德昌
SEM IC 0：N杜至R
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
绝对最大额定值
参数
功耗
存储温度范围
工作结温
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
500
-65到+175
+175
单位
mW
°C
°C
L
：徽标
器件代码： TCBZX55Txxx
T
： VZ公差B或C
设备标记图
轴向引线
DO35
L
55T
xxx
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
规格特点：
齐纳电压范围2.0 75伏特
DO- 35封装（ JEDEC ）
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
符合RoHS
焊锡热浸锡（Sn ）终端完成
阴极指示的极性带
电气符号
阴极
阳极
电气特性
设备类型
TCBZX55C 2V0
TCBZX55C 2V2
TCBZX55C 2V4
TCBZX55C 2V7
TCBZX55C 3V0
TCBZX55C 3V3
TCBZX55C 3V6
TCBZX55C 3V9
TCBZX55C 4V3
TCBZX55C 4V7
TCBZX55C 5V1
TCBZX55C 5V6
TCBZX55C 6V2
TCBZX55C 6V8
TCBZX55C 7V5
TCBZX55C 8V2
TCBZX55C 9V1
TCBZX55C 10
TCBZX55C 11
TCBZX55C 12
TCBZX55C 13
V
Z
@ I
ZT
（伏）
民
最大
1.88
2.11
2.08
2.33
2.28
2.56
2.51
2.89
2.8
3.2
3.1
3.5
3.4
3.8
3.7
4.1
4.0
4.6
4.4
5.0
4.8
5.4
5.2
6.0
5.8
6.6
6.4
7.2
7.0
7.9
7.7
8.7
8.5
9.6
9.4
10.6
10.4
11.6
11.4
12.7
12.4
14.1
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
ZT
@ I
ZT
I
ZT
(Ω)
（MA ）
最大
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
100
100
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
I
ZK
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
最大
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
I
R
@ V
R
(μA)
最大
100
100
50
10
4
2
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
（伏）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
编号： DB- 034
2008年6月/女
第1页
TCBZX55C2V0通过TCBZX55C75
TCBZX55B2V4通过TCBZX55B75
德昌
SEM IC 0：N杜至R
电气特性
设备类型
V
Z
@ I
ZT
（伏）
民
最大
TCBZX55B 51
49.98
52.02
2.5
125
TCBZX55B 56
54.88
57.12
2.5
135
TCBZX55B 62
60.76
63.24
2.5
150
TCBZX55B 68
66.64
69.36
2.5
160
TCBZX55B 75
73.50
76.50
2.5
170
V
F
正向电压为1.0 V最大@
I
F
= 100 mA，对于所有类型
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
ZT
@ I
ZT
I
ZT
(Ω)
（MA ）
最大
I
ZK
（MA ）
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
Z
ZK
@ I
ZK
(Ω)
最大
700
1000
1000
1000
1000
I
R
@ V
R
(μA)
最大
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
（伏）
38
42
47
51
56
注意事项：
1.耐性与电压DESIGNATION
列出的类型号有齐纳电压，如图所示。
2.特价设施包括
所示的电压和更严格的电压之间的额定齐纳电压，对价格，可用性和交付的详细信息，
最近德昌代表与您联系。
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压脉冲的条件下测得的，例如那件T
J
不超过2 ℃以上牛逼
A
.
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
直流稳压电流（I
ZT
）被叠加到
I
ZT
.
编号： DB- 034
2008年6月/女
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