【TC9WMA1FK东芝CMOS数字集成电路硅单片TC9WMA1FK1024位（ 128 × 8位）串】,IC型号TC9WMA1FK,TC9WMA1FK PDF资料,TC9WMA1FK经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC9WMA1FK

东芝CMOS数字集成电路硅单片

TC9WMA1FK

1024位（ 128 × 8位）串行PROM é

该TC9WMA1FK是电可擦除/编程

非易失性存储器（E

舞会）。

特点

串行数据输入/输出

可编程的一个字和集体单位可擦除

在一个操作中

自动设置编程时间（内置计时器）

编程时间： 10毫秒（最大值）（V

= 3.0 3.6 V ）

13毫秒（最大值）（Ⅴ

= 2.7 3.6 V ）

覆盖启用或禁用软件

单电源和低功耗

工作电源电压（2.7 3.6 V ）

宽工作温度范围（ -40至85°C ）

重量0.01克（典型值）。

产品标识

US8

型号名称

引脚分配

（ TOP VIEW ）

CS CLK DI

NC RST GND

2001-10-16

TC9WMA1FK

框图

芯片选择

时钟输入

CLK

定时

发电机

控制

电路

电源

（升压电路）

电源

复位输入

RST

数据输入DI

输入/输出

电路

数据输出做

命令

记忆细胞

地址地址

注册解码器

GND接地

数据寄存器

引脚功能

引脚名称

输入/输出

功能

芯片选择

一个低电平

选择的芯片。总是返回

高之前暂时

执行指令。

时钟输入

DI上的数据是由一个上升沿锁存

CLK

。数据输出掉下来的做

边缘

CLK

是有效的，当

是低的。

串行数据输入

该引脚用于输入地址，命令和数据到芯片中。

串行数据输出

该引脚从芯片输出的数据。

复位输入

在此输入低复位芯片。

无连接（内部未连接）

2.7 V~3.6 V

电源

0 V （ GND ）

输入

CLK

输入

RST

输入

产量

输入

GND

2001-10-16

TC9WMA1FK

功能说明

1.类型的指令

手术

读

节目

全部擦除

忙碌的显示器

覆盖启用

覆盖禁用

地址

A0~A6, 0

********

命令

C0 C1 C2 C3

D0~D7

数据

不在乎

2.操作方法

一定要返回

和

CLK

之前临时输入指令高。

后

为低电平时，

CLK

生效后，作为一个串行传输同步信号。该

DI上的数据是由一个上升沿锁存

CLK

而数据被输出到由下降沿DO

CLK

当芯片不被编程或指令才能执行集体擦除（即，当

就绪/忙状态信号为高电平）。然而，忙监视器指令可以在任何时间被输入。

只在上表中列出的命令可以使用。不要使用任何其他命令。

(1)

读

当读指令被输入时，在指定的地址存储的数据被读出，并且是

从DO引脚串行输出。

节目

当程序指令输入，覆盖操作会自动在内部开始

在指定的地址的芯片，和存储器内数据被覆盖的输入数据。后

指令被输入时，

可以返回高即使重写操作过程中

在内部。

全部擦除

当所有的擦除指令输入，擦除操作会自动在内部开始

在所有地址芯片和存储器数据被擦除。该指令被输入后，

可以

返回高即使在擦除操作过程中在内部。该命令执行清零

存储器中的数据为0。

忙碌的显示器

当忙碌的监控指令输入，一个准备/繁忙状态信号从DO引脚输出。

这个输出信号是低电平，而在芯片正被编程或集体擦除，并且是经过高

编程或集体擦除操作就完成了。

就绪/忙状态信号连续输出，直到

返回高。

覆盖启用/禁用

当覆盖启用指令输入，该芯片被放置在覆盖使能模式，

其中，计划和全部删除指令启用。当覆盖禁用指令

输入，该芯片被放置在覆盖模式为Disable，计划和全部删除指令

两者都是禁用的。

一旦芯片被放置在覆盖禁用模式，但它仍然禁用防覆盖，除非

在覆盖启用指令输入。

(2)

(3)

(4)

(5)

2001-10-16

TC9WMA1FK

3，注意事项时应采取在电源ON / OFF

(1)

(2)

(3)

芯片开始工作之前，上电后需要1毫秒的等待时间。

RST

当电源给芯片导通或断开必须拉低。

该芯片被放置在覆盖禁用模式被复位。

4.时序图

(1)

读

CLK

地址

命令

高阻

数据

高阻

(2)

节目

CLK

地址

命令

高阻

2001-10-16

TC9WMA1FK

(3)

全部擦除

CLK

命令

高阻

(4)

忙碌的显示器

CLK

命令

高阻

(5)

