系列由一个
光电晶体管的光耦合到砷化镓
在6引脚塑料双列直插式封装的红外发光二极管。
光电晶体管的基极连接不提供
抗干扰能力。
的元件被安装在一个引线框架哪个
提供用于输入和输出之间的固定距离
最高安全要求。
应用
开关模式电源
线路接收器
计算机外设接口
微处理器系统接口
电路用于防止电气安全防护隔离
根据安全等级Ⅱ （增强型隔离）冲击：
- 对APPL 。一流的I - IV的电源电压
≤
300 V
- 对APPL 。 I类 - III在电源电压
≤
600 V
根据DIN EN 60747-5-5 。
VDE标准
这些成色根据执行安全功能
以下设备标准：
DIN EN 60747-5-5待定
光电耦合器的电气安全要求
IEC 60950 / EN 60950
办公设备（适用于钢筋隔离电源
电压
≤
400 V
RMS
)
VDE 0804
电信设备和数据处理
IEC 60065
为了安全电源操作
家庭设备
电子
和
相关
机构认证
UL1577 ，文件号。 E76222系统代码A，双重保护
BSI IEC 60950 ; IEC 60065
DIN EN 60747-5-5
FIMKO
订购信息
部分
TCDT1100
TCDT1101
TCDT1102
TCDT1103
TCDT1100G
TCDT1101G
TCDT1102G
TCDT1103G
记
G = leadform 10.16毫米; G不是标明阀体上。
备注
CTR > 40 ％ ， DIP - 6
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
CTR > 40 ％ ， DIP - 6
点击率4080％ ， DIP-6
点击率63 125％ ， DIP-6
点击率100200％ ， DIP-6
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TCDT1100/TCDT1100G
光电耦合器，光电晶体管输出
威世半导体
绝对最大额定值
参数
输入
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
耦合器
隔离测试电压（有效值）
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(2)
(1)
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
5
60
3
100
125
32
7
50
100
150
125
5300
250
- 55至+ 100
- 55至+ 125
260
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
mA
mA
mW
°C
V
RMS
mW
°C
°C
°C
t
p
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
T
j
V
首席执行官
V
ECO
I
C
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
I
CM
P
DISS
T
j
V
ISO
P
合计
T
AMB
T
英镑
2毫米的情况下，T
≤
10 s
T
SLD
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件焊接条件。
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
结电容
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
收藏家ermitter截止电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
截止频率
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安，
R
L
= 100
Ω
F = 1 MHz的
V
CESAT
f
c
C
k
110
0.3
0.3
V
千赫
pF
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0, E = 0
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
7
200
V
V
nA
I
F
= 50毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最低和最高值测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
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TCDT1100/TCDT1100G
威世半导体
电流传输比
参数
测试条件
部分
TCDT1100
TCDT1100G
TCDT1101
I
C
/I
F
V
CE
= 5 V，I
F
= 10毫安
TCDT1101G
TCDT1102
TCDT1102G
TCDT1103
TCDT1103G
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
分钟。
40
40
63
100
80
125
200
典型值。
马克斯。
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
光电耦合器，光电晶体管输出
最高安全评级
参数
输入
正向电流
产量
功耗
耦合器
额定脉冲电压
安全温度
记
根据DIN EN 60747-5-5 （见图1 ） 。这个光电耦合器适用于仅在安全等级安全的电气隔离。合规
与安全评级，由适当的保护电路装置来保证。
V
IOTM
T
si
6
150
kV
°C
P
DISS
265
mW
I
F
130
mA
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
绝缘额定参数
参数
局部放电试验电压 -
例行试验
局部放电试验电压 -
很多试验（样品测试）
测试条件
100 %, t
TEST
= 1 s
t
Tr
= 60 S，T
TEST
= 10 s,
（参见图2）
V
IO
= 500 V
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
=
150 °C
（仅适用于建筑试验）
符号
V
pd
V
IOTM
V
pd
R
IO
R
IO
R
IO
分钟。
1.6
6
1.3
10
12
10
11
10
9
典型值。
马克斯。
单位
kV
kV
kV
Ω
Ω
Ω
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
250
200
PHOTOTRANSISTOR
P
si
（ mW）的
V
IOTM
t
1
, t
2
t
3
, t
4
t
TEST
t
STRES
V
Pd
= 1至10秒
=1s
= 10 s
= 12 s
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
红外二极管
I
si
（MA ）
V
IOWM
V
IORM
0
t
3
t
TEST
t
4
t
1
t
Tr
= 60 s
t
2
t
STRES
t
150
13930
94 9182
T
si
- 安全温度（℃ ）
图。 1 - 降额图
图。 2 - 测试脉冲图的样品测试，根据
DIN EN 60747-5-5 / DIN EN 60747- ; IEC60747
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TCDT1100/TCDT1100G
光电耦合器，光电晶体管输出
威世半导体
开关特性
参数
延迟时间
上升时间
下降时间
贮存时间
开启时间
打开-O FF时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 5毫安，R
L
= 100
Ω,
（参见图3）
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
V
S
= 5 V，I
C
= 10毫安，R
L
= 1千欧， （参见图4）
符号
t
d
t
r
t
f
t
s
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
4.0
7.0
6.7
0.3
11.0
7.0
25.0
42.5
马克斯。
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
I
F
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
= 5毫安;通过调整
输入幅度
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
R
G
= 50
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
10
%
0
通道I
道II
50
100
示波器
R
L
1 M
C
L
20 pF的
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
96 11698
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
95 10900
图。 3 - 测试电路，非饱和运算
图。 5 - 开关时间
I
F
0
I
F
= 10毫安
+5
V
I
C
R
G
= 50
Ω
t
p
= 0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
1 kΩ
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
95 10843
图。 4 - 测试电路，饱和运算
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威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
光电耦合器，光电晶体管输出
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
250
200
PHOTOTRANSISTOR
150
100
50
0
0
40
80
120
红外二极管
10 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
同
开基（ NA）
1000
V
CE
= 20
V
I
F
= 0
100
10
1
0
95 11026
25
50
75
100
96 11700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 6 - 总功率耗散与环境温度
图。 9 - 集电极暗电流与环境温度
1000
100
I
F
- 正向电流（mA ）
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
100
10
5毫安
10
2毫安
1
1毫安
1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.1
0.1
95 11054
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 7 - 正向电流与正向电压
图。 10 - 集电极电流与集电极发射极电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.5
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 - 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
1.0
V
CESAT
- 集电极发射极
饱和
电压
(V)
1.4
V
CE
= 5
V
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
CTR = 50
％使用
0.4
0.2
0
1
10
20
％使用
10
％使用
100
96 11920
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
95 11055
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 8 - 相对电流传输比与环境温度
图。 11 - 集电极发射极饱和电压与集电极电流
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