TC9WMC1FK/FU,TC9WMC2FK/FU
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC9WMC1FK,TC9WMC1FU,TC9WMC2FK,TC9WMC2FU
TC9WMC1FK / FU ： 1024位（ 64
×
16位） 3线串行EEPROM
TC9WMC2FK / FU ： 2048位（ 128
×
16位） 3线串行EEPROM
该TC9WMC1和TC9WMC2电
可擦除/可编程的三线串行非易失性存储器
存储器（EEPROM ） 。
TC9WMC1FK,TC9WMC2FK
特点
三线式串行接口（ MICROWIRE ）
读操作时自动地址递增
硬件和软件数据保护
就绪/忙
在编程过程中的信号
US8
TC9WMC1FU,TC9WMC2FU
单电源和低功耗
阅读： V
CC
=
1.8 3.6 V
写： V
CC
=
2.3至3.6 V
宽工作温度范围（ -40至85°C ）
SM8
重量：
SSOP8 -P - 0.50A 0.01克（典型值）。
SSOP8 -P - 0.65 0.02克（典型值）。
产品标识
US8
产品型号
C1或C2的
引脚分配
（ TOP VIEW ）
CS
8
SK
7
DI
6
DO
5
9WM
xx
PIN 1 INDEX
US8
1
SM8
产品型号
2
3
4
V
CC
NC TEST GND
V
CC
NC TEST GND
8
7
6
5
WMxx
C1或C2的
LOTNo 。
PIN 1 INDEX
SM8
1
CS
2
SK
3
DI
4
DO
1
2007-10-19
TC9WMC1FK/FU,TC9WMC2FK/FU
框图
测试输入
TEST
芯片选择： CS
时钟输入： SK
定时
发电机
控制
电路
电源
（升压电路）
V
CC
电源
命令
注册
数据输入： DI
输入/输出
电路
地址地址
注册解码器
记忆细胞
GND
数据输出： DO
数据寄存器
引脚功能
引脚名称
输入/输出
功能
片选输入
该装置接收指令时，此引脚驱动为高电平设置。
该引脚必须在指令执行前被拉低。
串行时钟输入
数据锁定在SK的上升沿。数据被传送在SK的上升沿。
该引脚有效时， CS为高。
串行数据输入（起始位，操作码，地址和数据）
串行数据输出
测试模式输入（内部上拉下拉电阻）
通常保持开启。 （可连接到GND ）。
无连接（内部未连接）
1.8 3.6 V （阅读）
2.3至3.6 V （写作）
0 V （ GND ）
CS
输入
SK
DI
DO
TEST
NC
V
CC
GND
输入
输入
产量
输入
电源
2
2007-10-19
TC9WMC1FK/FU,TC9WMC2FK/FU
1.指令集
指令
读（ READ ）
写（ WRITE）
擦除（ ERASE ）
WRAL （写全）
ERAL （清除所有）
EWEN （程序启动）
EWDS （程序禁用）
开始位
1
1
1
1
1
1
1
操作码
10
01
11
00
00
00
00
地址
TC9WMC1
A5到A0
A5到A0
A5到A0
01xxxx
10xxxx
11xxxx
00xxxx
TC9WMC2
xA6到A0
xA6到A0
xA6到A0
01xxxxxx
10xxxxxx
11xxxxxx
00xxxxxx
D15至D0输出
D15至D0输入
D15至D0输入
数据
X ：无关
2.功能描述
当接收到DI输入在SK的上升沿后， CS输入的所有指令被执行
驱动为高电平。指令开始于一个起始位后面的操作码，地址和数据位。该
当CS输入驱动为低电平指令传输完毕。在该CS必须驱动为低电平
指令传输之间TCS周期。当CS为低时，设备处于待机模式。在SK
和DI输入被禁用，该设备并没有任何指示作出反应。
(1)
开始位
在CS为高，高的在SK的上升沿DI输入指示起始位。一
启动位没有确定，如果是DI即使在CS为高和SK脉冲驱动为低电平
应用。
参见（ 2 ）虚设周期第3 ，使用注意事项。
读操作（读）
在读指令读取指定地址的数据。在CS为高时，起始位，
READ指令和地址传送到设备。后地址的最低显著位
（A0 ）被接收，小的第九上升的边缘从高阻抗到逻辑DO输出变化
SK 。在SK的第10个上升沿，数据的16位上出现的DO输出。
顺序读取
后的数据的16位被驱动到DO输出，该装置将自动递增
内部地址计数器和时钟输出的数据中的下一个存储位置，只要CS为
高举与SK脉冲被应用。以这种方式，在所有的存储位置的数据可以被读出
序列。后，在最后的存储器地址中的数据被读出时，地址计数器翻转到
