TC9WMA2FK
框图
芯片选择
CS
时钟输入
定时
发电机
控制
电路
电源
（升压电路）
V
CC
电源
复位输入
RST
CLK
命令
注册
输入/输出
电路
数据输出做
记忆细胞
地址地址
注册解码器
数据输入DI
GND接地
数据寄存器
引脚功能
引脚名称
输入/输出
输入
功能
芯片选择
一个低电平
CS
选择的芯片。总是返回
CS
高之前暂时
执行指令。
时钟输入
DI上的数据由CLK的上升沿锁存。数据输出掉下来的做
CLK的边缘。 CLK是有效的，当CS为低电平。
串行数据输入
该引脚用于输入地址，命令和数据到芯片中。
串行数据输出
该引脚从芯片输出的数据。
复位输入
在此输入低复位芯片。
无连接（内部未连接）
1.8 V 5.5 V （阅读）
2.3 5.5 V （写作）
0 V （ GND ）
CS
CLK
输入
DI
DO
RST
NC
V
CC
GND
输入
产量
输入
电源
2
2007-10-19
TC9WMA2FK
功能说明
1.类型的指令
手术
读
节目
全部擦除
忙碌的显示器
覆盖启用
覆盖禁用
阅读自动递增
地址
A0~A7
A0~A7
********
********
********
********
命令
C0 C1 C2 C3
1
0
0
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
数据
D0~D7
A0~A7
*:
不在乎
2.操作方法
一定要开车
CS
和
CLK
输入一个指令前高暂时的。后
CS
断言
低，
CLK
生效后，作为一个串行传输同步信号。在DI中的数据被锁存
的上升沿
CLK
而数据输出到做一个下降沿
CLK
.
当芯片不被编程或集体擦除的指令时才能执行（即
当就绪/忙状态信号为高电平） 。然而，监控器忙指令可以在任何输入
时间。
只在上表中列出的命令可以使用。不要使用任何其他命令。
读
进入读指令会使存储器数据在指定的地址被读出并串行
从DO引脚输出。
节目
输入程序指令使覆盖操作，以在芯片内部自动启动，
重写存储器中的数据，在与所述输入数据的指定地址。
该指令被输入后，
CS
可以被驱动为高电平即使在重写操作仍然是在
内部进步。
全部擦除
进入擦除所有指令使擦除操作在芯片内自动启动，
清除内存中的数据，在所有地址。
该指令被输入后，
CS
可以被驱动为高电平即使在擦除操作仍在进行中
在内部。
此命令清除内存中的数据为0 。
忙碌的显示器
进入监控忙碌的指令时，就绪/忙状态信号是从DO引脚输出。
这个输出信号是低电平，而在芯片正被编程或集体擦除，并且是经过高
编程或集体擦除操作就完成了。
就绪/忙状态信号连续输出，直到
CS
驱动为高电平。
覆盖启用/禁用
进入启用改写指令将在覆盖模式使能芯片，其中
编程和擦除所有的指令都可以进入。
进入禁止改写指令将覆盖在禁用模式的芯片，其中
编程和擦除所有指令无法进入。
一旦芯片被放置在覆盖禁用模式，但它仍然禁用防覆盖，直到
启用覆盖指令输入。
阅读自动递增
后在指定的地址的数据被输出，随后
CLK
脉冲使地址为
递增，使得在下一地址的数据是自动输出。在最后的数据后
地址输出，即在第一个地址将被读取和输出。
3
2007-10-19
TC9WMA2FK
3，注意事项在开机或关机的芯片
(1)
(2)
(3)
之前后上电，芯片就可以开始操作需要1毫秒的等待时间。
保证
RST
是低开机或关机的芯片时。
复位芯片的地方，它在覆盖禁用模式。
4.时序图
(1)
读
CS
1
CLK
2
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
23
24
DI
A0
A1
A6
A7
1
0
0
0
0
0
0
0
地址
命令
DO
高阻
D0
D6
数据
D7
高阻
(2)
节目
CS
1
CLK
2
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
23
24
DI
A0
A1
地址
A6
A7
0
1
1
0
0
0
0
0
D0
D6
D7
命令
DO
高阻
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2007-10-19
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