覆盖启用/禁用

CLK

启用

关闭

命令

高阻

2001-10-16

TC9WMA1FK

东芝CMOS数字集成电路硅单片

TC9WMA1FK

1024位（ 128 × 8位）串行PROM é

该TC9WMA1FK是电可擦除/编程

非易失性存储器（E

舞会）。

特点

串行数据输入/输出

可编程的一个字和集体单位可擦除

在一个操作中

自动设置编程时间（内置计时器）

编程时间： 10毫秒（最大值）（V

= 3.0 3.6 V ）

13毫秒（最大值）（Ⅴ

= 2.7 3.6 V ）

覆盖启用或禁用软件

单电源和低功耗

工作电源电压（2.7 3.6 V ）

宽工作温度范围（ -40至85°C ）

重量0.01克（典型值）。

产品标识

US8

型号名称

引脚分配

（ TOP VIEW ）

CS CLK DI

NC RST GND

2001-10-16

TC9WMA1FK

框图

芯片选择

时钟输入

CLK

定时

发电机

控制

电路

电源

（升压电路）

电源

复位输入

RST

数据输入DI

输入/输出

电路

数据输出做

命令

记忆细胞

地址地址

注册解码器

GND接地

数据寄存器

引脚功能

引脚名称

输入/输出

功能

芯片选择

一个低电平

选择的芯片。总是返回

高之前暂时

执行指令。

时钟输入

DI上的数据是由一个上升沿锁存

CLK

。数据输出掉下来的做

边缘

CLK

是有效的，当

是低的。

串行数据输入

该引脚用于输入地址，命令和数据到芯片中。

串行数据输出

该引脚从芯片输出的数据。

复位输入

在此输入低复位芯片。

无连接（内部未连接）

2.7 V~3.6 V

电源

0 V （ GND ）

输入

CLK

输入

RST

输入

产量

输入

GND

2001-10-16

TC9WMA1FK

功能说明

1.类型的指令

手术

读

节目

全部擦除

忙碌的显示器

覆盖启用

覆盖禁用

地址

A0~A6, 0

********

命令

C0 C1 C2 C3

D0~D7

数据

不在乎

2.操作方法

一定要返回

和

CLK

之前临时输入指令高。

后

为低电平时，

CLK

生效后，作为一个串行传输同步信号。该

DI上的数据是由一个上升沿锁存

CLK

而数据被输出到由下降沿DO

CLK

当芯片不被编程或指令才能执行集体擦除（即，当

就绪/忙状态信号为高电平）。然而，忙监视器指令可以在任何时间被输入。

只在上表中列出的命令可以使用。不要使用任何其他命令。

(1)

读

当读指令被输入时，在指定的地址存储的数据被读出，并且是

从DO引脚串行输出。

节目

当程序指令输入，覆盖操作会自动在内部开始

在指定的地址的芯片，和存储器内数据被覆盖的输入数据。后

指令被输入时，

可以返回高即使重写操作过程中

在内部。

全部擦除

当所有的擦除指令输入，擦除操作会自动在内部开始

在所有地址芯片和存储器数据被擦除。该指令被输入后，

可以

返回高即使在擦除操作过程中在内部。该命令执行清零

存储器中的数据为0。

忙碌的显示器

当忙碌的监控指令输入，一个准备/繁忙状态信号从DO引脚输出。

这个输出信号是低电平，而在芯片正被编程或集体擦除，并且是经过高

编程或集体擦除操作就完成了。

就绪/忙状态信号连续输出，直到

返回高。

覆盖启用/禁用

当覆盖启用指令输入，该芯片被放置在覆盖使能模式，

其中，计划和全部删除指令启用。当覆盖禁用指令

输入，该芯片被放置在覆盖模式为Disable，计划和全部删除指令

两者都是禁用的。

一旦芯片被放置在覆盖禁用模式，但它仍然禁用防覆盖，除非

在覆盖启用指令输入。

(2)

(3)

(4)

(5)

2001-10-16

TC9WMA1FK

3，注意事项时应采取在电源ON / OFF

(1)

(2)

(3)

芯片开始工作之前，上电后需要1毫秒的等待时间。

RST

当电源给芯片导通或断开必须拉低。

该芯片被放置在覆盖禁用模式被复位。

4.时序图

(1)

读

CLK

地址

命令

高阻

数据

高阻

(2)

节目

CLK

地址

命令

高阻

2001-10-16

TC9WMA1FK

(3)

全部擦除

CLK

命令

高阻

(4)

忙碌的显示器

CLK

命令

高阻

(5)

覆盖启用/禁用

CLK

启用

关闭

命令

高阻

2001-10-16