第一存储器地址。
(2)
(2.1)
CS
39 40
DI
42
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
SK
23 24 25 26 27 28
D
DI
1 1 0 A5 A4 A3 A2 A1 A0
DO
高阻
D15 D14 D13
D2 D1 D0 D15 D14 D13
D2 D1 D0 D15
高阻
图1.读时序图（ TC9WMC1 ）
3
2007-10-19
TC9WMC1FK/FU,TC9WMC2FK/FU
CS
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
SK
26 27 28 29
41 42 43 44
DI
1 1 0 X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
DO
高阻
D15 D14 D13
D1 D0 D15 D14
D2 D1 D0 D15
高阻
图2.读时序图（ TC9WMC2 ）
(3)
写操作（ WRITE ， ERASE ， WRAL ， ERAL ）
写操作有四种模式：写（写） ，擦除（ ERASE ） ，全部写入（ WRAL ）和擦除
所有（ ERAL ） 。当SK脉冲被施加后的CS驱动低的写操作被触发。
SK及DI的输入是在写入操作期间被禁止，因此不应试图向
此时的传送指令。
如果16位或更长的数据被传输到设备上，数据的头16位是有效的，并在
其余位将被忽略。 DO输出必须保持高或中高阻抗状态时，
写指令被接收。写操作在程序中启用使能模式。
验证操作
在所有的写操作模式下的写操作是在10毫秒（写周期为tPW ）完成的，但典型的
写周期是短的（5毫秒）。如果在完成写操作是已知的，内部写
周期可被最小化。为了实现这一点，进行验证操作。
（一）操作说明
当CS被高下面的写操作的开始（CS =低），则
写操作状态可通过监测DO引脚可以看出。这被称为一个检验操作
和的期间在CS被保持高以下的写操作的起始时
所谓验证操作周期。
DO端子=低：写操作正在进行中。 （忙）
DO端子=高：写操作已经完成。 （准备好）
在写操作完成后，如果一开始有点不识别， DO引脚为
高阻抗状态，如果CS为低电平。如果CS为低电平，则DO引脚驱动为高电平。当
写操作过程中（繁忙） ， SK及DI输入被禁止。一旦写
操作已经完成，并在起始位被接收时，在验证操作被停止。
（B ）两种操作方法
有两种方法来执行验证操作。一种方法是监测DO输出
先后与CS驱动为高电平，直到DO输出状态变化。另一种方式是将
监视DO输出，如果没有变化是显而易见的，在验证操作被停止（CS =低） 。
验证操作，然后由CS重新被拉高。通过这种方式，在做的时候
输出不被监控时，CPU可以自由进行其他操作，因此可以更有效
电子系统设计。
(3.1)
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2007-10-19
TC9WMC1FK/FU,TC9WMC2FK/FU
(3.2)
写（ WRITE）
写指令中包含的数据的16位被写入到指定的存储器
位置。在CS为高，一个起始位被转移之后WRITE指令，
地址和16位数据。后的数据的至少显著位（ D0 ）被接收在上升
SK的边缘，写操作是通过将CS触发被拉到低电平。它是没有必要设置
写入数据“1”之前，在存储器阵列中的每一位。
CS
VERIFY
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
SK
25
DI
1 0 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15
D0
DO
忙
高阻
t
PW
准备
高阻
图3.写时序图（ TC9WMC1 ）
CS
VERIFY
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
SK
27
DI
1 0 1× A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15
D0
DO
忙
高阻
t
PW
准备
高阻
图4.写时序图（ TC9WMC2 ）
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2007-10-19
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